ICS 17.100 N10 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 7483—2005 代替JB/T7483—1994 20553096 半导体电阻应变式力传感器 Semiconductorresistancestraingaugeforcestransducer/sensor 2005-05-18发布 2005-11-01实施 中华人民共和国国家发展和改革委员会发布 JB/T7483—2005 目 次 前言 1范围 2规范性引用文件 3产品分类. 3.1 传感器型号 3.2 传感器等级. 3.3 传感器额定负载 4技术要求 4.1外观.... 4.2 技术性能 4.3 耐环境试验性能 5试验方法， 5.1 试验条件. 5.2 外观检验. 5.3 输入电阻. 5.4 输出电阻. 5.5 绝缘电阻 5.6 零点输出 静态校准... 5.7 5.8 蠕变试验.. 5.9 短期零点稳定性 5.10 热零点漂移. 5.11 热灵敏度漂移 5.12 偏载影响 5.13 过载试验. 5.14 振动试验 5.15 冲击试验.. 5.16 温度变化试验， 5.17 恒定湿热试验， 5.18 疲劳寿命试验， 6检验规则.. 6.1# 检验分类。 6.2出厂检验. 8 6.3型式检验.. 7标志、包装、运输、贮存 7.1标志 10 7.2包装.. 7.3运输 10 JB/T7483—2005 7.4贮存， .10 表1传感器分类， 表2传感器性能参数 2 表3同心倾斜误差、偏心倾斜误差和偏心误差 表4 出厂检验项目、顺序、技术要求、检验方法及接收质量限（AQL） 8 表5试验项目、组别、顺序、技术要求和试验方法 9 图1 校准方框图. III JB/T74832005 前言 本标准是对JB/T7483一1994《半导体电阻应变式力传感器》的修订。 本标准与JB/T7483一1994相比，主要变化如下： 前调整1号。 -原条款5.2.1修订为条款4.2.1，表2中输出灵敏度由“大于40mV/V”修订为“大于等于10mV/V”。 “零点漂移”修订为“短期零点稳定性”；增加“注3”。 -原条款5.3.2～条款5.3.6修订为条款4.3.2～条款4.3.6，其中的“产品”修订为“传感器”。 -原条款6.7.1修订为条款5.7.1，图1中的“调零电位器”取消。 一原条款6.7.3取消。 △Lmax”修订为 -原条款6.7.10.3修订为条款5.7.9.3，其中的非线性计算公式由“8，： UFs "oL= UFS UFs [Urs -U] "8。 ×100%" Urs 原条款7.2.1的a）条取消。 -原条款7.3修订为条款6.3，其中的“周期检验”修订为“型式检验”，6.3.3条款中增加了“0” 组、“1”组和“2”组之间的关系和检验顺序。 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由机械工业仪器仪表元器件标准化技术委员会归口。 本标准由沈阳仪表科学研究院负责起草，蚌埠长达力敏仪器有限责任公司参加起草。 本标准主要起草人：刘剑、于振毅、徐秋玲、潘宿成。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： JB/T74831994。 V JB/T7483—2005 半导体电阻应变式力传感器 1范围 本标准规定了半导体应变式力传感器（以下简称传感器）的产品分类、技术要求、试验方法、检验 规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于半导体应变式力传感器的制造、验收和使用。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T2423.3一1993电工电子产品基本环境试验规程试验Ca：恒定湿热试验方法（eqVEC 60068-2-3:1984) GB/T2423.5一1995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击（idtIEC 60068-2-27:1987) GB/T2423.10-1995电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc和导则：振动（正弦） (idt IEC 60068-2-6:1982) GB/T2423.22—2002 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化（EC 60068-2-3:1984，IDT) GB/T2828.1—2003 3计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计 划（ISO2859-1：1999，DT) GB/T2829一2002周期检验计数抽样及表（适用于对过程稳定性的检验） GB/T7666传感器命名方法及代号 GB9969.1一1998工业产品使用说明书，总则 GB/T14436一1993工业产品保证文件总则 3产品分类 3.1传感器型号 3.1.1型号命名 根据GB/T7666的规定，半导体应变式力传感器型号命名采用如下形式： 结构型式代号（AK、AL、AS、AU） 被测量代号（L）(ZL) 传感器代号（C) 示例：CL一AK表示弹性体为连孔式结构的半导体应变式力传感器。