ICS 17.180.01 Q 65 JC 中华人民共和国建材行业标准 JC/T 2512—2019 全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾 单晶元件技术要求 Technical requirements of high gray-tracking resistance potassium titanyl phosphate (HGTR-KTP) crystal devices for diode pumped solid state laser 2019-05-02发布 2019-11-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 JC/T 2512—2019 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由中国建筑材料联合会提出。 本标准由全国人工晶体标准化技术委员会（SAC/TC461)归口。 本标准起草单位：桂林百锐光电技术有限公司、中国有色桂林矿产地质研究院有限公司、福州高意 通讯有限公司、天津理工大学、合肥知常光电科技有限公司。 本标准主要起草人：王金亮、张昌龙、左艳彬、周海涛、何小玲、吴文渊、谭浩、薛有为、胡章贵、 吴周令。 本标准为首次发布。 I JC/T2512—2019 全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾单晶元件技术要求 1范围 本标准规定了全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾(HGTR-KTP)单晶元件的术语和定义、技术要 求、检验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存。 本标准适用于全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾（HGTR-KTP）单晶元件。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T11297.1激光棒波前畸变的测量方法 GB/T16601.2一2017激光器和激光相关设备激光损伤阅值测试方法第2部分：阅值确定 GB/T22452硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件 GB/T22453一2008硼酸盐非线性光学晶体元件质量测试方法 GB/T29420—2012掺钕钒酸盐激光单晶元件 JC/T2419光参量振荡用磷酸氧钛钾晶体 JC/T2513 磷酸钛氧钾单晶元件抗灰迹性能测试方法 3术语和定义 GB/T22452一2008和JC/T2419—2017界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 灰迹gray-track 磷酸钛氧钾晶体经大功率激光（特别是532nm的绿光）辐照后，诱导晶体内部沿激光传播方向上的 部分Ti*离子的价态发生变化（Ti4+=Ti3+)，产生Ti3*离子，进而导致晶体对激光的吸收率变大。当Ti3- 离子的浓度累积到一定程度且不可逆转后即可在晶体内部产生肉眼可见的灰线甚至黑线。 3. 2 高抗灰迹磷酸钛氧钾单晶元件highgray-trackresistanceKTiOPOdevices 在绿光诱导红外光吸收率测试中，在功率密度不低于30kw/cm的1064nm激光辐照1min后，再 加载功率密度不低于10kW/cm的532nm激光情况下，测试磷酸钛氧钾单晶元件对1064nm激光的吸收 率5min，若在此5min时间内该吸收率每分钟的增加量低于1.5X10"/cm，即为高抗灰迹磷酸钛氧钾单 晶元件。 4技术要求 4.1物理性能 4.1.1散射 JC/T2512—2019 单晶元件单位体积（cm）内直径大于10μm的散射点应不大于4个。 4. 1.2 2光学均匀性 光学均匀性应不大于5×10/cm。 4.1.3透射波前畸变 透射波前畸变应不大于入/6（2=633nm）。 4. 2 2加工质量 4.2.1尺寸公差 尺寸公差应符合以下要求：W！×H！×La。 其中W和H分别为单晶元件通光面的宽度和高度，L为单晶元件通光方向的长度，单位为毫米（mm）。 4.2.2 平面度 通光面的平面度均应不大于2/6（a=633nm）。 4.2.3平行度 平行度偏差应小于10。 4.2.4垂直度 通光面与侧面之间的垂直度应小于10'，相邻的两个侧面之间的垂直度应小于15。 4.2.5角度偏差 角度偏差要求：-0.25°≤△0≤0.25°，-0.25°≤△Φ≤0.25°。 4.2.6倒角 倒角的宽度应介于0.1mm~0.2mm之间。 4.2.7崩边与崩口 崩边与崩口应不大于0.1mm，且各棱边单位长度（mm）上崩边与崩口的数量应不大于2个。 4.2.8有效通光孔径 有效通光孔径应不小于85%。 4.2.9表面症病 单晶元件的表面疵病：划痕（S)和麻点（D)，单位为微米（um），应符合以下要求： 抛光的单晶元件有效通光孔径内S/D应不大于10/5，孔径外S/D应不大于40/20，镀膜的晶体元件 有效通光孔径内减反膜S/D应不大于20/10，高反膜S/D应不大于40/20，孔径外两者S/D应不大于 60/40。 4.2.10 镀膜的光学性能 单晶元件镀膜的光学性能应符合以下要求： 2 JC/T2512—2019 a) 镀制1064nm减反膜和532nm减反膜时，1064nm减反膜膜层的剩余反射率R应不大于0.2%， 532nm减反膜膜层的剩余反射率R应不大于0.5%： b) 镀制1064nm高反膜和532nm增透膜时，1064nm高反膜的反射率R应不小于99.8%，532nm 增透膜的透过率T应不小于97%； c） 客户有要求时，按照客户要求。 4.2.11膜层牢固度 应无脱膜、裂膜现象。 4.2.12 2抗激光损伤阈值 单晶元件抛光表面及内部抗激光损伤阈值应不小于1GW/cm，镀膜表面抗激光损伤阈值应不小于 600MW/cm。 4.3抗灰迹性能 4.3.1特定波长吸收率 单晶元件对1064nm激光吸收率应小于1.5×10/cm，对532nm激光吸收率应小于2.0×10/cm。 4.3.2绿光诱导红外光吸收率的增长率 单晶元件对1064nm激光吸收率每分钟的增加量应小于1.5×10"/cm 5检验方法 5.1测试的环境条件 洁净等级10000级。 环境温度（23土2)℃。 相对湿度(50土5)%。 检验方法中另有要求的，按照检验方法的要求 5.2散射 5.2.1测试原理 利用单晶元件内部的包络、气泡等缺陷对激光束的散射作用，观测单晶元件内部质量。当激光通过 元件的光路被散射变粗或出现发散光，表明元件存在包络、气泡等缺陷。 5.2.2测试条件 样品：单晶元件的激光入射面、出射面抛光。 环境：在暗室内测量。 5.2.3测试仪器 固态激光器（波长532nm，功率5mW～10mW，光斑直径大于或等于2mm），三维调节平台，带标尺 的50倍显微镜。 5.2.4测试步骤 JC/T2512—2019 5.2.4.1将单晶元件放置于激光器检测光路中，使元件侧面与激光光束垂直。 5.2.4.2通光调整三维调整台，使激光光束相对于元件侧面作两维扫描，相邻扫描点的间隔为1mm。 5.2.4.3 3扫描过程中用带标尺的显微镜观察元件通光区域，如发现有散射点，记录其个数、位置及 大小。 5.3光学均匀性 按GB/T22453—2008中5.2的规定。 5.4 透射波前畸变 按GB/T11297.1规定的方法测定。 5.5尺寸公差 5.5.1测试设备 数显测长仪（量程100mm，精度为0.01mm）。 5.5.2测试步骤 测试样品台上铺一层电容纸，将测长仪调零，用测试杆轻轻压住单晶元件，测量尺寸。注意用力不 能过大，以防破坏单晶元件。测通光面时，要在通光面与测试杆压头之间放置一层电容纸再进行测量。 5.6平面度 按GB/T22453—2008中5.11的规定。 5.7平行度 按GB/T22453—2008中5.10的规定。 5.8垂直度 按GB/T22453—2008中5.12的规定。 5.9角度偏差 按GB/T22453—2008中5.9的规定。 5.10 倒角 按GB/T29420—2012中5.3.7的规定。 5.11崩边与崩口 按GB/T29420—2012中5.3.8的规定。 5.12 2有效通光孔径 按GB/T22453—2008中5.13的规定。 5.13 3表面症病 按GB/T22453—2008中5.14的规定。 4 JC/T2512—2019 5.14镀膜的光学性能 按GB/T22453—2008中5.6的规定。 5.15 膜层牢固度 按GB/T29420—2012中5.3.10的规定。 5.16 抗激光损伤阈值 按GB/T16601.2—2017中4.2的规定。 5.17抗灰迹性能 按JC/T2513的规定。 6检验规则 6.1检验分类 6.1.1出厂检验 6.1.1.1 出厂检验项目为4.1.1、4.1.3、4.2.1～4.2.10、4.3。 6.1.1.2产品需经生产厂质量检测部门检验合格，并附有合格证后方可出厂。 6.1.2型式检验 6.1.2.1 型式检验项目为本标准所要求的全部项目。 6.1.2.2在保证产品质量的前提下，正常生产时，每六个月至少进行一次型式检验；有下列情况之一 时，也应进行型式检验： a）产品定型鉴定或产品转厂生产时； 正式生产后，如设备、原材料、工艺有改变，可能影响产品质量时； c) 出厂检验结果与最近一次型式检验结果有差异时； d) 停产半年以上恢复生产时； e) 客户要求进行试验的。 6.2组批 由同批原料在同一生产和加工工艺条件下制成的产品为一批。 6.3抽样 在待测的样品中随机抽取5%，至少5件，少于5件全检。其中，4.2.10镀膜的光学性能的抽样方 案为检测相应加工批次的磷酸钛氧钾随镀片。 6.4检查结果的判断 检验结果符合本标准要求的，则判定