ICS 31.080.30 CCS K 46 JB 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 8951.1—XXXX 代替JB/T8951.1—1999 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第1部分：单管 Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)—Part 1: Single devices （报批稿） XXXX-XX - XX 发布 XXXX-XX-XX实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 JB/T8951.1—2024 目 次 前言 引言， .IV 1范围 规范性引用文件 2 3 术语和定义 4型号和尺寸 4.1 型号 4.2 图形符号和电联结形式 4.3 尺寸 额定值和特性 5 5.1 概述. 5.2 额定电流 5.3 额定电压， 5.4 额定值. 5.5 特性值. 检验规则 6 6.1 逐批检验. 6.2 周期检验（B组和C组检验） 6.3 鉴定试验（D组试验） 质量评定类别 7 标志、包装、贮存和订货单 8 8.1 标志 8.2 包装. 8.3 贮存， .8 8.4 订货单 .8 附录A（资料性） 电力半导体分立器件型号编制方法 A.1 电力半导体分立器件型号的组成 A.2 电力半导体分立器件型号各部分的表示方法 附录B（资料性） 推荐的封装形式代号和常见封装外形 11 附录C（规范性） 抽样表 14 C.1 AQL抽样表 14 追加抽样表 C.2 14 参考文献 15 1 JB/T8951.1—2024 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件是JB/T8951《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》的第1部分。JB/T8951已经发布了以下部分： 第1部分：单管； 一一第2部分：臂模块； 一第3部分：臂对模块； 一第4部分：单相桥模块； 一第5部分：三相桥模块。 本部分代替JB/T8951.1一1999《绝缘栅双极型晶体管》，与JB/T8951.2一1999相比，除结构调整和 编辑性改动外，主要技术变化如下： 更改了标准的名称； 一删除了适用范围中有关频率的规定，适用范围更改为额定电流不超过75A、额定电压不超过1 200V的工业级通用IGBT单管（见第1章，1999年版的第1章）； 更改了规范性引用文件（见第2章，1999年版的第2章）； 一增加了“术语和定义”一章（见第3章）； 一更改了型号编制方法、图形符号和尺寸的规定，删除了电压及其级数的规定，增加了电联结 形式和端子识别标志的规定（见第4章，1999年版的第3章）； 更改了额定值和特性以及检验规则的规定（见第5章和第6章，1999年版的第4章和第5章）； 增加了质量评定类别一章（见第7章）； 更改了标志和订货单的规定（见8.1和8.4，1999年版的第6章）； 增加了包装和贮存的规定（见8.2和8.3）； 将1999年版的附录A“抽样方案”更改为附录C，并更改了相应的规定（见附录C，1999年 版的附录A）； 一增加了附录A“电力半导体分立器件型号编制方法”（见附录A）； 一删除了1999年版的附录B～附录D（见1999年版的附录B～附录D）； 一增加了附录B“推荐的封装形式代号和常见封装外形”（见附录B）； 增加了参考文献。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国机械工业联合会提出。 本文件由全国电力电子系统和设备标准化技术委员会（SAC/TC60）归口。 本文件起草单位：江苏宏微科技股份有限公司、西安电力电子技术研究所有限公司、西安派瑞功率 半导体变流技术股份有限公司、威海新佳电子有限公司、嘉兴斯达半导体股份有限公司、英飞凌科技（中 国）有限公司、西安爱派科电力电子有限公司、西安中车永电电气有限公司、湖北台基半导体股份有限 公司。 本文件主要起草人：王晓宝、张立、白杰、陈子颖、赵善麒、也连波、沈华、戴志展、蔚红旗、于 凯、颜家圣。 本文件所代替文件的历次版本发布情况为： II JB/T8951.1—2024 JB/T8951.1—1999。 III JB/T 8951.1—2024 引言 JB/T8951《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》给出绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管和模块的型号和尺 寸，额定值和特性，检验规则，质量评定类别，标志、包装、贮存和订货单规定，拟由五个部分组成。 第1部分：单管。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管的型号和尺寸，额定值和特性， 检验规则，质量评定类别，标志、包装、贮存和订货单要求。 第2部分：臂模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）臂模块的技术要求，检验规则， 质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求。 第3部分：臂对模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）臂对模块的技术要求，检验规 一 则，质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求。 第4部分：单相桥模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）单相桥模块的技术要求，检 验规则，质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求。 第5部分：三相桥模块。目的在于规定绝缘栅双极晶体管（IGBT）三相桥模块的技术要求，检 验规则，质量评定类别以及标志、包装、贮存和订货单要求 IV JB/T8951.1—2024 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 第1部分：单管 1范围 本文件界定了绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管的术语和定义，规定了其型号和尺寸，额定值和特 性，检验规则，质量评定类别，标志、包装、贮存和订货单。 本文件适用于集电极直流电流不超过75A、集电极-发射极电压不超过1200V的工业级通用IGBT 单管的制造。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件 文件。 GB/T2423.2一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.4—2008日 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db交变湿热（12h十 12h循环） GB/T2423.22—2012 环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T4937一1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T4937.3一2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检 GB/T4937.4—2012 半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） GB/T4937.12—2018 半导体器件机械和气候试验方法第12部分：扫频振动 GB/T4937.212018 8半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性 GB/T29332—2012 2半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） JB/T4277—1996 电力半导体器件包装 JB/T7624—2013 整流二极管测试方法 IEC60749-5:2017 半导体器件机械和气候环境试验方法第5部分：稳态温湿偏置寿命试验 (SemiconductordevicesMechanical and climatictestmethodsPart 5:Steady-statetemperaturehumidity bias life test) 3术语和定义 GB/T29332一2012和JB/T7624一2013界定的术语和定义适用于本文件。 4型号和尺寸 4.1型号 型号应包含表征绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管（以下称IGBT单管）及其额定电流、电压、封装 形式代号和电联结代号的信息。这些信息使用字母/数字的组合给出，表征不同信息的字母/数字组合之 间使用符号“_”或“/”区隔。 1 JB/T8951.1—2024 注：电力半导体器件IGBT单管型号编制方法的一般性规定见附录A。 示例： 字母1数字1 数字2字母2字母3 G 特征参数 封装形式代号 集电极-发射极电压级别 G：IGBT分立器件 额定集电极直流电流值 制造厂商自定 其中： 字母1- 字母的数量及其含义由制造厂商自定； 数字1一 额定集电极直流电流值[单位为安培（A），在管壳温度T=60℃～100℃下标定]； 字母2- 封装形式代号，由制造厂商自定（推荐的封装形式代号见附录B）； 集电极-发射极额定电压级数（额定集电极电压的1/10）： 字母3一 特征参数，由制造厂商自定（推荐使用：S- S——标准型，U—— 一快速型）。 4. 2 图形符号和电联结形式 根据GB/T29332一2012，IGBT的图形符号如图1所示。 IGBT单管的电联结形式和端子识别标志如图2所示。 C E E 图 1 图 2 4.3尺寸 IGBT单管的尺寸见附录B。 5额定值和特性 5.1概述 除非另有规定，本章规定的额定值和特性值均在管壳温度T=25℃条件下给出。 5. 2 额定电流 额定电流为集电极直流电流值Ic[单位为安培（A），在管壳温度T=60℃～100℃下标定]。 5. 3 额定电压 额定电压为集电极-发射极电压VcEs[单位为伏特（V）]。 2