SJ ICS31.080.30 L42 备案号：7560-2000 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11227---2000 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 Detail specification for electronic components Type3DA98 NPN silicon high-frequency power transistor 2000-10-01实施 2000-08-16发布 中华人民共和国信息产业部 发布 前言 本规范是按照GB/T7576一1998《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管 第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》（idtIEC747-7-4：1991）标准对 原部标SJ1410一78进行修订的，符合GB/T4589.1一1989半导体器件分立器件和集成 电路总规范》（idtIEC747-10：1984）和GB/T125601999《半导体器件分立器件分规 范》（idtEC747-11：1996）的II类要求。 本规范与前版的主要差别是： 1增加了前言。 2电参数测试方法前版引用的是SJ300～314一72《半导体三极管测试方法》，本版引 用的是GB/T4587一1994《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》和GJB 128A一97《半导体分立器件试验方法》。 3试验方法前版引用的是SJ614一73《半导体三级管总技术条件》，本版引用的是GB/T 4937一1995《半导体器件机械和气候试验方法》。 本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口 本规范起草单位：信息产业部电子工业标准化研究所。 本规范主要起草人：赵英、强桂华。 本规范首次发布时间：1978年。 中华人民共和国电子行业标准 电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管 SJ/T112272000 代替SJ141078 Detailspecificationforelectroniccomponents Type3DA98NPNsiliconhigh-frequencypowertransistor 本规范适用于3DA98型硅高频大功率晶体管，它是按照GB/T7576-一1998半导 体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体 管空白详细规范》标准对原部标的SJ1410一78《3DA98型NPN硅高频大功率三极管》 进行修订的，符合GB/T4589.11989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和 GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的II类要求。 本规范引用的标准有GB/T4587一1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双 极型晶体管》、GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T 形尺寸》和GJB128A一97《半导体分立器件试验方法》。 2000-10-01实施 中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布 SJ/T11227—2000 中华人民共和国信息产业部 评定电子元器件质量的依据： GB/T4589.11989《半导体器件分立器件和集成电路总 SJ/T11227—2000 规范》 GB/T125601999《半导体器件分立器件分规范》 3DA98型NPN硅高频大功率品体管详细规范 订货资料：见本规范第7章。 1. 机械说明 2. 简要说明 外形图： 高频大功率晶体管 符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中 品体管：NPN B2—01C，见本规范10.2。 半导体材料：Si 封装：空腔 用途：电子设备中的功率放大和振荡 引出端识别： 质量评定类别 见本规范10.2。 II类 标志： 参考数据 见本规范第6章， f: (5~30) MHz: Pout: 3DA98A:≥IIW: 3DA98B:≥15W: h21E():≥15; G,:3DA98A:≥10dB: 3DA98B:≥12dB. 已按详细规范鉴定合格的器件，其有关制厂的资料，见合格产品一览表。 极限值（绝对大额定值） 除非另有规定，这些极限值适用于整个.工.作温度范围。 数 值 条号 参数名称 符号 单位 小值 最人值 Tease 4.1 管壳温度 -55 175 Tstg 4.2 贮存温度 -55 175 4.3 最高集电极一基极（直流）电压 VCBO 3DA98A 60 v 3DA98B 80 V VCEO 4.4 最离发射极一发射极（直流）电压 3DA98A 50 V 70 3DA98B V SJ/T11227—2000 表（完） 数值 条号 参数名称 符号 单位 最小值 最大值 VEBO 4.5 最高发射极一基极反向电压 4 V 4.6 最大集电极电流 Ic 5 A 耗散功率" Prot 4.9.1 60 W 4.9.2 最高有效结温 Tvi 175 °C 注：1）降额曲线见本规范第10.1. 印 电特性（检验要求见本规范第8章） 特性和条件 试验 条号 除非另有规定，Tease=25C 符号 单位 最小值 最大值 分组 （见GB/T4589.J第4章） 5.1 正向电流传输比 h21E(1) A2b VcE=5 V, Ic =1.5 A 3DA98A 15 3DA98B 15 5.4.1 IcBO(I 集成极一基极截止电流 mA A2b 3DA98AVcB=60V 1 3DA98B 3VCB=80V - 5.4.4 集电极一发射极截止电流 ICEO mA A2b 3DA98A VcE=50 V 1 3DA98B VCE=70V - 5.5.1 IcBO(21 高温下集电极一基极截止电流 mA C2b Tamb=125 °C 3DA98AVcB40V 10 3DA98BVcB=50V 10 集电极一发射极饱和电压 VcEsat 5.6 V A3 Ic =3 A, Iβ =0.6 A 5.7 Pout 最低输出功率 w A2b VcE =24 V, f=20 MHz, P;≤1 W 3DA98A 11 3DA98B 15 最低功率增益 Gp dB A2b 3DA98A 10 3DA98B 12 5.8 集电极效率 55% A2b Ne VcE =24 V,f=20 MHz. P;≤1 W 5.11 热阻 R(thji-c 2.5 K/W C2d Vc#20 V,Ic=l A, Iw≥1 s 6标志 6.1器件上应有如下标志： - 3 - SJ/T11227-2000 引出端识别标志（见10.2）； 型号名称、质量评定类别； 生产厂所标志： 检验批识别代码。 6.2在初始包装上的标志 除引出端识别标志外的所有器件上的标志。 订货资料 7 订货资料上应有下列内容： 准确的型号； 一本规范编号； 质量评定类别： 对器件的其它要求。 8试验条件和检验要求 除非另有规定，本章中引用的条号对应于GB/T4589.1的条号，测试方法引自GB/T 4587和GJB128A，试验方法引自GB/T4937。 SJ/T11227—2000 A组 逐批 全部试验都是非破坏性的（3.6.6）。 条件 检验要求 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tease=25C 数 值 GB/T 4587 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 A1分组 5 外部目检 GB/T 4589.1 4.2.1.1 A2a分组 1.0 不能工作 同A2b 除另有规定外， 器件 短路，即： IcBO(n)≥100 mA; 开路，即： h21E(1)≤5 A2b分组 5 IcBO(1) IV，第1节，2.1 3DA98A VcB =60 V - mA 3DA98B VCE =80 V - mA IV，第1节，3 ICEO 3DA98A VcE=50 V mA 3DA98B 3VCE70V - mA NV，第1节，9.1 h21E(1) VcE =5 V, Ic =1.5 A 3DA98A 15 3DA98B 15 Pout GJB 128A VcE=24 V, J=20 MHz, 3320 P,=IW 11 W 3DA98B 15 w Gp GJB 128A VcE =24 V, J=20 MHz, 3320 P;=1 W 3DA98A 10 dB 3DA98B 12 dB 和he 55% A3分组 VCEsat IV，第1节，4.1 Ic =3 A, /B =0.6 A N V - 5 -