ICS31.080.01 CCSL42 ACCEM 团 体 标 准 T/ACCEM515—2025 高性能高密度沟槽栅IGBT器件 High-performancehigh-densitytrench-gateIGBTdevices 2025-3-20发布 2025-4-18实施 中国商业企业管理协会  发布 全国团体标准信息平台 T/ACCEM515—2025 I目次 前言..................................................................................II 1范围................................................................................1 2规范性引用文件......................................................................1 3术语和定义..........................................................................1 4结构................................................................................1 5技术要求............................................................................2 6试验方法............................................................................3 7检验规则............................................................................3 8标志、包装、运输和贮存..............................................................4 全国团体标准信息平台 T/ACCEM515—2025 II前言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由青岛佳恩半导体有限公司提出。 本文件由中国商业企业管理协会归口。 本文件起草单位：青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体 有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司。 本文件主要起草人：王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、 朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、 李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫。 全国团体标准信息平台 T/ACCEM515—2025 1高性能高密度沟槽栅IGBT器件 1范围 本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、 运输和贮存。 本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T191包装储运图示标志 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4208—2017外壳防护等级(IP代码) GB/T5080.7设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案 GB/T29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) QC/T1136电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法 3术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义。 4结构 产品结构如图1所示。 说明： 1——盒盖组件； 2——IGBT芯片组件； 3——紧固螺栓； 4——脚座组件； 13——散热风窗； 44——导热翅片。 图1产品结构图 全国团体标准信息平台