GB-T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分 闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

ICS _31. 080. 20 L 43 中华人民共和国国家标准 GB/T6590—1998 idt IEC_747-6-2:1991 QC 750111 半导体器件：分立器件第6部分：闸流晶体管第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 Semiconductor devices-Discrete devices Part 6:Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs), ambient or case-rated, up to 100A 1998-11-17发布 1999-06-01实施国家质量技术监督局发布 GB/T 6590-1998 前本规范等同采用IEC747-6-2:1991《半导体器件分立器件 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范》。本规范是国家标准GB/T6590—1986的修订版。本规范与GB/T6590—1986的主要差别是：在第4章中增加了电流与温度的降额曲线；删去了 C2c和C2d的分组号，该组的内容合并到C2b分组，并调整了引用总规范及分规范的标准号。除非另有规定，本规范第8章中引用的条款号对应于GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(IEC747-10:1984)的条款号，测试方法引自GB/T15291--1994《半导体分立器件和集成电路第6部分：闸流晶体管》IEC747-6:1991)；试验方法引自GB/T4937—1995《半导体器件机械和气候试验方法》(IEC749:1984)。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：于志贤、杨志丹、顾康麟。

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