1CS 31.260 L45 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11399—2009 半导体发光二极管芯片测试方法 Measurement methods for chips of light emitting diodes 2009-11-17发布 2010-01-01实施 S 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11399—2009 本标准的附录A、附录B为资料性附录。 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。 本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草。 本标准起草单位：中国光学光电子行业协会光电器件分会、厦门华联电子有限公司、杭州浙大三色 仪器有限公司、深圳淼浩高新科技有限公司。 本标准参加单位：.见附录Bm 本标主要起草人：售 鲍超胡爱华 牟同升、 李明远 彭方华 5 OF 2010 M SJ/T11399-2009 LED芯片测试方法主要涉及LED芯片的电、辐射度和光度及色度学参数，包括正向电压、反向电流、 色品坐标、主波长、色纯度、光强度和光通量等，另外，LED热学参数如结温、热阻和静电放电测试方 法，包括人体模式和机器模式测试等在生产实践中也常用到。为进一步推进和规范LED芯片测试和试验 工作并和国外接轨，必须制定产业界切实有效的LFD芯片测试方法的标准。 虽然LED芯片测试的原理与已封装器件类似，但是在测试的准确性、可重复性和可比对性方面仍然存 在许多问题。因此本标准对心片测试的关键部分作出了统一明确的规定，例如规定了探针台表面反射率、 探针的直径、弹性和角度等，同时标准还推荐了不同测试装置之间定标校准的方法，使芯片的测试可以 在可靠、重复性好的情况下进行。 KYL 复制无效 复制无 复制无效 版权专有 SJ/T.11399—2009 半导体发光三极管芯片测试方法 1范围 本标准规定了半导体发光二极管芯片（以下简称芯片）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学 参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光三极管芯片以及外延片的测试可 参考执行。 规范性引用文件 2 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后的修改 单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否 可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T5698—2001颜色术语 GB/T11499--2001° 半导体分立器件文字符号 GB/T15651一1995半导体器件、分立器件和集成电路：第5部分：光电子器件（IEC60747-5:1992 IDT) SJ/T11394—2009 半导体发光二极管测试方法 3术语、定义和符号 GB/T5698、GB/T：11499、GB/T15651确立的以及下列术语、定义和符号适用于本标准 3. 1 探针台probestation 由测试探针、引线和台座组成，用于完成芯片电极与测量电路的电气连接的装置 芯片点亮和测试条件 4.1.芯片点亮条件 4.1.1.探针台 4.1.1.1、通则 芯片点亮时的结温变化对LED电参数、光参数和辐射通量、光的波长和颜色等都会有很大影响，同 时，芯片点亮时的探针、基底等都有不稳定的因数，因此应该对探针和探针台基底的性能和参数作出规 定，保证点亮和测试芯片时可以得到稳定可靠的测试数据。 4.1.1:2：探针台基底 应该对放置芯片的探针台基底的大小、材质、表面反射率、表面接触性能和表面温度作出规定。 4.1.1.3测试探针 应该对测试探针的直径、弹性、压在芯片上的角度作出规定。 4.1.2点亮方式 4.1.2.1芯片电气连接 测试芯片时，将钨质探针压在芯片的电极上，完成与芯片的电气连接。 4.1.2.2双侧电极芯片 SJ/T11399-2009 电极在双侧的芯片应该用银浆粘贴在基底上，保证芯片稳定，测试探针接触良好。 4.1.2.3功率芯片 功率芯片应该安装在相同的金属基板上，测试探针压在电极板上；保证接触良好。 4.1.3驱动方式 驱动和测量芯片时，可用以下两种方式： a）恒定电流驱动稳态测试 用达到规定稳定度的恒流源点亮芯片，恒定电流应在规定值的土1%以内；按规定的时间预热 芯片。要求芯片自身发热及周围温度变化时对测定值影响最小。 (q 脉冲电流驱动瞬态测试 使用脉冲电流驱动芯片，规定电流的脉冲宽度和占空比，脉冲宽度要大于芯片结温热平衡时间。 在驱动脉冲持续期内快速测量芯片各项参数。输入脉冲频率和占空比的允许偏差应在土2%以 内。 4.2测量条件 除非另有规定，芯片的光电参数测量应按本标准规定的条件进行。 4.2.1：标准大气条件 标准大气条件如下： a）温度：15℃35℃； b）相对湿度：45%～75%； 气压：86kPa~106kPa。 4.2.2 仲裁试验的标准大气条件 仲裁试验的标准大气条件如下： 温度：25℃±1℃； b) 相对湿度：48%～52%； c) ：气压：86kPa~106kPa。 环境条件 4.2.3 a) 测量环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰； b）除非另有规定，芯片全部光电参数均应在热平衡下进行（要有足够测试预热时间）； c）测量系统应接地良好。 4.3测量设备 测量设备的不确定度应符合相关规范的技术要求并检定合格。在检定周期内，按有关操作规程进行 测量。 5电参数测定方法 5.1芯片电气连接 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接。 5.2正向电压 正向电压的测量按SJ/T11394—2009方法1001。 5.3反向电压 反向电压测量按SJ/T11394—2009方法1002。 5.4反向电流 反向电流测量按SJ/T11394—2009方法1003。 5.5总电容 2 SJ/T_11399—2009 总电容测量按SJ/T11394-2009方法1004。 6光参数测定方法 6.1 发光强度 6.1.1芯片电气连接 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接 6.1.2自的 测量芯片发光强度。 该方法适用于下列状态下对芯片发光强度测量： 状态1：如图1所示的光度测试结构； 状态2：如图2所示的光学显微镜附属摄像测量系经 6.1.3 测量原理 光度探测器的相对光谱响应度应该校准到和CIE（国际照明委员会）标准光度观测者光谱光视效率 函数V（^）一致，测试辐射参数时应采用无光谱选择性的光探测器。测试系统应该按距离d和光阑D用标 准器校正。测量距离d必须为于光度探测器直径5倍～10倍。要求被测器件的机械轴通过探测器孔径的中 心。 对于脉冲测量，电流源应该提供所要求的幅度，宽度和重复率的电流脉冲。探测器上升时间相对于 脉冲宽度应该足够小，系统应该是一个峰值测量仪器。 测量原理图见图1。 DUT 图中： DUT- 一被测芯片 一电流源： PD包括面积为A的光闲D，的光度探测器； D.D一消除杂散光光栏，D2，D.不应限制探测立体角； 被测器件与光阑D之间的距离 图1芯片发光强度测量原理图 版权专有 SJ/T11399—2009 复制无效 汉专有 制无效 DUT 图中： DUT- 被测芯片； 电流源： 一被测器件与光学显微镜探测窗口之间的距离。 权专有 图2光学显微镜摄像测量系统示意图 6.1.4测量步骤 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接。给被测芯片加上规定的电流， 制 按规定时间预热后，用光度测量系统测量芯片发光强度。 6.1.5规定条件 相关详细规范应至少规定如下条件 环境温度和合适的大气条件： 正向电流（稳态）： 脉冲宽度和占空比（瞬态） 预热时间。 6.2光通量和光通量效率 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接 权专有 光通量和光通量效率测量按SJ/T11394—2009中方法2003。 6.3辐射通量和辐射效率 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接， 辐射通量和辐射效率测量按SJ/T11394—2009中方法2004。 6.4峰值发射波长、光谱带宽、相对光谱功率分布和重心波长 复制无效 小