GJB 中华人民共和国国家军用标准 FL 6131 GJB128B-2021 代替GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 Test methods for discrete semiconductor devices 2021-12-30发布 2022-03-01实施 中央军委装备发展部颁布 GJB128B-2021 目 次 前言 范围 引用文件 缩略语 般要求· 4.1 试验条件. 4.2 取向 4.3 般注意事项 4.4 4.5 高温反偏和老炼要 4.6 偏置要求· 4.7 破坏性试验· 4.8 非破坏性试验 4.9 实验室的资质… 4.10 可循环利用、可回收和环保材料· 5 详细要求· 6 名词和符号解释 1000系列 环境试验方法· 方法1001 低气压… 方法1011 浸渍…… 方法1015 稳态一次光电流辐射程序（电子束） 方法1016 绝缘电阻· 方法1017 中子辐射 方法1018 内部气体成分分析 方法1019 稳态总剂量辐照程序 方法1020 静电放电敏感度分类. 方法1021 耐湿·· 33 方法1027 稳态工作寿命… 36 方法1032 高温寿命(非工作)： 方法1033 反向漏电流稳定性 方法1037 间歇工作寿命 39 方法1038 老炼(二极管、整流管、电压调整和电压基准管) 方法1039 老炼(晶体管) 方法1040 老炼（闸流晶体管） 方法1041 盐气(侵蚀) 方法1042 老炼和寿命试验[功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管(IGBT) 48 方法1046 盐雾(腐蚀) 52 GJB128B-2021 方法1049 阻断寿命 方法1051 温度循环（空气 57 方法1054 灌注环境应力试验 方法1055 监测任务温度循理 60 方法1056 热冲击(液体一液体) 62 方法1057 玻璃抗裂性 方法1061 管壳和螺栓温度测量· 方法1066 露点· 方法1071 密封… 68 方法1080 单粒子烧毁和单粒子栅穿测试 83 2000系列 机械性能试验： 91 方法2005 轴向引线抗拉试验 方法2006 恒定加速度· 92 方法2016 冲击 93 方法2017 芯片粘附强度· 94 方法2026 可焊性 98 方法2031 耐焊接热 111 方法2036 引出端强度· 方法2037 键合强度(破坏性键合拉力试验)· 118 方法2038 金属电极无引线玻璃封装器件引出端强度和整体安装强度试验· ·123 方法2046 振动疲劳· 方法2051 振动噪声 126 方法2052 粒子碰撞噪声检测试验· 127 方法2056 扫频振动 方法2057 扫频振动(监测) ·132 方法2066 物理尺寸 ·133 方法2068 方法2069 封帽前目检(功率金属氧化物半 导体场效应晶体 方法2070 封帽前目检（微波分立和多芯片晶体管 145 方法2071 外观及机械检验 160 方法2072 封帽前目检（晶体管） ·170 方法2073 芯片目检(半导体二极管） 方法2074 内部目检（半导体二极管)· 方法2075 开帽内部设计目检 方法2076 X射线照相 ·220 方法2077 金属化扫描电子显微镜（SEM)检查 ·230 方法2081 正向不稳定性冲击FIST) .··249 方法2082 反向不稳定性振动(BIST) ..·250 方法2101 二极管的破坏性物理分析(DPA)程序 ·251 3000系列 晶体管的电特性测试 257 方法3001 集电极-基极击穿电压 257 方法3005 脉冲烧毁 258 方法3011 集电极-发射极击穿电压 ·259 II GJB128B-2021 方法3015 漂移· ·260 方法3026 发射极-基极击穿电压 ·261 方法3030 集电极-发射极电压· ·262 方法3036 集电极-基极截止电流 .··263 方法3041 集电极-发射极截止电流 .··264 方法3051 安全工作区(直流） ·265 方法3052 安全工作区（脉冲) ·266 方法3053 安全工作区（开关） ·267 方法3061 发射极-基极截止电流 ·269 方法3066 基极-发射极电压（饱和或非饱和)· ·270 方法3071 饱和压降和电阻· ·271 方法3076 正向电流传输比 272 方法3086 静态输入电阻 ·273 方法3092 静态跨导 ·274 3100系列 热特性测试 ·275 方法3100 半导体分立器件老炼和寿命试验中的结温测量 ·275 方法3103 绝缘栅双极型晶体管热阻抗测试 ..285 方法3104 砷化场效应晶体管的热阻抗测试（恒流正偏栅极电压法） ·292 方法3161 绝缘栅功率场效应晶体管热阻抗测试(变量源一漏电压法) ·298 3200系列 低频测试 304 方法3201 小信号短路输入阻抗 ·304 方法3206 小信号短路正向电流传输比 ·305 方法3211 小信号开路反向电压传输比· 306 方法3216 小信号开路输出导纳· ·307 方法3221 小信号短路输入导纳. 方法3231 小信号短路输出导纳 ·309 方法3236 开路输出电容 ·310 方法3240 输入电容(输出开路或短路) .·311 方法3241 引线间的静电容 .312 方法3251 脉冲响应 ·313 方法3255 大信号功率增益 ·315 方法3256 小信号功率增益 ·316 方法3261 外推单位增益频率 ·318 方法3266 小信号短路输入阻抗的实部· .319 3300系列 高频测试· ·320 方法3301 小信号短路正向电流传输比截止频率 ·320 方法3306 小信号短路正向电流传输比.· 方法3311 最高振荡频率…· ·322 方法3320 射频输出功率、射频功率增益和集电极效率· ·323 3400系列 MOS场效应晶体管电特性测试. ·329 方法3407 漏-源击穿电压· ·329 方法3472 开关时间测试 ·330 方法3478 功率晶体管电剂量率测试方法 ·332 II GJB128B-2021 3500系列 砷化镓场效应晶体管电特性测试： 337 方法3505 砷化镓场效应晶体管1dB压缩输出功率（PidB） ·337 方法3510 砷化场效应晶体管的1dB压缩增益（G1dB） 338 方法3570 砷化镓场效应晶体管的正向增益(S21幅值)· ·339 方法3575 砷化场效应晶体管的正向跨导 ·340 4000系列 二极管电特性测试· ·341 方法4011 正向电压 341 方法4016 反向漏电流 ·342 方法4021 击穿电压(二极管)： ·344 方法4022 击穿电压（电压调整二极管和电压基准二极管) ·345 方法4023 二极管特性曲线· 方法4031 反向恢复特性. ·353 方法4041 整流效率· ·362 方法4046 平均反向电流· ·363 方法4051 小信号反向击穿阻抗 ·364 方法4056 小信号正向阻抗· 365 方法4061 贮存电荷 .·366 方法4064 肖特基二极管雪崩能量试验 方法4066 浪涌电流 ·371 方法4071 击穿电压温度系数： 375 方法4076 饱和电流· ·376 4200系列 闸流晶体管电特性测试 ·377 方法4216 脉冲响应· 方法4219 反向控制极电流. 方法4225 控制极控制的关断时间 ·380 4300系列 隧道工极管电特性测试 ··382 方法4301 结电容 382 方法4306 隧道二极管的静态特性 ....383 方法4316 串联电感. ·385 方法4321 负阻· ·386 方法4326 串联电阻· ·388 方法4331 开关时间· ·389 5000系列 高可靠空间应用试验· ·390 方法5002 确定氧化层质量的电容一电压测量 ·390 方法5010 洁净间和工作台空中尘粒分级及测量· 394 IV GJB128B-2021 3500系列 砷化镓场效应晶体管电特性测试： 337 方法3505 砷化镓场效应晶体管1dB压缩输出功率（PidB） ·337 方法3510 砷化场效应晶体管的1dB压缩增益（G1dB） 338 方法3570 砷化镓场效应晶体管的正向增益(S21幅值)· ·339 方法3575 砷化场效应晶体管的正向跨导 ·340 4000系列 二极管电特性测试· ·341 方法4011 正向电压 341 方法4016 反向漏电流 ·342 方法4021 击穿电压(二极管)： ·344 方法4022 击穿电压（电压调整二极管和电压基准二极管) ·345 方法4023 二极管特性曲线· 方法4031 反向恢复特性. ·353 方法4041 整流效率· ·362 方法4046 平均反向电流· ·363 方法4051 小信号反向击穿阻抗 ·364 方法4056 小信号正向阻抗· 365 方法4061 贮存电荷 .·366 方法4064 肖特基二极管雪崩能量试验 方法4066 浪涌电流 ·371 方法4071 击穿电压温度系数： 375 方法4076 饱和电流· ·376 4200系列 闸流晶体管电特性测试 ·377 方法4216 脉冲响应· 方法4219 反向控制极电流. 方法4225 控制极控制的关断时间 ·380 4300系列 隧道工极管电特性测试 ··382 方法4301 结电容 382 方法4306 隧道二极管的静态特性 ....383 方法4316 串联电感. ·385 方法43