GJB 中华人民共和国国家军用标准 GJB 548C-2021 FL 6130 代替GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 Test methods and procedures for microelectronic devices 2021-12-30发布 2022-03-01实施 中央军委装备发展部颁布 GJB 548C-2021 目 次 前言 范围· 2引用文件 3术语和定义 4 一般要求· 4.1 试验方法的编号 ...3 4.2 试验结果 4.3 试验样品的处理· 4.4 器件的取向· 4.5 试验条件 4.6 一般注意事项· 4.7 可回收、循环利用或利于环保的材料· 5 详细要求 方法1001 低气压(高空工作) 方法1002 浸液··· 10 方法1003 绝缘电阻· 方法1004.1 耐湿· .·14 方法 1005.1 稳态寿命· 方法1006 间歇寿命… 方法1007 模拟寿命· 24 方法1008.1 稳定性烘焙· ..25 方法1009.2 盐雾· 方法1010.1 温度循环 ·32 方法1011.1 热冲击· -34 方法1012.1 热性能· 36 方法1013.1 露点· 方法1014.3 密封 ..46 方法1015.1 老炼· 60 方法1016寿命/可靠性· ...64 方法1017.1 中子辐射 方法1018.2 内部气体成分分析· ·73 方法1019.3 电离辐射(总剂量) 77 方法1020.2 剂量率感应锁定 方法 1021.1 数字微电路的剂量率翻转· 方法1022MOS场效应晶体管阙值电压? 66.. 方法1023.1线性微电路的剂量率响应和翻转阅值· ·102 方法1030.1 密封前老炼· ·110 GJB 548C-2021 方法1031 薄膜腐蚀 ..113 方法1032 封装引起的软错误· ·115 方法1033 写/擦疲劳寿命· ·118 方法1034.1 染料渗透· -120 方法2001.1 恒定加速度 -123 方法2002.1 机械冲击 ·124 方法2003.2 可焊性·· ...126 方法2004.3 引线牢固性· ·143 方法2005.1 振动疲劳· ...153 方法2006 振动噪声.. 155 方法2007 扫频振动· ·156 方法2009.2 外部目检· 157 方法2010.2 内部目检(单片电路) ·163 方法2011.2 键合强度(破坏性键合拉力) ·197 方法2012.2 X射线检查… ..210 方法2013 破坏性物理分析(DPA)的内部目检· 222 方法2014 内部目检和结构检查 ·223 方法2015.2 耐溶剂性· ·224 方法2016 外形尺寸 -226 方法2017.2 内部目检(混合电路) 227 方法2018.2 扫描电子显微镜(SEM)检查 ·242 方法2019.3 芯片剪切强度 -266 方法2020.2 粒子碰撞噪声检测· -270 方法2021 玻璃钝化层的完整性 ..274 方法2022.2 可焊性(浸润法)…. -278 方法2023.3 非破坏性键合拉力· 281 方法2024 玻璃熔封盖板的扭矩· ·289 方法2025.1 引线涂覆附着力· ··292 方法2026.1 随机振动· .··293 方法2027.1 芯片粘结强度 *297 方法2028 针栅阵列封装的破坏性引线拉力 ·299 方法2029 陶瓷片式载体焊接强度(破坏性推力)， .300 方法2030.1 芯片粘接的超声检测· .302 方法2031 倒装片拉脱· ...307 方法2032.1 无源元件的目检· 309 方法2035 载带自动焊焊接质量的超声检测 .·350 方法2036 耐焊接热· 354 方法2037 铅锡焊料成分分析-X射线荧光检测· 358 方法2038 焊柱阵列封装的破坏性引线拉力 363 方法3015.1 静电放电敏感度的分级 *364 方法3023 集成电路锁定 369 方法5001 参数平均值控制· ·370 方法5002 参数分布控制· ·371 II GJB 548C-2021 方法5003微电路的失效分析程序 372 方法5004.3 筛选程序· ·377 方法5005.3 鉴定和质量一致性检验程序， ·394 方法5006 极限试验·· 403 方法5007.2 晶圆批验收 -406 方法5008 混合和多片微电路的检验程序. ...408 方法5009.1 破坏性物理分析.· ..409 方法5010.3 复杂单片微电路检验程序… .410 方法5011 聚合物材料的评价和验收程序. ·431 方法5012 数字微电路的故障覆盖率测量· 442 方法5013.1 GaAs工艺的晶圆制造控制和接收程序。 ·451 II GJB 548C-2021 前言 本标准代替GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》。 本标准与GJB548B-2005相比主要变化如下： a）正文 1）更新并增加了引用文件； 2）增加了失效模式、失效机理、标准物质等术语定义； 3）增加了电测试应在最坏电源电压条件下进行的要求； 4）细化了电测试温度控制要求(尤其对于混合电路)。 b）方法1012.1热性能 1）基于当前红外热像设备大多已具备辐射率修正能力，将涂漆要求改为可选操作； 2）增加了涂层材料对峰值结温的影响说明。 c）方法1014.3密封 1）增加了A5试验条件； 2）提高了宇航级混合集成电路器件漏率失效判据； 3 细化了氨质谱检漏法固定方法的内腔容积分段； 4) 增加了累积氨质谱检漏法； 5 细化了光学检漏法有关要求。 d）方法1017.1中子辐射 1）增加了部分术语定义； 2）细化了辐射源要求，增加了电离总剂量限制指标。 e）方法1018.2内部气体成分分析 1）删除了程序2和程序3； 2） 细化了质谱仪的校准要求； 3）增加了真空箱和传递通道的描述； 4） 增加了实验室应提供对未知或已存在但未达到识别浓度的气体质谱描述说明的规定； 5）增加了实验室无权判定器件合格或不合格的规定。 f) 方法1019.3电离辐射(总剂量) 1）增加了部分术语定义； 2）增加了低温辐射试验规定； 3）增加了使用干冰保存样品的规定； 4）增加了低剂量率增强效应(ELDRS)的判定试验和表征试验。 g）方法1020.2剂量率感应锁定 剂量测量系统中增加了闪烁探测器和康普顿二极管。 h）方法1034.1染料渗透 1）增加了试验设备，并细化了规格参数； 2）修改了浸渗剂粘度； 3）增加了正常明视场条件下的剖面拍照要求。 i）方法2003.2可焊性 1）增加了部分术语定义； IV GJB 548C-2021 前言 本标准代替GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》。 本标准与GJB548B-2005相比主要变化如下： a）正文 1）更新并增加了引用文件； 2）增加了失效模式、失效机理、标准物质等术语定义； 3）增加了电测试应在最坏电源电压条件下进行的要求； 4）细化了电测试温度控制要求(尤其对于混合电路)。 b）方法1012.1热性能 1）基于当前红外热像设备大多已具备辐射率修正能力，将涂漆要求改为可选操作； 2）增加了涂层材料对峰值结温的影响说明。 c）方法1014.3密封 1）增加了A5试验条件； 2）提高了宇航级混合集成电路器件漏率失效判据； 3 细化了氨质谱检漏法固定方法的内腔容积分段； 4) 增加了累积氨质谱检漏法； 5 细化了光学检漏法有关要求。 d）方法1017.1中子辐射 1）增加了部分术语定义； 2）细化了辐射源要求，增加了电离总剂量限制指标。 e）方法1018.2内部气体成分分析 1）删除了程序2和程序3； 2） 细化了质谱仪的校准要求； 3）增加了真空箱和传递通道的描述； 4） 增加了实验室应提供对未知或已存在但未达到识别浓度的气体质谱描述说明的规定； 5）增加了实验室无权判定器件合格或不合格的规定。 f) 方法1019.3电离辐射(总剂量) 1）增加了部分术语定义； 2）增加了低温辐射试验规定； 3）增加了使用干冰保存样品的规定； 4）增加了低剂量率增强效应(ELDRS)的判定试验和表征试验。 g）方法1020.2剂量率感应锁定 剂量测量系统中增加了闪烁探测器和康普顿二极管。 h）方法1034.1染料渗透 1）增加了试验设备，并细化了规格参数； 2）修改了浸渗剂粘度； 3）增加了正常明视场条件下的剖面拍照要求。 i）方法2003.2可焊性 1）增加了部分术语定义； IV GJB 548C-2021 前言 本标准代替GJB548B-2005《微电子器件试验方法和程序》。 本标准与GJB548B-2005相比主要变化如下： a）正文 1）更新并增加了引用文件； 2）增加了失效模式、失效机理、标准物质等术语定义； 3）增加了电测试应在最坏电源电压条件下进行的要求； 4）细化了电测试温度控制要求(尤其对于混合电路)。 b）方法1012.1热性能 1）基于当前红外热像设备大多已具备辐射率修正能力，将涂漆要求改为可选操作； 2）增加了涂层材料对峰值结温的影响说明。 c）方法1014.3密封 1）增加了A5试验条件； 2）提高了宇航级混合集成电路器件漏率失效判据； 3 细化了氨质谱检漏法固定方法的内腔容积分段； 4) 增加了累积氨质谱检漏法； 5 细化了光学检漏法有关要求。 d）方法1017.1中子辐射 1）增加了部分术语定义； 2）细化了辐射源要求，增加了电离总剂量限制指标。 e）方法1018.2