(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111644843.1 (22)申请日 2021.12.2 9 (71)申请人 深圳晶源信息技 术有限公司 地址 518000 广东省深圳市福田区福保街 道福保社区红棉道8号英达利科技数 码园C栋401A (72)发明人 梁洪齐　 (74)专利代理 机构 深圳市智享知识产权代理有 限公司 4 4361 代理人 罗芬梅 (51)Int.Cl. G06F 30/27(2020.01) G06N 3/04(2006.01) G06N 3/08(2006.01) (54)发明名称 一种提高光刻胶模型精度的方法 (57)摘要 本发明涉及建模 领域， 特别涉及一种提高光 刻胶模型精度的方法。 本发明的提高光刻胶模型 精度的方法先提供一种卷积核， 卷积核包括若干 点， 卷积核中的每一点均可变化且 形成随机变量 组； 基于卷积核建立光刻胶模型； 随机变量组每 变化一次定义为一次优化， 基于每次随机变量组 变化得到 所对应的模型的方均根， 直到达到预设 优化目标并记录该对应的随机变量组的数值。 通 过使用每一点均为变量的卷积核的设计， 使 得优 化时可以在多个方向进行尝试， 使得优化后的光 刻胶模型更接近于实际模型， 解决了现有技术光 刻胶模型建模精度低下的问题。 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 CN 114330127 A 2022.04.12 CN 114330127 A 1.一种提高光刻 胶模型精度的方法， 其特 征在于包括如下步骤： 提供一种卷积核， 卷积核包括若干点， 其中的每一 点均可变化且形成随机变量组； 基于所述卷积核建立 光刻胶模型； 随机变量组每变化一 次定义为一 次优化， 基于每次随机变量组变化得到所对应的模型 的方均根， 直到 达到预设优化目标并记录该对应的随机变量组的数值。 2.如权利要求1所述的提高光刻 胶模型精度的方法， 其特 征在于： 所述方均根的公式为 其中mcdi为预设的光刻胶模型的特定形状的第i个尺寸， wcdi表 示实际需要做出的光刻胶模型的特定形状的第i个尺寸， N为测量的光刻胶模型尺寸的个 数。 3.如权利要求1所述的提高光刻胶模型精度的方法， 其特征在于： 所述卷积核每次变化 为卷积核内所有点 一起变化。 4.如权利要求1所述的提高光刻胶模型精度的方法， 其特征在于： 所述预设优化目标设 置为每次优化后方均根下降的百分比， 方均根下降小于预设百分比后， 停止优化。 5.如权利要求1所述的提高光刻胶模型精度的方法， 其特征在于： 所述预设优化目标设 置为优化次数， 优化达 到预设次数时， 停止优化。 6.如权利要求5所述的提高光刻胶模型精度的方法， 其特征在于： 所述优化 次数设置为 1000‑2000次， 以防止过拟合。 7.如权利要求1所述的提高光刻胶模型精度的方法， 其特征在于： 通过深度学习 优化算 法得到每次随机变量组变化后所对应的模型的方均根。 8.如权利要求1所述的提高光刻胶模型精度的方法， 其特征在于： 所述基于随机变量组 建立光刻胶模型， 具体包括以下步骤： 建立初始光学模型； 通过初始光学模型的模拟结果并代入随机变量组从而建立该光刻 胶模型。 9.如权利要求3或4所述的提高光刻 胶模型精度的方法， 其特 征在于： 还 包括以下步骤： 优化完成后使用记录的随机变量组数值代入卷积核建立光刻胶模型， 判断模型是否符 合客户要求， 符合则建模完成， 不符合则再次进行优化。 10.如权利要求1所述的提高光刻 胶模型精度的方法， 其特 征在于： 还 包括以下步骤： 计算基于高斯卷积核的方均根并与本模型的方均根做对比记录， 为下次优化提供数 据。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114330127 A 2一种提高光刻胶模型精度的方 法 【技术领域】 [0001]本发明涉及建模领域， 特别涉及一种提高光刻 胶模型精度的方法。 【背景技术】 [0002]在现代极大规模集成电路制造工艺中， 光刻工艺占据核心地位。 在对光刻工艺中 的建模中， 光刻胶模 型主要分为两种： 严格仿 真模型和经验模 型。 严格仿 真模型基于严格的 物理推导得出准确的结果， 但计算成本高， 生产中常采用经验模型。 经验模型通过一些光刻 胶项的线性叠加来拟合光刻胶的形貌， 使得到的模型尺寸与给定的关键尺寸的测量值接 近。 [0003]不同的光刻胶项可用来表征不 同的物理、 化学效应， 如分子扩散、 酸碱中和等。 通 常， 光刻胶项中会包含卷积运算， 即包含卷积核。 卷积核可基于不同的形式生成， 如高斯卷 积核、 洛伦兹核等。 [0004]现有技术的光刻胶模型的卷积核变量少， 有着拟合度不足， 从而导致建模精度低 下的问题。 【发明内容】 [0005]为解决现有技术建模精度低下的问题， 本发明提供了一种提高光刻胶模型精度的 方法。 [0006]本发明解决技术问题的方案是提供一种提高光刻胶模型精度的方法， 包括如下步 骤： [0007]提供一种卷积核， 卷积核包括若干点， 其中的每一 点均可变化且形成随机变量组； [0008]基于所述卷积核建立 光刻胶模型； [0009]随机变量组每变化一次定义为一次优化， 基于每次随机变量组变化得到所对应的 光刻胶模型的方均根， 直到 达到预设优化目标并记录该对应的随机变量组的数值。 [0010]优选地， 所述方均根的公式为 其中mcdi为预设的光刻 胶模型的特定形状 的第i个位置的尺寸， wcdi表示实际需要做出的光刻胶模型的特定形状 的第i个位置的尺寸， N 为测量的光刻 胶模型尺寸的个数。 [0011]优选地， 所述卷积核每次变化 为卷积核内所有点 一起变化。 [0012]优选地， 所述预设目标设置为每次优化后方均根下降的百分比， 方均根下降小于 预设百分比后， 停止优化。 [0013]优选地， 所述预设目标设置为优化次数， 优化达 到预设次数时， 停止优化。 [0014]优选地， 所述预设次数设置为10 00‑2000次， 以防止过拟合。 [0015]优选地， 通过深度学习优化算法得到每次随机变量组变化后所对应的模型的方均 根。 [0016]优选地， 所述基于随机变量组建立 光刻胶模型， 具体包括以下步骤：说　明　书 1/7 页 3 CN 114330127 A 3