UDC 621. 3. 049. 77 L 55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 12842 -91 膜集成电路和混合膜集成 电路术语 Terminology for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits 1991-04-28发布 1991-12-01实施 国家技术监督局发布 目 次 主题内容与适用范围 基础术语 （1) 2.1通用术语 (1) 2.2电路元件和结构 (3) 2.3基片与材料 (5) 2.4工艺、性能和参数 （5） 2.5焊接、封装和检验 (8) 3 厚膜集成电路· (10) 3.1·基础术语 (10) 3.2材料 (10) 3.3工艺和性能· (11) 4薄膜集成电路： (12) 4.1·基础术语 (12) 4.2工艺和性能· (12) 附录A汉语索引(参考件） (14) 附录B.英文索引（参考件） (17) 中华人民共和国国家标准 膜集成电路和混合膜集成 电路术语 GB/T 12842--91 Terminology for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits 主题内容与适用范围 本标准规定了膜集成电路和混合膜集成电路的术语。 本标准适用于膜集成电路和混合膜集成电路的生产、使用、科研、教学和贸易。 2，基础术语 2.1．通用术语 2.1.1微电子学 microelectronics 研究高度小型化电子线路的构成和应用的学科。 2.1.2微电路. microcircuit 具有高密度等效电路元件和（或）部件，并可视作独立件的微电子器件。 注：微电路可以是微型组件或集成(徽)电路。 2.1. 3 集成电路 integrated circuit 若干电路元件不可分割地联在一起，并且在电气上互连，以致在规范特性、试验、贸易和维护方 面，被视为不可分割的电路。 注：本定义的电路元件没有包封，也没有外部连接，并且不能作为独立产品规定技术要求或销售。 2.1.4集成微电路 integrated microcircuit 若干电路元件不可分割地联在一起，并且在电气上互连，以致在规范特性、试验、贸易和维护方 面，被视为不可分割的微电路。 注：①见2.1.3中注。 ③为了说明制造具体集成电路所应用的技术，可进一步采用限定语。例如： 半导体单片集成电路； 半导体多片集成电路； 薄膜集成电路； 厚膜集成电路； 混合集成电路。 国家技术监督局1991-04-28批准 1991-12-01实施 GB/T 12842-91 2.1.5微型组件 micro-assembly 由各种独立制造，并能在组装和封装前测试的元件和（或)集成微电路组成的微电路。 ②为了说明制造具体微型组件所应用的技术，可进一步采用限定语。例如： 半导体多片微型组件； 分立元器件微型组件。 2.1.6微电路模块 microcircuit module 能实现一种或多种电路功能的微电路组件或微电路和分立元器件构成的组件。这种组件在特性 测试、贸易和维护上是一个不可分割的整体。 2.1.7半导体集成电路 semiconductor integrated circuit 在半导体内部和上面形成元件和互连的集成电路。 2.1.8膜集成电路 film integrated circuit 元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路。膜元件可以是有源或无源的。 2.1.9月 膜微电路 film microcircuit 见1.1.8膜集成电路。 2.1.10多层膜电路 multilayer film circuit 至少用一层绝缘膜或间隙隔开的多层膜互连的电路。 2.1.11 混合集成电路 hybrid integrated circuit 由半导体集成电路与膜集成电路任意结合，或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成 电路。 2.1.12 混合微电路 hybrid microcircuit 见1.1.11混合集成电路 2.1.13 多片微电路 multichip microcircuit 在一块基片上分别组装数个芯片元件的微电路。 2.1.14 混合膜集成电路 hybrid film integrated circuit 至少含有一个封装或未封装外贴元器件的膜集成电路。 2.1.15半导体芯片混合膜集成电路 semiconductor chip hybrid film integrated circuit 一种含有一个或多个未封装半导体器件的混合膜集成电路。 2.1.16无源混合膜集成电路 passive hybrid film integrated circuit 全部元件为无源元件的混合膜集成电路。 2.1:17.有源混合膜集成电路 2 GB/T 12842—91 active hybrid film integrated circuit 至少含有一个有源器件的混合膜集成电路。 2.1.18定制电路 custom circuit 为满足用户特定需要而设计和制造的电路。 2.1.19半成品电路 partly completed component of F and HFICs 从生产线上提取的没有制造完的膜集成电路和混合膜集成电路，它不能使用正常成品的规范 进行全面评价。 2.1.20膜网络 film network 由淀积在基片上的薄膜和（或）厚膜元件及互连线组成的电子网络。 2.1.21 多层膜网络 multilayer film network 由多于一层的膜互连，并且最少被一层绝缘膜或间隙分隔开的网络。 2.1.22梯形网络 ladder network 从最高阻值到最低阻值按一定比率减小的一系列膜电阻构成的网络。 2.1.23. 固定电阻网络 fixed resistor network 将若干电阻元件不可分割地联在一起，并且在电气上互连，以致在规范特性、试验、贸易和维护 方面，被视为不可分割的网络。 2.1.24膜 film 以任何一种淀积工艺，在固体基片上形成的固体层。 2.1.25箔 foil 不依赖基片能够独立进行加工的固体膜。 2.2电路元件和结构 2.2.1电路元件 circuit element 在集成电路中完成某种电功能的有源或无源元件。 2.2.2有源元件 active element 一种主要对电路提供整流、开关和放大功能的元件。 注：有源元件在电路中，也可以提供电阻或电容功能，或者是将外加能量从一种形式转化为另一种形式。 例如：二级管、晶体管、半导体集成电路、光敏半导体器件和发光半导体器件。 2.2.3无源元件 passive element 一种主要对电路提供电阻、电容或电感功能，或以上这些功能组合的元件。 注：例如电阻器、电容器、电感器、滤波器和互连导电带。 2.2.4分立元件 discrete element 3 GB/T 12842—91 在结构上独立的单个元器件。例如电阻器、电容器和晶体管。 2.2.5片式元件 chip component 是一种尺寸小，引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的元（部)件。 2.2.6片式电阻器 chip resistor 是一一种尺寸小，引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的固定电阻器。 2.2.7片式电容器 chip capacitor 是一种尺寸小，引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的固定电容器。 2.2.8 外贴元件 added component 在机械上和电气上与基片连接的元（部)件。 2.2.9膜（式）元件 film element 用厚膜技术或薄膜技术制作的元件。它可以是无源的，也可以是有源的，如膜电阻器、膜电容器、 膜电感器、膜晶体管等。 2.2.10芯片 chip 无外壳并且一般情况下无引线的电子元件，可以是无源的或有源的，分立的或集成的。 2:2.11 半导体器件 semiconductor device 基本特性是由于载流子在半导体内流动的器件。 2.2.12梁式引线器件 beam lead device 具有梁式引线的器件（梁式引线见2.2.17条）。 2.2.13微带 microstrip 通常指陶瓷基片上的微波传输元件。 2.2.14膜导体 film conductor 利用厚膜或薄膜工艺在基片上淀积导电材料而形成的导体。 2.2.15金属化层 metallization 淀积在基片上用来把电子元件连接起来的(单层或多层)导电膜图形，或是在基片上形成焊区 部分起着电连接和机械连接作用的金属膜层。 2.2.16引出端 termination (terminal) 为集成电路提供外部电气通路的导体（例如引线、焊接片和焊接区等）。 2.2.17梁式引线 beam lead 一种长引线，在其长度方向上没有任何支撑点，并受到弯曲力的作用。其一端固定连接在器件 的芯片上，另一端可与别的材料相连，以形成电连接和（或)机械支撑。 GB/T 12842 --- 91 2.2.18内连线 intraconnections 在同一基片上的电路内制作的导体连线。 2.2.19 搭接区 overlap 两种膜层互连重迭的部分。如电阻膜和膜导体之间的接触区。 2.2.20 通孔 via 介质层中的小开口，通过它形成垂直通路。 2.2.21交叉 crossover 两条金属化导线无电接触的相互交错。它是通过在交错区的两导线之间淀积绝缘层来实现的。 2.3基片与材料 2.3.1基片 substrate 构成膜电路元件