SJ ICS31.080.30 L42 备案号：7558—2000 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11225—2000 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 Detail specification for electronic components Type 3DA504 S band silicon pulse power transistor 2000-08-16发布 2000-10-01实施 中华人民共和国信息产业部发布 前言 本规范是按照GB/T7576-1998《半导体器件分立器件第7部分双极型品体管 第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》（idtIEC747-7-4：1991）标准制 订的，符合GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》（idtIEC 1996）的I类要求。 本规范由信息产业部电子工业标准化研究所归口。 本规范起草单位：信息产业部电子工业标准化研究所。 本规范主要起草人：赵英、黄玉英。 中华人民共和国电子行业标准 电子元器件详细规范 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管 SJ/T11225—2000 Detail specification for electronic components Type3DA504Sband siliconpulsepower transistor 本规范适用于3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T7576一1998《半 导体器件分立器件第7部分双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶 体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集 成电路总规范》和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的II类要求。 本规范引用的标准有GB/T4587一1994《半导体分立器件和集成电路第7部分双 极型晶体管》、GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》、GB/T4937 2000-10-01实施 中华人民共和国信息产业部2000-08-16发布 - 1 - SJ/T11225—2000 中华人民共和国信息产业部 评定电子元器件质量的依据： GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总 规范》 SJ/T11225—2000 GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》 3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管详细规范 订货资料：见本规范第7章。 1.机械说明 2．简要说明 外形图： S波段脉冲功率晶体管 见本规范10.2。 晶体管：NPN 半导体材料：Si 封装：空腔 引出端识别： 用途：雷达、航空管制 见本规范10.2。 3.质量评定类别 11类 参考数据 标志： f: (3.1~3.4)GHz; 见本规范第6章。 P(脉冲输出功率)：50W； h21E(1):8~100; Gp: 7dB. 按详细规范鉴定合格的器件其有关制造厂的资料，见合格产品一览表。 4 极限值（绝对最大额定值） 除非另有规定，这些极限值适用于整个工作温度范围。 数值 条号 参数名称 符号 单位 瑕小值 最大值 4.1 管壳温度 Tease -65 200 4.2 贮存温度 T'stg -65 200 °℃ 4.3 最高集电极一基极电压 VCBO 65 v 4.5 设高发射极一基级反向电压 VEBO 3 V 4.6 大集电极电流 Ic 6.5 A 4.9.1 耗散功率1 Ptot 35 W 4.9.2 最高有效结温 Tvi 200 注：1）降额曲线见10.1。 SJ/T11225-—2000 5电特性（检验要求见本规范第8章） 特性和条件 数值 试验 条号 除非另有规定，Tcase=25℃ 符号 单位 最小值 最大值 分组 （见GB/T4589.1第1章） 5.1 正向电流传输比 h21E(1) 100 A2b 8 VcE=5 V, Ic =I A 5.4.1 集成极一基极截止电流 IcBO(1) A2b mA VcB=36 V,Ie =0 5.5.1 高温下集电极一基极截止电流 IcBO(2) 20 mA C2b Tamb=150°C, VcB =36 V 5.6 最高集电级一发射极饱合电压 VEsat 0.8 A3 A Ie =1 A, I =0.2A 5.7 最低脉冲动输出功率 Pp 50 W A2b 最低功率增益 Gp dB A2b 7 Vcc =36 V, f-(3.1~3.4) GHz, tw=300 μs, D=10%, P;=10 W 5.8 最低总效率 35% A2b Vcc =36 V, f(3.1 ~3.4) GHz, Iw=300 μs, D=10%, P,=10 W 5.11 热阻 R(th)j-c 5 K/W C2d VcE =15 V, Ic =15.3 A, Iw≥1 ms 25°C≤Tcase≤70℃ 6标志 6.1器件上应有如下标志： 一引出端识别标志（见10.2）； 型号名称、质量评定类别： 一生产厂所标志； 一检验批识别代码。 6.2在初始包装上的标志 一除引出端识别标志外的所有器件上的标志。 7订货资料 订货资料上应有下列内容： 一准确的型号； 一本规范编号； 一质量评定类别： 一对器件的其它要求。 8试验条件和检验要求 除非另有规定，本章中引用的条号对应于GB/T4589.1的条号，测试方法引自GB/T - 3 - SJ/T11225—2000 4587和GJB128A，试验方法引自GB/T4937。 A组—逐批 全部试验都是非破坏性的（3.6.6）。 条件 检验要求 引用标准 除非另有规定，Tcase=25℃C 值 检验或试验 数 GB/T4587 单位 LTPD 最大值 （见GB/T4589.1第4章） 最小值 A1分组 5 外部目检 GB/T 4589.1 4.2.1.1 A2a分组 1.0 不能工作 同A2b 除非另有规定 器件 短路，即： IcBO(I)≥200 mA 开路，即： h21E(1)≤5 A2b分组 5 IcBO(1) V，第1节，2.1 VcB=36 V, le =0 2 mA h21E(1) V，第1节，9.1 VcE =5 V, Ic =I A 001 8 Pp GJB 128A Vcc =36 V,f-(3.1 ~3.4) GHz 50 W Gp 方法3320 tw=300 μs, D=10%, 7 P;≥10 W 35% Ntot A3分组 7 VCEsat [V，第1节，4.1 le =1 A,IB =0.2 A 0.8 V B组逐批 全部试验都是非破坏性的（3.6.6）。 条件 检验要求 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tcase=25°C 数值 GB/T 4937 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 B1分组 15 尺寸 GB/T 4589.1 见本规范10.2 4.2.2 B3分组 引出端强度 引线弯曲（不 适用） B4分组 15 可焊性 I1, 2.1 润湿良好 - 4 - SJ/T11225—2000 B组（完） 检验要求 条件 引用标准 除非另有规定，Tcase=25℃ 数值 检验或试验 GB/T 4937 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 最小值 最大值 B5分组 20 快速温度变化 I, 1.1 TA=-65 °C, TB=175 °C, t1 =10 min t2=(2~3)min 循环次数：10次 密封 III, 7 7.4和7.5 B8分组 10 电耐久性 GB/T 4587 Tvj=(187.5±12.5)C 第V章 Ptot≥10 W, Vce=10 V,168 h 最后测试： IcBO(1) GB/T 4587 按A2b分组 4 mA IV，第1节，2.1 h21E(1) GB/T 4587 按A2b分组 120 [V，第1节，9.1 CRRL分组 提供B3、B4、B5和B8分组的计数检查结果 C组周期 标有（D）的试验是破坏性的（3.6.6）。 条件 检验要求 引用标准 检验或试验 除非另有规定，Tcase=25℃ 数值 GB/T 4587 单位 LTPD （见GB/T4589.1第4章） 授小值最大值 30 CI分组 尺寸 GB/T 4589.1 见本规范10.2 4.2.2 C2b分组 15 高温下集电极 V，第1节，2.1 Tamb=150°C, VcB=36V 20 mA 一基极截止电 流 IcBO(2) C2d分组 20. 热阻R(th)j-c IV，第1节，11 Vce=15 V, Ic=1.53 V, 5 K/W (w≥1 ms 25°℃≤Tase≤70°℃ 15 C3分组 拉力=5N，(=10s 无损坏 引出端强度 GB/T4937 拉力 II, 1.1 -5~