(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111584979.8 (22)申请日 2021.12.2 2 (71)申请人 湖南炬神电子有限公司 地址 423000 湖南省郴州市有色金属产业 园区台湾工业园第16、 17幢 (72)发明人 詹海峰　赵智星　徐伟　冷昭君　 谢峰　胡宪权　何华兵　夏松松　 (74)专利代理 机构 北京众合诚成知识产权代理 有限公司 1 1246 代理人 邹仕娟 (51)Int.Cl. H02J 7/00(2006.01) H02J 7/04(2006.01) H02M 7/00(2006.01) H02M 1/44(2007.01)H05K 7/20(2006.01) H05K 5/02(2006.01) (54)发明名称 一种小体积GaN超 级充电器 (57)摘要 本发明提供了一种小体积GaN超级充电器， 其变压器电路板、 EMC电路板和输出同步整流及 TYPE‑C电路板组成正方体的后面、 左面和右面， EMC电路板设置于正方体的后下部位， 反馈电路 板设置于正方体的前上部位； 变压器电路板的第 一连接结构与PWM控制电路板固定连接， 第二连 接结构与输出同步整流及TYPE ‑C电路板固定连 接； EMC电路板的第三连接 结构与PWM控制电路板 固定连接， 第四连接结构与输出同步整流及 TYPE‑C电路板固定 连接； 反馈电路板的左侧边和 右侧边分别设置有第五连接结构和第六连接结 构， 第五连接结构与 PWM控制电路板固定连接， 第 六连接结构与输出同步整流及TYPE ‑C电路板固 定连接。 本发 明解决了目前亟需设计一款小体积 大功率的充电器的技 术问题。 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 CN 114256927 A 2022.03.29 CN 114256927 A 1.一种小体积GaN超级 充电器， 其特 征在于， 包括： 内置主体元器件； 所述内置主体元器件包括： EMC电路板、 PWM控制电路板、 变压器电路板、 反馈电路板和 输出同步整流及TYPE ‑C电路板； 所述变压器电路板、 EMC电路板和输出同步整流及TYPE ‑C电路板组成正方体的后面、 左 面和右面， 所述EMC电路板 设置于所述正方体的后下部位， 所述反馈电路板 设置于所述正方 体的前上部位； 所述变压器电路板的左侧边和 右侧边分别设置有第 一连接结构和第 二连接结构， 所述 第一连接结构与所述PWM控制电路板固定连接， 所述第二连接结构与所述输出同步整流及 TYPE‑C电路板固定连接； 所述EMC电路板的左侧边和右侧边分别设置有第三连接结构和第四连接结构， 所述第 三连接结构与所述PWM控制电路板固定连接， 所述第四连接结构与所述输出同步整流及 TYPE‑C电路板固定连接； 所述反馈电路板的左侧边和 右侧边分别设置有第五连接结构和第六连接结构， 所述第 五连接结构与所述PWM控制电路板固定连接， 所述第六连接结构与所述输出同步整流及 TYPE‑C电路板固定连接 。 2.根据权利 要求1所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述PWM控制电路板上连 接有高压电解电容， 所述变压器电路板上连接有变压器， 所述EMC电路板上连接有电感和保 险丝， 所述输出同步整流及TYPE ‑C电路板上 连接有固态电容； 所述高压电解电容、 变压器、 固态电容、 电感和保险丝均位于所述 正方体的内部 。 3.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述第一连接结构为第 一卡位板、 所述第二连接结构为第二 卡位板； 所述PWM控制电路板上靠近于所述变压器电路板的边缘区域设置有第一卡位槽， 所述 第一卡位槽与所述第一 卡位板相匹配， 所述第一 卡位板嵌入于所述第一 卡位槽中； 所述输出同步整流及TYPE ‑C电路板上靠近于所述变压器电路板的边缘区域设置有第 二卡位槽， 所述第二卡位槽与所述第二卡位板相匹配， 所述第二卡位板嵌入于所述第二卡 位槽中。 4.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述第三连接结构为第 三卡位板， 所述第四连接结构为第四卡 位板； 所述PWM控制电路板上靠近于所述EMC电路板的边缘区域设置有第三卡位槽， 所述第三 卡位槽与所述第三 卡位板相匹配， 所述第三 卡位板嵌入于所述第三 卡位槽中； 所述输出同步整流及TYPE ‑C电路板上靠近于所述EMC电路板的边缘区域设置有第四卡 位槽， 所述第四卡位槽与所述第四卡位板相匹配， 所述第四卡位板嵌入于所述第四卡位槽 中。 5.根据权利要求1所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述第五连接结构为第 五卡位板， 所述第六 连接结构为第六卡 位板； 所述PWM控制电路板上靠近于所述反馈电路板的边缘区域设置有第五卡位槽， 所述第 五卡位槽与所述第五卡 位板相匹配， 所述第五卡 位板嵌入于所述第五卡 位槽中； 所述输出同步整流及TYPE ‑C电路板上靠近于所述反馈电路板的边缘区域设置有第六 卡位槽， 所述第六卡位槽与所述第六卡位板相匹配， 所述第六卡位板嵌入于所述第六卡位权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114256927 A 2槽中。 6.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述内置主体元器件的 外表层包覆有散热 溶胶。 7.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述高压电解电容的外 部设置有第一 罩体。 8.根据权利要求7所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述第一罩体由PC材料 制成。 9.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述电感的外部设置有 第二罩体。 10.根据权利要求2所述的小体积GaN超级充电器， 其特征在于， 所述第二罩由PC材料制 成。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114256927 A 3