L 90 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 10584—94 微电子学光掩蔽技术术语 Terms ofphotomaskingtechnology for microelectronics 1994-08-08发布 1994-12-01实施 中华人民共和国电子工业部发.布 目 次 1.图形术语 (1) 2.感光材料术语 (3) 3.掩模版术语 (5) 4.噪光和蚀刻术语 (7) 5.电子束制版术语 (O1) 6.掩模质量参数术语· (13) 7.掩模设备术语 (18) 8.附录A汉语索引（补充件） (20) 9.附录B 英文索引（补充件） (24) 中华人民共和国电子行业标准 微电子学光掩蔽技术术语 SJ/T10584—94 Terms of photomasking technology for microelectronics 本标准规定了微电子学光掩蔽技术的有关术语。 本标准适用于微电子学光掩蔽技术的科研、生产、教学、贸易和技术交流。 1图形术语 1.1底图 Hmasterdrawing 用来制作原图的原始图样。 1.2原图 artwork 用绘制方法，或在玻璃板和在薄膜基片上，用切割、剥离掩蔽膜的方法而形成的图形，经 接触复印或将其缩小并分步重复照相后，可制成光掩模或中间掩模。 1.3布局图layout 以适当位暨排列出的单个器件所要求的全部几何图形组成的放大图样。 1.4组合图compositedrawing 包含单个器件要求的所有几何图形，并以适当方位排列的放大图样。用作红膜人工切割 的准则或计算机辅助设计（参见CAD)的数字化准则。在初缩版产生的各个阶段绘制的 一系列彩色图，也可认为是组合图。组合图适用于检查设计误差。 注：器件包括分立器件和集成电路。 同义词：原图；设计图（工程图）。 1.5图象image 布图中呈现的任何单元的几何图形。（1)作为底图或布图一部分的绘制图形。（2)投影在 屏幕上或目视的光学图象，通常经过按比例的放大或缩小。（3）被氧化的硅片上刻蚀出的 二氧化硅图（含其它介质层）。（4）光掩模上照相底片或干板乳胶层中的图象。（5)涂在基 片上的光致抗蚀剂层经曝光和显影后生成的图形。 同义词：图形。 1.6功能图形functionalpattern 使用光致抗蚀剂涂层的特定制造工序所要求的全体同类图象。如：在蚀刻集成电路的基 区氧化层的典型工艺中，功能图形包括呈现在此工序中架成电路布局图上的所有基区扩 散电阻窗口、电极窗口、基区测试图以及对准标记。 1.7测试图形testpattern 中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准 1994-12-01实施 SJ/T10584—94 在光掩模上用于对准、测试或两者兼用的图形。 1.8阵列array 作为一个整体呈现在基片上或由分步重复在照相材料上所产生的全部同类功能图形。 1.9行row 沿光掩模X轴排列的功能图形族。 1.10列column 沿光掩模Y轴排列的功能图形族。 1.11基元element 组成光掩模阵列的任一构件。基元可构成用以制造单个集成电路的功能层，或构成供测 试用的图形（可代替芯片、管芯）。 1.12单元singlesegment 利用缩图法从原图得到的一个单→功能图形。单一功能图形可以是一个器件或是有一 定电学功能的模块。将其分步重复可形成功能图形阵列。 1.13功能基元functionalelement 构成器件并对该器件执行电学功能所不可缺少的相互邻接的任一构件。例如：扩散区、 沟道、栅、电极接触孔等等。不包括划片线、套准标记、标签等。 1.14场field 指在器件制造中限定图形不受影响的背景区域。对于用来制备金属互连线的掩模来说， 代表无金属的区域即为"场”。图象的极性以场的外观状态命名，即明场、暗场（不透明 场）。给场下定义要谨慎，因为某些器件中“场”并不总是代表较大的区域，其整体外观容 易摘错。某些器件可能有埋层扩散，如覆盖面积占80%，剩下的20%即“场”。在场区面 积小于器件面积50%时，在很多情况下难以区别。这时要确定场，就要根据制造工艺的 有关知识。 反义词：有源区；几何图形；沟道；扩散区。 1.15间原 space 图形几何结构之间的区域。也称邻近图形间的场。此间隙常规定为极限尺寸。 1.16暗区darkarea 掩模中不透光的区域。 1.17透光区transparentarea 掩模中透光的区域。 1.18补偿线serif 原图中用于防止线端倒角的补偿图形。 1.19倒角fillet 在两线条交叉部或线端部因象差形成圆角。 1.20 图形间隔clearance 相邻图形间边缘的最短距离。 1.213 交送区overlap 为保证在分步重复中的图形连续性，原图上超出芯片实际边缘的附加区域。 1.22 X轴Xaxis 平面笛卡尔坐标系的水平轴或自左向右的轴。经分步重复将沿此轴布局为功能图形的 2- SJ/T1058494 行。 1.23Y轴Yaxis 平面笛卡尔坐标系的与X轴正交的纵向轴。经分步重复将沿此轴布局为功能图形的 列. 1.24夫琅荷费衍射图FRAUNHOFERdiffractionpattern 在成象系统中，当光源和观察衍射平面均与衔射屏距离无限远的场合，所观察到的衍射 图。而在成象衍射系统中，来自无穷远处的光源（或通过聚光镜形成的平行光），以过透 镜、反射镜焦后，在观察平面上也可呈现夫琅荷费衔衍射图。 1.25菲涅耳衍射图FRESNELdiffractionpattern 波场中任一点的辐射强度是波阵面上所有次波到达该点所引进振动相干叠加的结果， 即呈现菲涅耳衍射图。在无成象系统中光的衍射现象可分为菲涅耳衍射和夫琅荷费衍 射两种，前者如同接触复印那样，观察衍射图的平面离衍射屏距离较近，又称近场衔射， 而后者为远场衍射。 1.26衍射图空间性spatialdiffractionpattern 因衍射波的干涉，在观察平面上产生的光强变化。 1.27空间相千性spatialcoherence 空间不同点电磁的相关性。可用非单色源实现。 1.28时空相干性temporalcoherence 空间同一点在不同时刻电磁场的相关性，与非单色源有关。 1.29刮膜scribing 在制作原图时，把不透明涂层从刻图模基片上刮掉的工艺。例如使用刀状切割工具，并 使刀口平搁在基片材料面上进行。 1.30刻膜和剥膜cutandpeel 沿选定区域周界剥离柔性透明基片上下不需要部分的漆膜，以产生原图的工艺。 1.31过度划刻overcut 用切割工具刻划时超过了图形的边界或刻痕过深而损伤基片。 1.32可剥离漆层peelablelacquer 在柔性透明基片上涂覆的一层漆膜，刻膜工艺中当刻刀沿某区域四周的刻痕穿过漆膜 延伸到基片时，该区域的漆膜可被剥离。 2感光材料术语 2.1乳胶emulsion 在明胶或火棉胶里的银盐悬浮液。涂覆在基片或感光材料上，经曝光显影可制成光掩模。 2.2乳胶板emulsionphotoplate 在半导体掩模工艺中的感光板，在其表面上涂覆了一层可被感光形成图形的感光乳胶， 如卤化银乳剂。 同义词：干板；超微粒干版。 2.3感光板photographicplate 涂覆了感光乳胶的硬性透明玻璃或塑料板状材料。 2.4敏化感光板 sensitizedphotoplate 3 SJ/T10584—94 半导体成象技术中，用辐照感材料涂覆的感光板。 2.5抗蚀剂resist 在半导体成象工艺中，用来掩蔽或保护衬底材料部分或全部表面，避免其在工艺流程中 起变化的一类对辐照敏感并可构成图形的材料。 2.6光致抗蚀剂photoresist 又称光刻胶。以适当厚度涂覆于基片上，经正常曝光和显影后可形成图形层，用来有选择 地掩蔽或保护基片表面，使被保护的基片表面在相应工艺流程中免于发生变化的高分子 辐照敏感材料。 同义词：光刻胶。 .2.7正性光致抗蚀剂 Jpositivephotoresist 涂覆于基片上，经选择性照噪光后，其曝光区域可由显影剂溶解的光致抗蚀剂。 同义词；正胶。 2.8负性光致抗蚀剂 negativephotoresist 涂覆于基片上，经选择性辐照曝光后，其曦光区域可抵抗显影剂溶解作用的光致抗蚀剂。 同义词：负胶。 2.9匀胶铬板chromiumphotoplate 在覆盖铬膜的玻璃（或石英玻璃)基片上涂覆有光致抗蚀剂层的感光板。 2.10涂覆coating 用浸渍、喷涂或旋涂等方法在基片表面上覆盖一层光致抗蚀剂的工艺，以及用这种工艺 施加的其它覆盖。 2.11浸渍涂覆dippingcoating 把基片浸入涂覆材料的溶液中再提起来的操作方法。 2.12旋涂spincoating 把滴有液态涂覆材料的基片绕垂直于自身表面的轴旋转的涂覆方法。 2.13旋涂胶丝spinwebbing 在旋涂时，从基片表面甩出来的过蛋的光刻胶细丝。 2.14喷涂aprayingcoating 将涂覆材料喷酒在基片上的操作方法。 2.15光致抗蚀剂涂覆photoresistcoating 把光致抗蚀剂涂在基片上的工艺。 2.16光致抗蚀剂固化photoresistcure 消除光致抗蚀剂粘稠、柔软、流动性、粘附力差等不良性能的工艺。如高温烘烤工艺。 同义词：坚模。 2.17光刻胶前烘photoresistprebake 光刻胶涂层曝光前的热处理。 2.18 光刻胶后烘photoresistpost-bake 光刻胶涂层显影后的热处理。 2.19去胶stripping 全部去除光刻胶的工艺。 2.20去胶溶液stri