SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 11210-1999 idt IEC444 -- 4: 1998 石英晶体元件参数的测量 第4部分：频率达30MHz 石英晶体元件负载谐振频率fL 和负载谐振电阻Rt.的测量 方法及其他导出参数的计算 Measurement of quartz crystal unit parameters Part 4: Method for the measurement of the load resonance frequency fz, load resonance resistance R,and the calculation of other derived values of quartz crystal units, up to 30 MHz 1999-08-26发布 1999-12-01实施 中华人民共和国信息产业部发布 目次 前言 IEC前言 1 范围 (1) ..... 2测量电路 (1) 3测量方法 (2) 附录A（标准的附录）关于负载电容器的使用建议 (3) 前言 本标准等同采用EC444=4:1988《石英晶体元件参数的测量第4部分：频率达30MHz 石英晶体元件负载谐振频率f和负载谐振电阻R的测量方法及其他导出参数的计算。） 这样，使我国石英晶体元件参数测量的电子行业标准与IEC石英晶体元件参数的测量标 准相一致，以适应此领域中国际技术交流和经济贸易往来迅速发展的需要，便于我国生产的 这类产品质量水平达到国际通用要求并在国际市场流通。 本标准与下述五项电子行业标准构成石英晶体元件参数测量的完整系列标准。 SJ/Z9154.1=87用元型网络零相位法测量石英晶体元件参数第一部分：用元型网 络零相位法测量石英晶体元件谐振频率和谐振电阻基本方法。 (idt IEC444 1:1986) SI/Z9154.2=87用元型网络零相位法测量石英晶体元件参数第二部分：测量石英晶 体元件动态电容的相位偏置法（idtIEC444=2:1980） SJ/Z9154.3-87用元型网络零相位法测量石英晶体元件参数第三部分：利用有并电 容C补偿的元型网络相位法测量频率达200MHz的石英晶体元件两 端网络参数的基本方法（idtIEC444-3:1986） SJ/T11211-1999石英晶体元件参数的测量第五部分：采用自动网络分析技术和误 差校正确定等效电参数的方法（idtIEC444-5-1995） SJ/T112121999石英晶体元件参数的测量第六部分：激励电平相关性（DLD）的 测量(idtIEC444=6-1995) 本标准的附录A为标准的附录。 本标准由电子工业部标准化研究所归口。 本标准由国营北京晨星无线电器材厂负贵起草。 本标准主要起草人：章怡、宋佩钰、邓鹤松、边一林。 IEC前言 准化组织。JEC的目的是促进电工电子领域中标准化问题的国际合作。为此目的，除其他活 动外，IEC发布国际标准。国际标准的制定由技术委员会承担，对所涉及内容关切的任何 IEC国家委员会均可参加国际标准的制定工作。与IEC有联系的任何国际、政府和非官方组 织也可以参加国际标准的制定。IEC与国际标准化组织（ISO）根据两组织间协商确定的条 件保持密切的合作关系。 技术委员会制定的，对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。 3）这些决议或协议以标准、技术报告或导则的形式发布，以推荐的形式供国际上使用， 并在此意义上，为各国家委员会认可。 4）为了促进国际上的统一，各IEC国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能采用 IEC标准。IEC标准与相应国家或地区标准之间的任何差异均应在国家或地区标准中指明。 国际标准EC444-4是由IEC第49频率控制和选择用压电与介电器件技术委员会制定 的。 本标准构成石英晶体元件参数的测量系列标准的第4部分。 IEC444-1构成第一部分：用元型网络零相位法测量石英晶体元件谐振频率和谐振电 阻的基本方法（第二版，1986)。 IEC444－2构成第二部分：测量石英晶体元件动态电路的相位偏置法（第一版，1980)。 IEC444-3构成第三部分：利用有并电容Co补偿的元型网络相位法测量频率达200MHz 的石英晶体元件两端网络参数的基本方法（第一版，1986)。 本标准文本以下列文件为依据： 表决报告 二月法规则 表决报告 六月法规则 49（CO)175 49 (CO) 178 49 (CO) 156 49（CO）183，183A 表决批准本标准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。 本标准引用了下列IEC标准： 122-1（1976)：频率控制和选择用石英晶体元件第一部分：标准值和试验条件，包 括修改1（1983)。 、122-2（1983)：频率控制和选择用石英晶体元件第二部分：频率控制和选择用石英 晶体元件使用指南 302（1969）：工作频率达30MHz的压电振子的标准定义和测量方法 444－1（1986)：石英晶体元件参数的测量第一部分：用元型网络零相位法测量石英 晶体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法 444-2（1980）：石英晶体元件参数的测量第二部分：测量石英晶体元件动态电路的 相位偏置法 中华人民共和国电子行业标准 石英晶体元件参数的测量 第4部分：频率达30MHz石英晶体元 件负载谐振频率f.和负载谐振电阻R, SJ/T 112101999 idt IEC444 - 4:1988 的测量方法及其他导出参数的计算 Measurement of quartz crystal unit parameters Part 4: Method for the measurement of the load resonance frequency fL, loed reaonance reaistance R, and the calculation of other derived valuses of quartz crystal units, up to 30 MHz 1 范圈 测量方法。从这两项测量可计算出由IEC122-1修改1中定义的负载谐振频率偏置△fL，频 率牵引范围△fi,和牵引灵敏度S。 本方法采用的是测量串联谐振频率f,和当与晶体元件串联一个负载电容CL时产生的f 的变化（即fi)。测量准确度主要由频率测量的准确度和负载电容校准的准确度决定。 应当注意，当进行晶体元件的负载谐振频率测量时，可获得的准确度是晶体元件设计和 负载电容值的函数，还与测量的方法有关。 有关的一般性有用资料可参见EC122-2。 2测量电路 2.1测量电路由IEC444=1中所规定的零相位元网络系统构成，该网络中能够在晶体元件 引出端和元网络的接触片之间放人一已校准的负载电容器，以获得规定的负载电容值。 负载电容器应可更换和可互换，以便使得串联谐振测量时和一个或多个负载电容的负载 谐振测量时能够在同一个测量的系统中进行，而无测量系统的扰动。 2.2关于负载电容器的典型设计的概述和接入元网络的方法及其测量误差在附录A中给 出。 2.3负载电容器的技术要求 中华人民共和国信惠产业部1999-08-26发布 199912-01实施 SJ/T 11210 -1999 2.3.1负载电容器的剩余电感应小于10-9H。 2.3.2规定的标称值允许偏差在频率达1MHz时应不大于±0.1pF。 2.3.3负载电容器的串音电容应小于0.05pF。串音电容可按录A所述测量。 2.3.4负载电容器的温度系数25℃为基准，应小于30×10-6/℃。 3测量方法 3.1初始调整 零相位元网络系统的校准和初始调整按IEC444-1第6章的规定进行。 3.2系统中（见3.1条）所用的基准电阻能够从网络中取出，并能替代晶体元件及其相应 的负载电容。在零相位时测量负载谐振频率fi，而负载电阻Rt是由IEC444-1的6.2条所 规定的Vs和VAs值计算得到的。这些测量所用的负载电容应具有小于2.3.2条规定的允许偏 差（标准值在IEC122-1第5条中给出）。 3.3通过上述测量，可以计算由IEC122-1修改1中定义的负载谐振频率偏置Afi，频率 牵引范围Af，和牵引灵敏度S。 3.4采用IEC302中2.3.2条的公式，也能够计算动态电容C1和动态电感L1。 一2- SJ/T112101999 附录A (标准的附录) 负载电容器的使用建议 A1负数电容器设计 A1.1机械特征 符合2.3条要求的任何设计都是适宜的。按下述方案设计的负载电容器符合这些要求。 电容器由两个电容性元件构成，电容性元件焊接到玻璃纤维基底的铜层来固定其边缘， 如图A1所示。 电容性元件为镀有铬镍金合金的薄镀层陶瓷基片。 该组件每面再镀0.3mm厚的钢层。最终的镀层是5um厚的金。 该结构由图A1示出。 负载电容器的两部分大致相等，每部分的值为2C，Cr就是需要的负载电容值。 可以通过腐蚀边缘调整电容值，以符合2.3.2条给出的负载电容器技术要求的规定极 限。 A1.2插人元网络 图A2示出了负载电容器如何插入元网络，以使得负载电容器放入网络的一个触点和晶 体元件引出端之间。图A3示出了晶体元件和负载电容器就位后的电路图。 应当采取措施，使得负载电容器放在与元网络选用垂直的位置。 A1.3负载电容器的校准和测量 A1.3.1负载电容器的校准应使用适用的可做单端口电容器测量（另一引出端接地）的电 容计在频率为1MHz时进行。步骤如下： A1.3.2测量未插入负载电容器时电容计的测试夹具的电空值Ci。 A1.3.3插人负载电容器并测量它的两个部