CCS31.080.01 ICSL40 车身域控制器场效应管负载能力试验方法 TestMethodforLoadCapacityofFieldEffectTransistorinVehicleDomain Controller SZAA 深圳自动化学会团体标准 T/SZAA001—2024 2024-11-14发布 2024-11-30实施 深圳自动化学会发布 全国团体标准信息平台 T/SZAA001—2024 I目次 前  言..........................................................................II 1范围.............................................................................1 2规范性引用文件...................................................................1 3术语和定义.......................................................................1 4分类、参数要求及封装.............................................................7 5技术要求.........................................................................7 6检测方法........................................................................12 7包装、贮存、标识要求............................................................23 8标准实施的过渡期要求............................................................23 全国团体标准信息平台 T/SZAA001—2024 II前  言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由深圳自动化学会提出并归口。 本文件由深圳自动化学会负责解释。 本文件起草单位：比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司、拓尔微电子股份有限 公司、深圳自动化学会、扬州扬杰电子科技股份有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、无锡新洁能股 份有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、江苏长晶科技股份限公司。 本文件主要起草人：吴世杰、方舟、魏荣峰、贺艳萍、钱仕峰、赵铮、童鑫、应宇文、周宏伟、刘 勇。 本文件首批承诺执行单位：比亚迪汽车工业有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司、拓尔微电子 股份有限公司、扬州扬杰电子科技股份有限公司、杭州瑞盟科技股份有限公司、无锡新洁能股份有限公 司、杭州士兰微电子股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司。 全国团体标准信息平台 T/SZAA001—2024 1车身域控制器场效应管负载能力试验方法 1范围 本文件规定了乘用车及商用车车身域控制器场效应管的分类、参数要求及封装、技术要求、检测方 法、包装、贮存、标识要求。 本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测，其它非乘用车及商用车的车 身域控制器场效应管负载能力检测参照执行。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T191—2008包装储运图示标志 GB/T5465.2—2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号 GB/T30512—2014汽车禁用物质要求 GB/T2900.32—1994电工术语电力半导体器件 GJB3164—1998半导体分立器件包装规范 IEC60191-6-2009半导体器件的机械标准化第6部分表面安装的半导体器件封装外形图纸制 备的一般规则（MechanicalStandardizationofSemiconductorDevices-Part6:GeneralRulesFor thePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages） IEC60747-82021半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管（Semiconductordevices Discretedevices-Part8:Field-effecttransistors） JESD51-1集成电路的热测试方法（IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod） JESD51-14一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法（TransientDualInterface TestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductor DeviceswithHeatFlowThroughaSingePath） AEC-Q101-Rev-E基于分立半导体应力测试认证的失效机理（FailureMechanismBasedStress TestQualificationforDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications） ANSI/ESDS20.20-2021版静电控制标准 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 MOSFET MOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的缩写，中文名为金属-氧化物 半导体场效应晶体管，是一种单极型器件，具有栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source），简 称金氧半场效晶体管或MOS管。 3.2 NMOS N型金属-氧化物-半导体（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET导电沟道为N 全国团体标准信息平台