(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202221968526.5 (22)申请日 2022.07.28 (73)专利权人 无锡上泓智能技 术有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大 道228号天安智慧城2-70 5、 2-706 (72)发明人 丁晨亮　 (74)专利代理 机构 无锡启同专利代理事务所 (普通合伙) 32650 专利代理师 邓盛花 (51)Int.Cl. H02J 7/00(2006.01) H02M 7/219(2006.01) H02M 7/5387(2007.01) (54)实用新型名称 一种中小型锂电放电回路大容值电容的预 充电电路 (57)摘要 本实用新型涉及一种中小型锂电放电回路 大容值电容的预充电电路， 开关Q2基极输入驱动 信号GATE、 集电极输出信号经电阻R5传输至MOS 管Q1的栅 极， MOS管Q1的源极接锂电B AT1的正极、 MOS管Q1的栅极和源极之间连接电阻R1、 MOS管Q1 的漏极接电容EC1正极， 电容EC1阴极接地； 桥式 驱动电路采用锂电B AT1供电， 每相电路包含高边 MOS和低边MOS两个MOS管， 两个MOS管的基极分别 输入相反的驱动信号， 高边的MOS管漏极接锂电 BAT1正极、 源极与低边的MOS管的漏极连接并且 接负载一相线， 采用驱动信号GATE控制开关Q2、 MOS管Q1的导通， 实现电容EC1的充电， 电容EC1反 复充电后， 电容上的电压与B+持平,避免大容值 电容充电的瞬时大电流对电路的冲击， 结构简单 且调节方便 。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 218102649 U 2022.12.20 CN 218102649 U 1.一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 包括:锂电BAT1、 电容EC1、 开关 Q2、 MOS管Q1和桥式驱动电路， 其特征在于： 开关Q2基 极输入驱动信号GATE、 集电极输出信号 经电阻R5传输至MOS管Q1的栅极， MOS管Q1的源极接锂电BAT1的正极、 MOS管Q1的栅极和源极 之间连接电阻R1、 MOS管Q1的漏极接电容EC1正极， 电容EC1阴极接地； 桥式驱动电路采用锂 电BAT1供电， 每相电路包含高边MOS和低边MOS两个MOS管， 两个MOS管的基极分别输入相反 的驱动信号， 高边的MOS管漏极接锂电BAT1正极、 源极与低边的MOS管的漏极连接并且接负 载一相线， 低边MOS管的源极接地。 2.根据权利要求1所述的一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 其特征 在于： 开关Q2的基极接电阻R3， 开关Q2的发射极接地、 发射极和基极之间连接电阻R4。 3.根据权利要求1所述的一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 其特征 在于： 桥式驱动电路采用三相桥式驱动电路， 高边MOS的源极和低边MOS的漏极相连且连接 负载一相线， 三相桥式的输出端分别接负载的三相线。 4.根据权利要求3所述的一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 其特征 在于： 三相桥式驱动电路， 每相两个MOS管都选用N ‑MOS管。 5.根据权利要求1所述的一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 其特征 在于： MOS管Q1选用P型MOS管。 6.根据权利要求1所述的一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 其特征 在于： 开关Q2选用NPN型三极管。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 218102649 U 2一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电 电路 技术领域 [0001]本实用新型涉及中小型锂电放电回路大容值电容的预充电技术领域， 具体为一种 中小型锂电放电回路大容 值电容的预充电 电路。 背景技术 [0002]现有的中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 为一个功率电阻先预先给 电容充电(避免大电流对电路的冲击)， 再由单信号控制一个功 率继电器开关使主回路导通 的电路， 这样的电路会浪费一个功率继电器与一个功率电阻， 且会占用很大一部分PCB空 间。 实用新型内容 [0003]本实用新型的目的是提供一种中小型锂电放电回路大容值电容的预充电电路， 电 路结构简单， 通过调整控制信号GATE的输出占空比， 从而调节锂电放电回路大容值电容EC1 的充电速度。 [0004]为了实现上述目的， 采用以下技术方案： 包括:锂电BAT1、 电容EC1、 开关Q2、 MOS管 Q1和桥式驱动电路， 开关Q2基 极输入驱动信号GATE、 集电极输出信号经电阻R5传输至MOS管 Q1的栅极， MOS管Q1 的源极接锂电BAT1的正极、 MOS管Q1的栅极和源极之间连接电阻R1、 MOS 管Q1的漏极接电容EC1正极， 电容EC1阴极接地； 桥式驱动电路采用锂电BAT1供电， 每相电路 包含高边MOS和低边MOS两个MOS管， 每相电路的两个MOS管的基极分别输入相反的驱动信 号， 高边的M OS管漏极接锂电BAT1正极、 源极与低边的M OS管的漏极连接并且接负载一相线， 低边MOS管的源极接地； 驱动信号GATE的电平的高低实现开关Q2、 MOS管Q1的导通 或截止， 实 现对电容E C1充电、 断电， 且电容E C1充电、 断电的频率由驱动信号GATE的脉冲宽度来决定 。 [0005]进一步的， 开关Q2的基极接电阻R3， 开关Q2的发射极接地、 发射极和基极之间连接 电阻R4。 [0006]进一步的， 桥式驱动电路采用三相桥式驱动电路， 高边MOS的源极和低边MOS的漏 极相连且连接负载一相线， 三相桥式的输出端分别接负载的三相线。 [0007]进一步的， 三相桥式驱动电路， 每相两个MOS管都选用N ‑MOS管。 [0008]进一步的， 开关Q2选用NPN型三极管。 [0009]进一步的， MOS管Q1选用P型MOS管。 [0010]有益效果： 本实用新型采用开关Q2、 MOS管Q1作为开关， 驱动信号GATE的电平高低 控制开关Q2、 MOS管Q1的导通、 截止， 以此实现电容EC1的充电、 断电， 电容EC1反复充电后， 电 容上的电压与B+持平,避免大容值电容充电的瞬时大电流对电路的冲击， 结构简单且调节 方便， 只需调整驱动信号GATE的输出占空比， 从而调节锂电BAT1放电回路大容值电容EC1的 充电速度。说　明　书 1/3 页 3 CN 218102649 U 3