ICS 33.180 M 33 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 Technical specification of semiconductor laser chip used in optical fibercommunication 2010-01-01实施 2009-11-17发布 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T-11402-2009 前 言 本规范由中国电子技术标准化研究所归口。 本规范起草单位：武汉电信器件有限公司。 本规范主要起草人：王任凡、罗、飚。 制无效 权专有 版权专套 SJ/T114022009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范 范围 本规范规定了光纤通信用半导体激光器芯片（以下简称芯片）的术语和定义、分类、技术要求和可 靠性要求、检验规则、测量和试验方法、包装、贮存和运输等。 本规范适用于传输速率从155Mb/s至2.5_Gb/s的光纤通信系统中法布里-泊罗激光二极管（FP-LD） 和分布反馈激光二极管（DFB-LD）芯片的采购制造和质量控制。 规范性引用文件 2 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用手本规范。 GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件IEC_60747-5，IDT） GB/T21194—2007通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求 GJB.548A—19967微电子器件试验方法和程序 YD/T701--1993°半导体激光二级管组件测试方法 3缩略语、 符号、术语和定义 GB/T15651、 YD/T701一1993中确立的以及下列缩略语和符号适用于本规范 3.1缩略语 3. 1.1 FP fabry-perot 20T 法布里-泊罗 3.1.2 DFBdistributedfeedback 分布反馈 3.2术语、符号和定义 3.2.1 斜率效率slopeefficiency n 在阅值电流以上的P-I曲线的斜率，表示每安培（或每毫安)注入电流有多少瓦（毫瓦）的激光输出。 3.2.2 线性工作电流linear operating current P-I曲线上光功率出现非线性变化时对应的电流。 4要求 4.1分类 芯片分类见表1 SJ/T114022009 表1 芯片分类 分类方式 具体种类 按光波段分类 可分为1310mm1550nm两类 按光谱模式分类 可分为FP、DFB两类 4.2光电特性 4.2.1绝对最大额定值 绝对最大额定值见表2. 表2绝对最大额定值 单位 最小值 最大值 参数名称 符号 反向电压 A3 正向电流 mA 150 环境温度（DFB） Ta 0 70 环境温度（FP） Ta ℃ -40 85 贮存温度 T.u -40 100 4°2.2 光电技术指标特性 4.2.2.11310nmFP型芯片 1310nmFP型芯片的光电技术指标特性见表3 表31310nmFP芯片光电特性 参数 发符号、 检验条件 最小值 最大值 单位 25℃ 15 mA 阀值电流 85℃ 35 mA W/A 25℃C,P=4mW 0. 22 一 n 斜率效率 85℃,P.-4mW 0.175 W/A 线性工作电流 25℃,(AP/P)<0.1 40 'mA 25℃,P=4mw 1 285 1 325 nm 中心波长 Y 85℃,P.-4mw 1,310 .1.350 nm 25℃,P.-4mW 6.0 .nm 均方根带宽(RMS) 85℃,P.=4mw 6. 0 nm 25℃,1mA 1. 0 V 正向电压 Ve 25℃,I+20mA 1. 40 V. 0. 3* 上升时间/下降时间 4/3 25℃ .ns .0.15 对应速率为1.25Gb/s以下（包括1.25Gb/s）% b对应速率为2.5Gb/s。 4.2.2.2.1.550.nmFP型芯片 1550nmFP型芯片的光电技术指标特性见表4。 SJ/T11402-2009 表41550nm：FP半导体激光器芯片光电技术指标 检验条件 最大值 单位 参数 符号 最小值 25℃ 18 mA 阅值电流 85℃ 35 mA 25℃,P=4mW W/A 0.20 斜率效率 85℃P4mW 0.15 W/A 线性工作电流 25℃CCAP/P<0.1 40 mA 25℃，P=4mw 1510 1550 nm 中心波长 d. 85℃，P=4mW 1535 1575 nm 25℃，P。=4mW 6.0 nm 均方根带宽(RMS) 85CsP=4mW 6.0 nm 25℃，1-mA 1.0 .V 正向电压 K 25C; Ia+20°mA 1.35 0.3° 上升时间/下降时间 25℃ ns 2Q:15 对应速率为1,25/Gb/s以不（包括125Gb/s） 对应速率为2.5-Gb/s。 4.2.2.31310nm,DFB型芯片 1310nmDFB型芯片的光电技术指标特性见表5。 表5 1310nmDFB半导体激光器芯片光电技术指标 最小值 最大值 单位 参数 符号 检验条件 25℃ 20 mA 阅值电流“ 135 mA 0.20 W/A 25℃,P=4"mW 斜率效率 70℃,P=4mw 0.10 W/A 25℃，（P/P<0.1 40 mA 线性工作电流 25℃，P=4m 1285 1325 nm 中心波长 $70℃，P=4mW 1:310 1350 nm 30 0℃,P,=4mWgm 边模抑制比 SMSR 25℃,P=4mwY dB 70C，P=4"mwus 30 dB 0℃,P。=4mW 0.5 - nm 光谱辐射半宽 25℃,P。=4 mW 0. 5 nm (-20dB) 70℃, P=4 mw 0. 5 nm 1. 0 v 25℃,1.mA 正向电压 25℃,I+20mA 1.35 V 0. 3" - 上升时间/下降时间 T=25℃ ns 0.15 对应速率为：1.25Gb/s以下（包括1.25Gb/s）。 对应速率为2.5Gb/s。 4.2.2.4 .1550mmDFB型芯片 3 SJ/T11402-2009 1550nmDFB型芯片的光电技术指标特性见表6。 表6 1.550nmDFB半导体激光器芯片光电技术指标 参数 符号 检验条件 最小值： 最大值 单位 25℃ 20 阀值电流 Is 70℃ 35 mA 25℃,P.=4mW 0.20 W/A 斜率效率 70℃,P=4mW 0.10 W/A 线性工作电流 25℃,(AP/P)<0.1 40 25℃,P=4mw 1510 1550 nm 中心波长 70℃,P=4mW 1535 1 575 nm 0℃P.=4m 30 dB 边模抑制比 SMSR 25℃,P.=4mW 30 dB 70℃,P=4mW 30 0℃,p.=4mw 0.5 nm 光谱辐射带宽 25℃,P=4mW A 0.5 nm (20dB) 70℃,P.=4mW 0.5 25℃/1mA 1:0 V 正向电压 25℃,I+20mA 1.35 V 0. 3* 上升时间/下降时间 T25℃ ns 0. 15b 对应速率为1.25Gb/s以下（包括1.25Gb/s） 对应速率为2.5Gb/s. 4.3芯片材料 芯片材料应满足设计文件的要求。 芯片尺寸 4.4 芯片尺寸应满足用户要求。 4.5 表面质量的要求 芯片表面应无明显划痕，无沾污，无裂纹，边角完整。 4.6 环境试验要求 环境试验要求见表8、表9、表10。 ESDS试验要求 473 人体模式，三个正脉冲，三个负脉冲，于500V。 4.8 高温寿命要求 85℃， 额定功率，至少5000h。试验以后进行光电测试要符合42要求。 5 检验规则 5.1 检验分类 本规范的检验分为 a)鉴定检验； b）质量致性检验。 5.2检验批的构成 一个检验批由一个外延片所包含的全部芯片组成。 SJ/T11402--2009 5.3质量评定流程 质量评定流程见图1 100%芯片测试 筛选100% 鉴定检验 A A组检验（逐批） 质量一致性检验 C组检验（周期） 图1 质量评定流程示意图 5.4：筛选 5.4.1筛选项目和步骤 每批按表7步骤进行筛选。 表7筛选 测试条件 序号 筛选项目 参数 测试方法 除非另有规定，T=25.℃ 初始检测（100%） 按4.2折 按第6章 按4.2 1 电耐久性 85C，100mA，工作36h 按4.2 按第6章 最后测量 按4.2 ≤10% 注：阅值电流的变化是第2步相对第1步骤而言。 AIn=(Teh(sab) Ih (初检m)) / Ia (制的值>) 。 5.4.2筛选合格判据 通过筛选后，如合格率≥70%，则该批筛选为合格，否则为不合格。 鉴定检验 5.5 当现有产品工艺有较大变动时需要进行鉴定检验。鉴定检验在筛选合格后进行，其步骤、检验项目、 技术要求、试验条件、抽样方案均按表8的步骤和顺序进行。