ICS 31.080.30 CCS K 46 JB 中华人民共和国机械行业标准 JB/T8951.3—XXXX 部分代替JB/T8951.2—1999 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第3部分：臂对模块 Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)Part 3: Pair of arms modules （报批稿） XXXX-XX - XX 发布 XXXX-XX-XX实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 JB/T8951.3—2024 目 次 前言 III 引言 .IV 1范围 规范性引用文件 2 3 术语和定义 4型号和尺寸 4.1 型号 4.2 图形符号和电联结形式 4.3 尺寸 额定值和特性 5 5.1 概述. 5.2 额定电流 5.3 额定电压， 5.4 额定值. 5.5 特性值. 检验规则 6 6.1 逐批检验， 6.2 周期检验（B组和C组检验） 6.3 鉴定试验（D组试验） 质量评定类别 7 标志、包装、贮存和订货单 8 8.1 标志 8.2 包装. 8.3 贮存， .8 8.4 订货单 .8 附录A（资料性） 电力半导体模块型号编制方法 9 A.1 电力半导体模块型号的组成， A.2 型号第一部分的表示方法 6 A.3 型号第二部分的表示方法 .9 A.4 型号第三部分的表示方法 10 A.5 型号第四部分的表示方法 10 附录B（资料性） 推荐的封装形式代号和常见封装外形 11 附录C（规范性） 抽样表， 14 1 JB/T8951.3—2024 C.1 AQL抽样表 .14 C.2 追加抽样表 ..14 参考文献.. JB/T8951.3—2024 前言 起草。 本文件是JB/T8951《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》的第3部分。JB/T8951已经发布了以下部分： 一第1部分：单管； 一第2部分：臂模块； 一一第3部分：臂对模块； 一第4部分：单相桥模块； 第5部分：三相桥模块。 本文件代替JB/T8951.2一1999《绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块臂和臂对》中与臂对相关的 部分，与JB/T8951.2一1999相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： 更改了标准的名称； 一删除了适用范围中有关频率的规定，适用范围更改为额定电流不超过1200A、额定电压不超 过1700V的工业级通用IGBT臂对模块（见第1章，1999年版的第1章）； 更改了规范性引用文件（见第2章，1999年版的第2章）； 增加了“术语和定义”一章（见第3章）； 更改了型号编制方法、图形符号、电联结形式及其代号以及模块尺寸的规定，删除了模块电 压及其级数以及结构件代号的规定（见第4章，1999年版的第3章）； 更改了额定值和特性以及检验规则的规定（见第5章和第6章，1999年版的4.2和第5章）； 一增加了质量评定类别一章（见第7章）； 更改了标志和订货资料的规定（见8.1和8.4，1999年版的第6章）； -增加了包装和贮存的规定（见8.2和8.3）； 一将1999年版的附录A“抽样方案”更改为附录C，并更改了相应的规定（见附录C，1999年 版的附录A）； 一增加了附录A“电力半导体模块型号编制方法”（见附录A）； 一删除了1999年版的附录B～附录D（见1999年版的附录B～附录D）； 增加了附录B“推荐的封装形式代号和常见封装外形”（见附录B）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国机械工业联合会提出。 本文件由全国电力电子系统和设备标准化技术委员会（SAC/TC60）归口。 本文件起草单位：江苏宏微科技股份有限公司、西安电力电子技术研究所有限公司、西安派瑞功率 半导体变流技术股份有限公司、威海新佳电子有限公司、嘉兴斯达半导体股份有限公司、英飞凌科技（中 国）有限公司、西安爱派科电力电子有限公司、西安中车永电电气有限公司、湖北台基半导体股份有限 公司。 本文件主要起草人：王晓宝、张立、白杰、陈子颖、赵善麒、也连波、沈华、戴志展、蔚红旗、于 凯、颜家圣。 本文件所代替文件的历次版本发布情况为： JB/T8951.2—1999。 III JB/T 8951.3—2024 引言 JB/T8951《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》给出绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管和模块的型号和尺 寸，额定值和特性，检验规则，质量评定类别，标志、包装、贮存和订货单规定，拟由五个部分组成。 第1部分：单管。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管的型号和尺寸，额定值和特性， 检验规则，质量评定类别，标志、包装、贮存和订货单要求。 第2部分：臂模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）臂模块的技术要求，检验规则， 质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求。 第3部分：臂对模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）臂对模块的技术要求，检验规 一 则，质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求。 第4部分：单相桥模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）单相桥模块的技术要求，检 验规则，质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求。 第5部分：三相桥模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）三相桥模块的技术要求，检 验规则，质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求 IV JB/T8951.3—2024 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第3部分：臂对模块 1范围 本文件界定了绝缘栅双极晶体管（IGBT）臂对模块的术语和定义，规定了其型号和尺寸，额定值 和特性，检验规则，质量评定类别，标志、包装、存和订货单。 本文件适用于集电极直流电流不超过1200A、集电极-发射极电压不超过1700V的工业级通用 IGBT臂对模块的制造。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 文件。 GB/T2423.2一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.4一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db交变湿热（12h+12h 循环） GB/T2423.22一2012环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T4937一1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T4937.3一2012半导体器件机械和气候环境试验方法第3部分：外部目检 GB/T4937.21一2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性 GB/T29332一2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） JB/T4277一1996电力半导体器件包装 JB/T7624—2013整流二极管测试方法 IEC60749-5：2017半导体器件机械和气候环境试验方法第5部分：稳态温湿偏置寿命试验 (Semiconductordevices—Mechanical and climatic testmethods—Part 5:Steady-statetemperaturehumidity bias lifetest) 3术语和定义 GB/T29332一2012和JB/T7624一2013界定的术语和定义适用于本文件。 4 型号和尺寸 4.1型号 型号应包含表征绝缘栅双极晶体管（IGBT）臂对模块（以下称IGBT臂对模块）及其额定电流、电 压、封装形式代号和电联结代号的信息。这些信息使用字母/数字的组合给出，表征不同信息的字母/ 数字组合之间使用符号“_”或“／”区隔。 注：电力半导体模块型号编制方法的一般性规定见附录A。 示例： 1 JB/T 8951.3—2024 字母1 数字1 字母2 数字2 字母3 字母4 G 特征参数 电联结代号 集电极-发射极电压级别 封装形式代号 额定集电极直流电流值 G：IGBT模块 制造厂商自定 其中： 字母1-一 字母的数量及其含义由制造厂商给出： 数字1一一额定集电极直流电流值[单位为安培（A），在管壳温度T=60℃～100℃下标定]； 字母2一一封装形式代号，由制造厂商给出（推荐的封装形式代号见附录B）； 数字2一一集电极-发射极额定电压级数（额定集电极电压的1/10）； 字母3一一电联结代号，由制造厂商给出（IGBT臂对模块的电联结代号推荐使用字母B）； 字母4一一特征参数，由制造厂商给出（推荐使用：S一一标准型，U一 一快速型）。 4.2 图形符号和电联结形式 根据GB/T29332一2012，IGBT的图形符号如图1所示。 IGBT臂对模块的电联结形式和端子识别标志如图2所示。 E 图 1 图 2 4.3尺寸 IGBT臂对模块的尺寸见附录B。 5额定值和特性 5.1概述 除非另有规定，本章规定的额定值和特性值均在管壳温度T=25℃条件下给出。 5. 2 额定电流 额定电流为集电极直流电流值Ic[单位为安培（A），在管壳温度T=60℃～100℃下标定]。 5. 3 额定电压 额定电压为集电极-发射极电压VcEs[单位为伏特（V）]。 5.4额定值 5.4.1 额定电压为600V的IGBT臂对模块的额定值应符合表1的规定。 2