(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211369717.4 (22)申请日 2022.11.03 (71)申请人 南京元感微电子有限公司 地址 210032 江苏省南京市江宁开发区迎 翠路7号科创大厦八层楼80 09-1房间 (72)发明人 史晓晶　柳俊文　任青颖　胡引引　 (74)专利代理 机构 北京中知法苑知识产权代理 有限公司 1 1226 专利代理师 李明　赵吉阳 (51)Int.Cl. G01D 21/02(2006.01) G01L 9/02(2006.01) G01N 27/12(2006.01) (54)发明名称 一种气体与压阻式压力传感器及其加工方 法 (57)摘要 本发明涉及传感器技术领域， 公开一种气体 与压阻式压力传感器及其加工方法。 其中加工方 法包括： 提供带气体腔室和压力腔室的基底； 在 基底上形成压敏电阻； 在基底的一侧形成第一预 设厚度的绝缘层； 在绝缘层上形成若干个间隔排 布的加热件； 形成第二预设厚度的绝缘层； 减薄 正对压力腔室的绝缘层； 在绝缘层上形成若干个 敏感电极； 相邻两个气敏检测单元之间形成隔离 槽； 去除至少部分位于绝缘层和气体腔室之间的 基底； 在每个敏感电极上均形成气敏层。 本发明 公开的气体与压阻式压力传感器的加工方法， 加 工而成的气体与压阻式压力传感器， 体积小， 适 用于电池发生热失控前监测其释放的气体成分、 浓度及当前的气压， 对预测电池的热失控具有重 大意义。 权利要求书2页 说明书8页 附图9页 CN 115420339 A 2022.12.02 CN 115420339 A 1.一种气体与压阻式压力传感器的加工方法， 其特 征在于， 包括： 提供带气体腔室和压力腔室的基底； 在所述基底上 形成正对所述压力腔室的压敏电阻； 在所述基底的一侧形成第一预设厚度的绝 缘层； 在所述绝缘层上形成每个气敏检测单 元的加热件， 若干个所述加热件间隔排布； 在所述加热件和所述 绝缘层上形成第二预设厚度的绝 缘层； 减薄正对所述压力腔室的所述 绝缘层； 在绝缘层上形成每个所述气敏检测单元的敏感电极， 若干个所述敏感电极间隔排布且 与若干个所述加热件一 一对应设置； 在所述绝缘层和所述敏感电极上 形成阻挡层， 在所述阻挡层上 形成阻挡开口； 去除正对所述阻挡开口 的所述绝缘层， 相邻两个气敏检测单 元之间形成隔离 槽； 去除至少部分位于所述 绝缘层和所述气体腔室之间的所述基底； 在每个所述敏感电极上均形成气敏层。 2.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器的加工方法， 其特征在于， 形成第 一 预设厚度的所述绝缘层时， 包括依次形成的第一子绝缘层、 第二子绝缘层及第三子绝缘层； 形成第二预设厚度的所述 绝缘层时， 包括依次形成的第四子绝 缘层和第五子绝 缘层。 3.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器的加工方法， 其特征在于， 形成所述 敏感电极时， 在所述 绝缘层的边 缘形成温度检测电极。 4.根据权利要求1所述的气体与压阻式压力传感器的加工方法， 其特征在于， 还包括形 成引线层和与所述引线层电连接的第一金属PAD， 所述引线层形成在所述基底上且与所述 压敏电阻电连接， 所述第一金属PAD在所述敏感电极之后形成， 且在所述阻挡层之前 形成。 5.一种气体与压阻式压力传感器， 其特征在于， 采用权利要求1至4任一项所述的气体 与压阻式压力传感器的加工方法加工而成， 包括： 基底， 其上设有气体腔室和压力腔室； 压敏电阻， 形成在基底正对所述压力腔室的一侧； 绝缘层， 形成在所述基底的一侧且覆盖在所述压敏电阻上； 若干个气敏检测单元， 用于检测敏感气体且相邻 两个所述气敏检测单元之间设有 隔离 槽， 每个所述气敏检测单元均包括对应设置的加热件、 敏感电极及气敏层， 所述加热件位于 所述绝缘层内， 所述敏感电极设置在所述绝缘层背离所述基底的一侧， 所述气敏层覆盖在 所述敏感电极上， 所述敏感电极用于检测所述气敏层的电阻率。 6.根据权利要求5所述的气体与压阻式压力传感器， 其特征在于， 所述基底包括依次叠 设的第一硅衬底和 第二硅衬底， 所述第一硅衬底与所述第二硅衬底连接的一侧设有所述气 体腔室和所述压力腔室， 所述第二硅衬底上形成有所述压敏电阻， 所述第二硅衬底背离所 述第一硅衬底的一侧设有所述 绝缘层。 7.根据权利要求5所述的气体与压阻式压力传感器， 其特征在于， 所述绝缘层包括沿远 离所述基底的方向依次叠 设的第一子绝缘层、 第二子绝缘层、 第三子绝缘层、 第四子绝缘层 及第五子绝缘层， 所述加热件设置在所述第三子绝缘层内， 所述敏感电极形成在所述第 五 子绝缘层背离所述第四子绝 缘层的一侧。 8.根据权利要求7所述的气体与压阻式压力传感器， 其特征在于， 所述第 二子绝缘层和权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115420339 A 2所述第四子绝缘层均为氮化硅层， 所述第一子绝缘层、 所述第三子绝缘层和所述第 五子绝 缘层均为氧化硅层。 9.根据权利要求5所述的气体与压阻式压力传感器， 其特征在于， 所述加热件呈蛇形且 为钛电极或者钨电极， 所述敏感电极为 钛插指电极或者铂插指电极。 10.根据权利要求5所述的气体与压阻式压力传感器， 其特征在于， 所述气体与压阻式 压力传感器还包括用于检测温度的温度检测电极， 所述温度检测电极设置在所述绝缘层的 边缘。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115420339 A 3