SJ ICS 31.200 L55 备案号：8119-2001 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 10741---2000 半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 Semiconductor integrated circuits General principles of measuring methods for CMOS circuits 2000-12-28 发布 2001-03-01实施 中华人民共和国信息产业部批准 前言 原理》的基础上进行修订。 本标准与GB3834相比，所考虑的主要性能参数基本相同，技术内容作了相应改动。 删除了有关开关电路的儿个参数。 本标准的编制、修订有利于我国半导体集成电路行业的技术交流和经济交流。 本标准代替GB383483。 本标准由信息产业部提出。 本标准由中国电子技术标准化研究所归口。 本标准起草单位：中国电子技术标准化研究所。 本标准主要起草人：李燕荣、孙人杰。 本标准首次发布时间：1983年。 目 次 范围 1 (1) 引用标准 2 (1) 3 定义 (1) 要求 4 (1) 5 静态参数测试 (1) 5.1 输入钳位电压Vik (1) 输入高电平电压VIH 5.2 (2) 5.3 输入低电平电压VL (3) 5.4 输入正向阈值电压ViT+ (4) 5.5 输入负向阅值电压ViT- (5) 5.6 滞后电压△VI (6) 输出高电平电压VoH 5.7 (6) 输出低电平电压VoL· 5.8 (7) 输入高电平电流IIH 5.9 (8) 5.10 输入低电平电流IIL (9) 5.11 输出高电平电流loH (10) 5.12 输出低电平电流IoL (11) 输出高阻态时高电平电流IozH 5.13 (12) 输出高阻态时低电平电流IozL 5.14 (13) 电源电流IpD" 5.15 (14) 5.16 输出短路电流los (15) 6 动态参数测试 (16) 输入电容C,和输出电容C。 6.1 (16) 6.2 动态电源电流I， (17) 建立时间 tsu 6.3 (18) 6.4 保持时间 (19) 最高时钟频率Fmax 6.5 (21) 输出由低电平到高电平传输延迟时间 tpLH 6.6 (22) 6.7 输出由高电平到低电平传输延时间tpHL (23) 输出由高阻态到高电平传输延迟时间 tpzH 6.8 (25) 6.9 输出由高阻态到低电平传输延迟时间tpzL (26) (28) 6.10 输出由低电平到高阻态传输延迟时间 tpLz (29) 6.11 输出由低电平到高电平转换延迟时间 tTLH 6.12 (31) 输出由高电平到低电平转换延迟时间tTHL (32) 6.13 中华人民共和国电子行业标准 半导体集成电路 SJ/T10741--2000 CMOS电路测试方法的基本原理 代替GB/T3834-83 Semiconductor integrated circuits General principles of measuring methods for CMOS circuits 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体集成电路CMOS电路（以下简称器件）电特性测试方法的基 本原理。 本标准适用于半导体集成电路CMOS电路电特性的测试。 2引用标准 GB/T17574一98半导体器作集成电路第2部分：数字集成电路 SJ/T10734—96半导体集成电路文宇字符号电参数文字符号 3定义 本标准所有电参数符号和定义符合GB/T17574和SJ/T10734的规定。 4要求 4.1若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细 规范的规定。 4.2测试期间，应避免外界于扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合 器件详细规范的规定。 4.3测试期间，施于被测器件的电源电压应在规定值的土1%以内。施丁被测器件的其 他电参量的准确度应符合器件详细规范的规定。 4.4被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。 4.5具有内部存储或滞后特性的器件，应规定预置条件。 4.6测试期间，应避免因静电放电而引起器件损伤。 4.7 测试期间，非被测输入端不得悬空。 5静态参数测试 5.1输入钳位电压Vik 5.1.1 日的 中华人民共和国信息产业部2000-12-28批准 2001-03-01实施 1 SJ/T 10741—-2000 测试带有附加钳位二极管的输入端输入钳位电压。 5.1.2测试电路图 Vik的测试电路图如图1所示。 VpD 被 测 器 VIK 件 图 1 5.1.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 环境或参考点温度； a. 电源电压VpD; b. 输入端流入或流出电流Iik； c. d. 输出端开路。 5.1.4 测试程序 5.1.4.1 在规定的环境条件下，将被测器件接入测试系统中。 5.1.4.2 电源端VDp施加规定的电压值。 5.1.4.3 被测输入端流入或流出电流调整到规定值，其余输入端施加规定的条件。 在被测输入端测得Vik· 5.1.4.4 5.1.4.5按本标准5.1.4.3～5.1.4.4规定，分别测试每个输入端。 5.2输入高电平电压ViH 5.2.1日的 输出电压为规定值时，测试输入端所施加的最小高电平电压。 5.2.2测试电路图 VIH的测试电路图如图2所示。 2 SJ/T10741—2000 VDD V. 被 输 测 入 器 网 件 络 图 2 5.2.3测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 a，环境或参考点温度； b.电源电压VDD; c．输入端条件； d.输出端电压 Vo。 5.2.4测试程序 5.2.4. 1 在规定的环境条件下，将被测器件接入测试系统中。 5.2.4.2 电源端VDD施加规定的电压。 5.2.4.3非被测输入端施加规定的条件，非被测输出端开路。。 5.2.4.4被测输入端输入电压V，由Vpp值逐渐下降，使输出端电压V为规定的电压 值时，该输入电压即为输入高电平电压ViH。 5.2.4.5 按本标准5.2.4.35.2.4.4的规定，分别测试每个输入端。 5.3输入低电平电压ViL 5.3.1目的 输出电压为规定值时，测试输入端所施加的最大低电平电压。 5.3.2测试电路图 VIL的测试电路图如图3所示。 SJ/T 107412000 VpD V, 被 输 测 入 器 网 V. 件 络 图 3. 5.3.3 测试条件 测试期间，下列测试条件应符合器件详细规范的规定。 环境或参考点温度： a. 电源电压VpD: b. c. 输入端条件； d. 输出电压Vo。 5.3.4 测试程序 5.3.4.1 在规定的环境条件下，将被测器件接入测试系统中。 5.3.4.2 电源端VDD施加规定的电压。 5.3.4.3 非被测输入端施加规定的条件。非被测输出端开路。 5.3.4.4 被测输入端电压V由Vss值逐渐上升，使输出端电压V为规定的电压值时， 该输入电压即为输入低电平电压ViIL。 5.3.4.5按本标准5.3.4.3～5.3.4.4的规定，分别测试每个输入端。 5.4输入正向阈值电压ViT+。 5.4.1目的 测试有施密特触发器的器件，使输出端电压为规定值时，输入端所施加的较高阈值 电压。 5.4.2测试电路图 ViT+的测试电路图如图4所示。 41