GB-T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分 整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空

ICS 31. 080. 10 L43 中华人民共和国国家标准 GB/T 6351- 1998 idt IEC 747-2-1:1989 QC 750108 半导体器件分立器件第2部分：整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范 Semiconductor devices--Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes),ambient and case-rated,up to 100A 1998-11-17发布 1999-06-01实施国家质量技术监督局发布 GB/T 63511998 前言本规范等同采用IEC747-2-1:1989《半导体器件分立器件：100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》。本规范是GB/T6351--1987的修订版。本规范与GB/T6351一1986的主要差别是：在第5章中增加了5.5总耗散功率。原来的5.5热阻改为5.6，删去了C2d分组热阻。除非另有规定，在本规范第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(IEC747-10：1984)的条号，测试方法引自GB/T4023一1997。《半导体器件分立器件第2部分：整流二极管》（IEC747-2：83）；试验方法引自GB/T4937～ 1995《半导体器件机械和气候试验方法》（IEC749：1984）。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：于志贤、刘东才、王保桢。

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