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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210910525.3 (22)申请日 2022.07.29 (71)申请人 芯河半导体科技 (无锡) 有限公司 地址 214135 江苏省无锡市新吴区菱湖大 道200号中国传感网国际创新园E1- 301室 (72)发明人 顾江波  (74)专利代理 机构 北京神州信德知识产权代理 事务所(普通 合伙) 11814 专利代理师 朱俊杰 (51)Int.Cl. G06F 9/50(2006.01) G06F 12/02(2006.01) G06F 12/10(2016.01) (54)发明名称 一种系统DDR内存可使用容量的自动化识别 方法 (57)摘要 本发明提出了一种系统DDR内存 可使用容量 的自动化识别方法, 通过多次读写DDR地址边界, 根据地址卷绕空间的大小, 自动识别DDR类协议 可使用内存容量; 本发明原理简单, 实现方便, 在 DDR类内存系统中具有普适性, 无论DDR/LPDDR/ GDDR/HBM等, 可无缝拓展迁移, 在初 始化配置DDR 子系统的过程中, 增加了软件自动化程度, 减少 后续维护成本 。 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 CN 115269191 A 2022.11.01 CN 115269191 A 1.一种系统DDR内存可使用容量的自动化识别方法, 其特征在于, 该方法包括如下步 骤: S1完成DDR的常规初始化; S2根据DDR最大设计内存容量, 按照ROW/BANK/COL  DDR物理地址排列顺序, 配置DMC系 统地址到DDR物理地址的映射关系; S3根据DDR所外接的DRAM内存颗粒容量的规格, 确定相应容量的边界地址, 并向所述边 界地址写入特定的数据值; S4根据读取DDR最大容量边界地址所获取的数据 值, 自动识别出DDR实际可用的内存容 量。 2.根据权利要求1所述的一种系统DDR内存可使用容量的自动化识别方法, 其特征在 于: 所述步骤S3中, 首先确 定DDR最大容量的边界地址并写入相应的特定数据值, 然后逐级 向低容量的边界地址写入相应的特定数据值。 3.根据权利要求1所述的一种系统DDR内存可使用容量的自动化识别方法, 其特征在 于: 依次读取DDR各容量边界地址, 获取相应的数据值, 将读取到的数据值与所写入相应容 量边界地址的数据值进行比较, 根据卷绕的原理, 由所获取到的数据值即可自动确定真正 DDR所外接的DRAM可使用容 量, 即DDR实际可用的容 量。权 利 要 求 书 1/1 页 2 CN 115269191 A 2一种系统D DR内存可使用容量的 自动化识别方 法 技术领域 [0001]本发明涉及DDR技术领域, 尤其涉及一种系统DDR内存可使用容量的自动化识别方 法。 背景技术 [0002]DDR(Double  Data Rate, 代表双倍数据速率)是目前最常见的内存接口, 绝大多数 芯片都需要用到内存, 尤其是SOC(System  on a Chip), 片上系统)芯片。 SOC芯片内通常需 要集成一个DMC(DDR控制器), 将来自内部业务上游的读写命令, 解释, 调度转化为标准DDR 接口命令与DRAM(Dynamic  Random Access Memory, 动态随机存取存储器)颗粒存取数据; 这其中很重要的一项也是本专利重点关注的便是将来自上游 业务的读写地址映射为DDR接 口物理地址。 DDR作为世界最通用的技术协议家族之一, 经过几十年的发展,从低速到高速 依次发展出D DR1/DDR2/DDR3/DDR4/DDR5, 以及其 他衍生类LPDD R/GDDR/HBM/等协议。 [0003]DDR接口总体分为两类信号:1)CA(控制)信号传递命令/地址; 2)DQ/DM/DQS(数据) 等信号传递数据, 如图1所示。 CA的地址信号由BA以及ADDR构成(ADDR在不同时钟周期又可 分为ROW地址跟COL地址), 所以BA与ADDR(ROW+COL)地址线位宽决定了DRAM最大可寻址范 围; DQ总的位宽 决定了整颗DRAM数据总线位宽; 寻址范围乘以数据总线位宽代表了该DRAM 支持的最大内存容量。 DRAM颗粒按照DQ位宽 区分, 有三种位宽规格——X4,X8,X16; 按照容 量区分则有四~五种规格(如DDR3就有512Mb, 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb等规格, 如图2所示8Gb规 格); DDR接口总线位宽设计为16bit, 如果用X16的DRAM颗粒, 只需要一颗(如图1, 图1即表达 的是与X16  DRAM颗粒对接的DDR接口构成。 ), 那么我们芯片的可使用内存大小就是这一颗 DRAM容量决定; 如果用X8的DRAM颗粒, 则需要两颗(如图3), 那么我们芯片的可使用内存大 小就是由这两颗DRAM容量决定; 如果用X4的颗粒, 则需要4颗, 那么我们芯片的可使用内存 大小就是由这四颗DRAM容量决定。 因为我们在设计SOC芯片时, 其DDR数据总线位宽已经确 定, 后期DDR内存可使用容量主要就由对接的DRAM颗粒的数量与容量决定, 而DRAM颗粒的容 量其实是由DQ位宽乘以2^(BA地址位宽+ROW地址位宽+COL地址位宽)决定, 因为2^(BA地址 位宽+ROW地址位宽+COL地址位宽)表示DRAM颗粒寻址空间, DQ位宽表示每个地址可存放的 数据bit。 当DDR总线总的数据位宽DQ确定, 无论我们最终用几颗DRAM颗粒拼接, 最终DRAM内 存可使用容量都仅仅由2^(BA地址位宽+ROW地址位宽+COL地址位宽)确定。 假设我们DDR3总 线数据位宽DQ设计为16bit, 内存容量需要8Gb,那么只需要一颗容量为8Gb的X16颗粒(三位 BA地址+16位ROW地址+10位COL地址=29), 或者是用两颗容量为4Gb的X8颗粒(三位BA地址+ 16位ROW地址+10位COL地址=29), 又或者是四颗容量为2Gb的X4颗 粒(三位BA地址+15位ROW 地址+11位COL地址=29), 这三种方案总的地址位宽是一样的, 都是29位。 注 意: 从这里我们 知道, DDR接口数据总线位宽确定的条件 下, 颗粒有效地址位宽决定了总的可使用DRAM内存 容量。 [0004]DRAM颗粒内存储架构如 图4所示: 以最基本的电容阵列来存储计算机逻辑bit信 息, 对电容的充放电来完成写读操作。 整体架构根据容量不同, 分为几个BANK(由CA 中的BA说 明 书 1/6 页 3 CN 115269191 A 3

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