SJ ICS31.080.30 L42 备案号：7559—2000 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11226—2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 Detail specification for electronic components Type3DA505Lband silicon pulsepower transistor 2000-08-16发布 2000-10-01实施 中华人民共和国信息产业部 阝发布 前言 本规范是按照GB/T7576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型品体管 第四篇高频放大管壳额定双极型品体管空白详细规范》（idtIEC747-7-4：1991）标准制 订的，符合GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》（idtIEC 747-10：1984）和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》（idtIEC747-11： 1996）的II.类要求。 本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口。 本规范起草单位：信息产业部电子工业标准化研究所。 本规范主要起草人：赵英、顾振球。 中华人民共和国电子行业标准 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管 SJ/T11226—2000 Detailspecificationforelectroniccomponents Type3DA505Lbandsiliconpulsepowertransistor 本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T7576--1998《半 导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶 体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和 集成电路总规范》和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的II类要求。 本规范引用的标准有GB/T4587一1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双 极型晶体管》、GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T 验方法》。 中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布 2000-10-01实施 SJ/T11226--2000 中华人民共和国信息产业部 评定电子元器件质量的依据： GB/T4589.I—1989《半导体器件 分立器件和集成电路总 规范》 SJ/T11226—2000 GB/T12560—1999（半导体器件 分立器件分规范》 3DA505型L波段硅脉冲功率品体管详细规范 订货资料：见本规范第7章。 1. 机械说明 2. 简要说明 外形图： L波段脉冲功率晶体管 见本规范10.2。 品体管：NPN 半导体材料：Si 封装：空腔 引出端识别： 用途：雷达、航空管制 见本规范10.2. 质量评定类别 3. II类 参考数据 标志： f: (1.2~1.4) GHz: 见本规范第6章。 P,(脉冲输出功率)：220W； h21E41):10~100; Gp: 7.4 dB. 按详细规范鉴定合格的器件其有关制造厂的资料，见合格产品一览表。 极限值（绝对最大额定值） 除非另有规定，这些极限值适用于整个工作温度范围。 数 值 条号 参数名称 符号 单 位 段小值 最大值 4.1 Tecase 管壳温度 65 200 4.2 贮存温度 Tstg 65 200 oC 4.3 VcBO 最高集电极一基极电压 65 v 4.5 VEBO 最高发射极一基级反向电压 3 v 4.6 最大集电极电流 ic 7.5 A 4.9.1 耗散功率" Prot 66 w 4.9.2 最高有效结温 Tvi 200 °C 注：1）降额曲线见10.1. SJ/T11226—2000 电特性（检验要求见本规范第8章） 5 特性和条件 数 值 试验 条号 符号 单位 除非另有规定，Tecase=25C 最小值 最大值 分组 （见GB/T4589.1第4章） 正向电流传输比 h21E(1) 10 100 5.1 A2b VcE=S V, Ic =3 A 集成极一基极截止电流 IcBO(1) 10 5.4.1 mA A2b VcB=40V,Ie=0 高温下集电极一基极截止电流 IcBO(2) 5.5.1 100 mA C2b Tamb=150°C, VcB =40.V 最高集电级一发射极饱合电压 VcEsat 5.6 1.0 A A3 ie =3 A, Ig =0.3 A 最低脉冲输出功率 Pp 220 W A2b 5.7 最低功率增益 do 7.4 dB A2b Vcc =40 V, f-(1.2~1.4) GHz, Iw=150 μs, D=10%, P;=40 W 50% A2b 5.8 最低总效率 Ttot Vcc =40 V, f-(1.2~1.4) GHz, tw=150 μs, D=10%, P,=40 W R(th)j-c 2.7 K/W C2d 5.11 热阻 VcE=12 V, Ic =4 A, tw≥| ms 25℃≤Tease≤70°℃ 6 标志 6.1器件上应有如下标志： 引出端识别标志（见10.2）： 一型号名称、质量评定类别： 一生产厂所标志： 一检验批识别代码。 6.2在初始包装上的标志 除引出端识别标志外的所有器件上的标志。 7订货资料 订货资料上应有下列内容： 一准确的型号； 一本规范编号： 一质量评定类别： 一对器件的其它要求。 8试验条件和检验要求 除非另有规定，本章中引用的条号对应于GB/T4589.1的条号，测试方法引自GB/T - 3 - SJ/T11226—2000 4587和GJB128A，试验方法引自GB/T4937。 A组—逐批 全部试验都是非破坏性的（3.6.6）。 条件 检验要 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tcase=25°C 数 值 GB/T 4587 LTPD 单位 （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 AI分组 5 外部目检 GB/T4589.1 4.2.1.1 A2a分组 1.0 不能工作 同A2b 除非另有规定 器件 短路，即： IcBO(1)≥1 000 mA; 开路，即： h21E(I)≤5 A2b分组 IcBO(1) IV，第1节，2.1 VcB=40V,Ie=0 10 mA h21E(1) V，第1节，9.1 VcE =5 V, Ic =3 A 10 100 Pp GJB 128A Vcc =40 V,f=(1.2~1.4) GHz 220 W Gp 方法3320 tw=150 μs, D=10%, 7.5 dB P;=40 W 5% Itot A3分组 VcEsat NV，第1节，4.1 le =3 A, I =0.3 A 1.0 V B组 全部试验都是非破坏性的（3.6.6）。 条件 检验要求 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tcase=25°C 数 值 GB/T 4937 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 B!分组 15 尺寸 GB/T 4589.1 见本规范10.2 4.2.2 B3分组 15 引出端强度 引线弯曲（不 适用） B4分组 15 可焊性 II, 2.1 润混良好 - 4 - SJ/T11226—2000 B组(完) 条 件 检验要求 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tease=25C 数 值 GB/T 4937 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 B5分组 20 快速温度变化 III, 1.1 TA=65 °C, Tg=175 °C, fi =10 min t2 =(2~3) min 循环次数：5次 密封 Ⅲ,7 7.4 和 7.5 B8分组 10 电耐久性 GB/T 4587 Tvj =(187.5±12.5)°C 第V章 Ptot≥20 W, VcE=10 V, 168 h 最后测试： 按A2b分组 IcBO(1) GB/T 4587 20 mA IV，第1节，2.1 按A2b分组 h21E(1) GB/T 4587 8 120 NV，第1节、9.1 CRRL分组 提供B3、B4、B5和B8分组的计数检查结果。 C组 周期 标有（D）的试验是破坏性的（3.6.6）。 件 检验要求 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tcase=25°C 数 值 GB/T 4587 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 C1分组 30 尺寸 GB/T 4589.1 见本规范10.2 4.2.2 C2b分组 15 高温下集电极 IV，第1节，2.1 Tamb*150°C,VcB=40V 100 mA 一基极截止电 流 IcBO(2) C2d分组 20 热阻R(th)j-c [V，第1节，1] VcE=12 V. Ic=4 V. 2.7 K/W rw≥1 ms 25°℃≤Tease≤70℃ C3分组 15 引出端强度 GB/T 4937 拉力=5N，=10s 无损坏 拉力 II, 1.1