GB-T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

ICS 29.045 H 82 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T6620—2009 代替GB/T6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法 Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning 2009-10-30发布 2010-06-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会 GB/T 6620-2009 前言本标准修改采用SEMIMF657-0705《硅片翘曲度和总厚度变化非接触式测试方法》。本标准与SEMIMF657-0705相比，主要有如下变化：本标准没有采用SEMI标准中总厚度变化测试部分内容；本标准测试硅片厚度范围比SEMI标准中要窄；一本标准编制格式按GB/T1.1规定。本标准代替GB/T6620--1995《硅片翘曲度非接触式测试方法》。本标准与GB/T6620-1995相比，主要有如下变动：修改了测试硅片厚度范围；增加了引用文件、术语、意义和用途、干扰因素和测量环境条件等章节；修改了仪器校准部分内容；增加了仲裁测量；删除了总厚度变化的计算；增加了对仲裁翘曲度平均值和标准偏差的计算。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司，万向硅峰电子股份有限公司。本标准主要起草人：张静雯、蒋建国、田素霞、刘玉芹、楼春兰。本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB6620—1986、GB/T6620—1995。 I

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本文档由人生无常于 2024-06-30 18:40:09上传分享