(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111022135.4 (22)申请日 2021.09.01 (66)本国优先权数据 202010943478.3 2020.09.09 CN 202110426935.6 2021.04.20 CN (71)申请人 成都奥睿药业有限公司 地址 610000 四川省成 都市中国(四川)自 由贸易试验区成都 高新区和民街 16号 2号楼9层901、 902号,10层1001、 1002 号 (72)发明人 杨胜勇　李琳丽　 (74)专利代理 机构 成都高远知识产权代理事务 所(普通合伙) 51222 代理人 郑勇力　张娟(51)Int.Cl. C07D 417/04(2006.01) C07D 417/14(2006.01) C07D 401/04(2006.01) C07D 403/04(2006.01) C07D 209/42(2006.01) C07D 471/04(2006.01) C07D 405/14(2006.01) C07D 413/04(2006.01) C07D 487/04(2006.01) C07D 231/56(2006.01) C07D 519/00(2006.01) A61K 31/428(2006.01) A61K 31/4439(2006.01) A61K 31/404(2006.01) (续) (54)发明名称 5-取代吲哚3-酰胺衍生物及其制备方法和 用途 (57)摘要 本发明涉及5 ‑取代吲哚3 ‑酰胺衍生物制备 方法及其用途， 属于医药领域。 本发明提供了式 Ⅰ 所示的化合物或其药学上可接受的盐。 该类化合 物能够显著抑制RIPK1激酶的活力， 而且选择性 较高， 安全性良好， 是一种RIPK1激酶抑制剂， 可 以作为包括但不限于炎症、 免疫性疾病、 肿瘤和 神经退行性疾病等的潜在治疗药物。 TNFα诱导 的SIRS模型实验证明， 本发明化合物能够在体内 发挥抑制 RIPK1激酶的作用， 药代动力学结果显 示该系列化合物具有良好药代动力学性质。 本发 明为靶向RIPK 1的疾病治疗提供了一种新的策略 和手段。 [转续页] 权利要求书28页 说明书153页 附图6页 CN 114230565 A 2022.03.25 CN 114230565 A (51)Int.Cl. A61K 31/506(2006.01) A61K 31/517(2006.01) A61K 31/437(2006.01) A61K 31/454(2006.01) A61K 31/496(2006.01) A61K 31/5377(2006.01) A61K 31/4155(2006.01) A61K 31/53(2006.01) A61K 31/519(2006.01)A61K 31/5025(2006.01) A61K 31/416(2006.01) A61K 31/4709(2006.01) A61K 31/444(2006.01) A61P 29/00(2006.01) A61P 37/06(2006.01) A61P 35/00(2006.01) A61P 25/28(2006.01) A61P 1/00(2006.01)2/2 页 2[接上页] CN 114230565 A1.式I所示的化 合物、 或其 立体异构体、 或其药 学上可接受的盐： 其中， X1、 X3独立选自 ‑CR6‑、 N； X2选自‑NR1‑、‑CH＝CH‑； 其中， R1选自氢、 取代或未取代的C1‑C10烷基、 取代或未取代的C1‑C10醚基、 取代或未取代 的C3‑C10环烷基、 取代或未取代的3 ‑10元杂环烷基、 取代或未取代的C6‑C20芳基、 取代或未取 代的3‑20元杂芳基； 其中， 所述取代基是氘、 C1‑C10烷基、 氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝基； R2B选自 其中， R2选自被一个或两个R21取代或未取代的C0‑C6亚烷基； 其中， R21选自取代或未取代 的C1‑C10烷基、 取代或未取代的C3‑C10环烷基、 氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝基； 其中， 所述取代 基为氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝基； B环选自被一个、 两个或三个R22取代或未取代的C4‑C10芳基， 被一个、 两个或三个R22取代 或未取代的4 ‑10元杂芳基或者被一个、 两个或三个R22取代或未取代的C3‑C10环烷基； 其中， R22分别独立选 自取代或未取代的C1‑C10烷基、 取代或未取代的C1‑C6烷氧基、 取代或未取代 的4‑10元杂环烷基、 氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝 基； 或者， 两个R22相连形成取代或未取代的 4‑10元杂环烷基； 其中， 所述取代基为C1‑C10烷基、 氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝基； R3选自氢、 取代或未取代的C1‑C10烷基； 其中， 所述取代基为氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝 基； 或者R2B与R3相连形成取代或未取代的3 ‑10元杂环烷基； 其中， 所述取代基为C1‑C10烷 基、 C4‑C10芳基、 一个或两个R31取代的C4‑C10芳基、 氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝基； 其 中， 所述 R31选自C1‑C10烷基或卤素； R4、 R5和R6分别独立选自氢、 C1‑C10烷基、 氰基、 羟基、 羧基、 卤素或硝基； A环选自被一个或两个RA取代或未取代的C4‑C10芳基、 一个或两个RA取代或未取代的4 ‑ 10元杂芳基； 其中， RA选自取代或未取代的氨基、 取代或未 取代的C1‑C10烷基、 取代或未取代的C4‑C10芳基、 取代或未取代的4 ‑10元杂芳基、 取代或未取 代的3‑10元杂环烷基、 ； 其中， 所述取代基为 ‑RA2‑RA3、 RA4、 C1‑C10烷基、 卤素取代的C1‑C10烷权　利　要　求　书 1/28 页 2 CN 114230565 A 3