ICS 31.260 SJ L45 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T113942009 代替SJ/T2355.1~2355.7—1983 半导体发光二极管测试方法 Measure methods of semiconductor light emitting diodes 2009-11-17发布 2010-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11394—2009 目 次 前吉 II 1范司 2规范性用义件. 3术语、定义和符号 4·般要求 4.1试验条件 4.2测量条件（允诈偏） 4.3测量设备 5测试方法 5.1测试方法分类 5.21000炎 电特性测试方法 5.32000类 光特性测量方法.. 0ts 光电特性测量方法. 5.54000炎 颜色特性测量方法. 12 5.6500炎 热学特性测量方法 5.76000)类 静电放电敏感性测试和分类 20 SJ/T11394—2009 前言 本标准代替SJ/T2355.1～2355.7—1983《半导体发光器件测试方法》系列标准，与SJ/T2355---1983 相比主要变化如下： 增加了半导体发光二极管的色度学参数、热学参数和静电放电敏感性的测试方法； 采用国际照明委员会CIE127-1997《技术报告LED的测量》中建立的平均LED强度的概念和测 量规范来替代原先建立在点光源基础上的发光强度测量方法； 鉴于可见光和红外发射二极管、紫外发射二极管的测试原理相同，只是测试用探测器光谱范围 不同，因此，红外发射二极管和紫外发射二极管的相关测试可以参考本标准。 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。 本标准起草单位：中国光学光电子行业协会光电器件分会。 本标准主要起草人：鲍超。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： -SJ/T2355.1-1983; SJ/T2355.2-1983; —SJ/T2355.3--1983; --—SJ/T2355.41983; --—SJ/T2355.5-1983; —SJ/T2355.6—1983; SJ/T2355.7—1983。 II SJ/T113942009 半导体发光二极管测试方法 1范围 本标准规定广半导体发光极管（以下简称器件）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数 以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用」川见光、自光半宁体发光：极管。紫外发射极管、红外发射极管、半导体发光组 件和芯片的测试日参号执行 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后的修改 单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否 可使用这些文件的最新版本，凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB T 3977--2001 颜色的表示方法（CIENo.15.2—1986，MOD） GB/T 1365-2003 电1.术语电磁兼容（IEC60050（161)：1990，IDT） GB:T 5698--2001 颜色术语 GB/T 57022003 光源显色性评价方法 GB/T 7921-1997 均匀色空间和色差公式（CIENo.15.2-1986，NEQ） GB.T 7922-2003 照明光源颜色的测量方法 GB/T 11-199--2001 半导体分立器件文字符号 GBT 15651-1995 半体器件分立器件和集成电路 第5部分：光电子器件（IEC60747-5： 1992.IDT) CIE127:1997 技术报"：1.ED测量 AVSI ESD STM 5. 1:2001 静电放电敏感性试验人体模式 AVS1FESDSTM5.2:1999静电放电敏感性试验机器模式 3术语、定义和符号 GB-T1365、GBT5698、（B/T11499、GB/T15651确立的以及下列术语、定义和等号适用于本标准。 3. 1 辐射能 radiant energy Qe 以辐射形式发射、传播或接收的能量，单位为（焦耳）， 3. 2 光量 quantity oflight 光量 luminous energy Q、 光源辐射能中能够为人眼视觉系统所感受到的那部分能量大小的量度，即光通量和光照时间的乘 积，单位为1m·s（流明秒）， 3. 3 平均LED强度 averaged LED intensity 1 SJ/T113942009 在规定的LED和光探测器构成的立体角Q内的照射光通量与立体角的比值。 (1). 2 式中： ——CIELED平均强度，不同条件用不同符号表示（见注）； Q——LED和光探测器构成的立体角； ,-立体角2内的光通量。 注：CIE127推荐标准条件A和B分别来测量远场和近场条件下的平均LED强度，可以分别用符号UDA和IB来表示； 用符号I和IuDv分别表示标准条件A测量的平均LED辐射强度和平均LED发光强度。 3. 4 光谱功率（能量）分布spectral power distribution P() 在光辐射波长范围内，各个波长的辐射功率分布情况。 3.5器件热学特性 3.5.1 热阻thermal Resistance Rrh(A-B) 沿热流通道上的温度差与通道上耗散的功率之比为热阻，可用下式表示： [TA-T. Rh (A-B) ·(2) PAB 式中： Rtx(A-)—- 一热阻； T——热流通道上最高温度点温度： T———热流通道上最低温度点温度； Ps—通道上耗散的功率。 对于半导体器件而言，A几乎总是芯片的结面，B可以是几个热流通道参考点中的任何一个。本标准 涉及的热阻均为稳态热阻。在器件中，热阻可以表示为： [T, -T, (3) Pix 式中： T—器件的结温； T—器件参考点温度。 参考点的不同，形成几种常用的热阻名称。 3.5.1.1 结-管壳热阻 thermal resistance from junction-to-case Rrh(JC) 器件结到管壳之间形成的热阻。它表示了个给定的器件芯片／管壳／试验板／环境温度组合的最 好热性能。RtrU-q可以用下式计算： AT, Rth(-C) '(4) P PH 2 SJ/T11394—-2009 这里是加在芯片、结和管完上的功率，7.：和7....分别表示热平衡最后和初始时刻的管壳顶 而温度。如果下在测量过程中不变，上式第项可以省略。 3.5.1. 2 结-环境热阻thermalresistancefromjunction-to-ambient RthtJ-AI 器件结到环境形成的热阻，它提供在最少热流失的特殊环境里结到环境的热阻值。R小的计算公 式与R，的类同，只不过要把T换成7，T表示容器内·个限定位置的温度。R4数值对在仅仅自然对 流冷却环境估算结温有用 3.6静电放电敏感性术语 3.6.1 静电放电电压敏感值ESDvoltage 使器件失效的静电放电电压值。 3. 6.2 静电放电耐受电压ESDwithstandvoltage 使器件不失效的最大静电放电电压值。 3. 6.3 静电放电试验器 ESDtester 模拟现实生活：中的静电放电现象，对器件进行静电测试，借以找银器件的静电放电敏障临界电压的 设备 3.6.4 人体模式静电放电humanbodymodei（HBM）ESD 满足人体模式静电放电标准试验方法所规定标准条件的ESD事件采用电阻电容组成的放电网络模 拟人体指尖的静电放电 3.6.5 机器模式静电放电machinemodel(MM）（ESD) 满足机器模式静电放电标准试验方法所规定标准条件、基于200pF电容和零欧姆串联电阻组成放电 网络的ESD事件，模拟试验-个来自机器的静电放电。实际串联电阻和电感的确定是规范个通过短路 线的电流波形来实行。 一般要求 4 4.1试验条件 4.1.1标准大气条件 温度：15℃~35℃： 相对湿度：20%~80%： K：86kPa~106kPa。 4.1.2仲裁试验的标准大气条件 温度：25℃±1℃； 相对湿度：48%~52%： 'ik:86kPa~-106kPa. 4.1.3其它环境条件 除非另有规定，其它环境条件应按下列规定： ）测量环境应无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等「扰： 除非另有规定，器件全部光电参数均应在热平衡下进行（要有足够测试预热时间)： 3 SJ/T113942009 c）测量系统应接地良好。 4.2测量条件（允许偏差） 除非另有规定，测量条件应符合下列规定： a）偏置条件应在规定值的士1%以内； b）输入脉冲频率和占空比的允许偏差应在土2%以内。 4.3测量设备 测量设备的不确定度应符合相关规范的技术要求并检定合格。在检定周期内，按有关操作规程进行 测量。 5测试方法 5.1测试方法分类 a）1000类电特性测量方法 方法1001：正向电压； -方法1002：反向电压； 方法1003：反向电流； 方法1004：总电容。 b）2000类光特性测量方法 -方法2001：平均LED强度； -方法2002：半强度角和角偏差； 方法2003：光通量和光通量效率； 一方法2004：辐射功率和辐射效率； -方法2005：峰值发射波长，光谱带宽和光谱功率分布。 c）3000类光电特性测量方法 一方法3001：开关时间。 d）4000类颜色特性测量方法 -方法4001：分光光度测量色品坐标； -方法4002：光电积分法测量色品坐标； 注：要求测量精度高、测量速度允许慢的场合采用方法4001：而要求快速测量则可采用方法4002。 一方法4003：主波长和颜色刺激