(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211315539.7 (22)申请日 2022.10.26 (66)本国优先权数据 202211170780.5 202 2.09.26 CN (71)申请人 浙江求是半导体设备有限公司 地址 311100 浙江省杭州市临平区临平街 道顺达路5 00号1幢102室 (72)发明人 曹建伟　朱亮　叶钢飞　倪军夫　 石明智　王小飞　 (74)专利代理 机构 杭州钤韬知识产权代理事务 所(普通合伙) 33329 专利代理师 赵杰香 (51)Int.Cl. B01D 46/46(2006.01) B01D 46/90(2022.01)C30B 15/20(2006.01) C30B 29/06(2006.01) G01D 21/02(2006.01) (54)发明名称 晶体生长炉产线及检测方法 (57)摘要 本发明公开了一种晶体生长炉产线， 包括： 晶体生长炉； 第一抽滤系统， 包括过滤机构和抽 空机构， 过滤机构设置在抽空机构和晶体生长炉 之间； 第二抽滤系统； 集尘系统， 用于清理过滤机 构中的氧化物； 晶体生长炉还用于检测抽空机构 的抽空速度； 当晶体生长炉进入工作状态后， 过 滤机构检测晶体生长炉中产生的氧化物的重量 变化， 并计算氧化物含量； 若满足第一条件和第 二条件中至少之一时， 第一抽滤系统切换为第二 抽滤系统， 此时， 第二抽滤系统为晶体生长炉进 行抽空和过滤， 第一抽滤系统进入清理模式。 通 过上述设置， 可以实现晶体生长炉产线的不需要 停机即可切换抽空和过滤的装置， 并实现晶体生 长炉产线的在线实时异常检测。 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 CN 115364596 A 2022.11.22 CN 115364596 A 1.一种晶体生长炉产线， 包括： 晶体生长炉， 用于生长单晶硅； 第一抽滤系统， 所述第一抽滤系统包括过滤机构和抽空机构， 所述抽空机构用于对所 述晶体生长炉进行抽空， 所述过滤机构设置在所述抽空机构和所述晶体生长炉之间， 所述 过滤机构用于过 滤所述晶体生长炉中的粉尘； 集尘系统， 用于清理所述过 滤机构中的氧化物； 其特征在于， 所述晶体生长炉还用于检测所述抽空机构的抽空速度； 所述晶体生长炉产线还 包括第二抽滤系统； 当所述晶体生长炉进入工作状态后， 所述过滤机构检测所述晶体生长炉中产生的氧化 物的重量变化， 并计算所述氧化物含量； 若满足第一条件和 第二条件中至少之一时， 所述第 一抽滤系统切换为所述第二抽滤系统， 此时， 所述第二抽滤系统为所述晶体生长炉进行抽 空和过滤， 所述第一抽滤系统进入清理模式； 其中， 所述第一条件为所述过滤机构 检测到所 述氧化物含量大于等于预设含量， 所述第二条件为所述晶体生长炉检测到所述抽空速度大 于等于预设速度。 2.根据权利要求1所述的晶体生长炉产线， 其特征在于， 所述晶体生长炉产线还包括控 制系统， 当满足所述第一条件和所述第二条件中至少之一时， 所述控制系统判断需要切换 至所述第二抽滤系统的所述晶体生长炉， 并控制所述第二抽滤系统为所述晶体生长炉进 行 抽空和过 滤。 3.根据权利要求1或2所述的晶体生长炉产线， 其特征在于， 当所述第一抽滤系统进入 所述清理模式时， 所述集尘系统和所述过滤机构连通， 所述过滤机构 中的所述氧化物输送 至所述集尘系统中， 所述 集尘系统清理所述氧化物。 4.根据权利要求3所述的晶体生长炉产线， 其特征在于， 当所述第 一抽滤系统完成清 理 后， 所述第一抽滤系统进入自检模式。 5.根据权利要求1或2所述的晶体生长炉产线， 其特征在于， 所述第二抽滤系统的结构 和所述第一抽滤系统的结构一 致。 6.一种晶体生长炉产线的检测方法， 适用于权利要求1至5任意一项所述的晶体生长炉 产线， 其特 征在于， 所述检测方法包括： 当所述晶体生长炉处于 工作状态时， 所述第二抽滤系统 处于待机状态； 所述过滤机构检测所述氧化物的重量变化并计算所述氧化物含量； 所述晶体生长炉检测所述抽空机构的抽空速度； 当满足所述第 一条件和所述第 二条件中至少之一 时， 所述第 一抽滤系统切换为所述第 二抽滤系统， 此时， 所述第二抽滤系统为所述晶体生长炉进 行抽空和过滤， 所述第一抽滤系 统进入所述清理模式。 7.根据权利要求6所述的晶体生长炉产线的检测方法， 其特征在于， 当满足所述第 一条 件和所述第二条件中至少之一时， 所述控制系统接 收所述过滤机构发送的称重信号， 所述 控制系统根据所述称重信号判断需要切换所述第二抽滤系统的所述晶体生长炉， 并控制所 述第二抽滤系统为所述晶体生长炉进行抽空和过 滤。 8.根据权利要求6或7所述的晶体生长炉产线的检测方法， 其特征在于， 当所述第一抽权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115364596 A 2滤系统切换为所述第二抽滤系统时， 所述第二抽滤系统启动抽空； 若所述第二抽滤系统的 真空值和所述晶体生长炉的真空值基本一致， 所述第一抽滤系统停止工作， 并切换至所述 第二抽滤系统为所述晶体生长炉进行抽空和过 滤。 9.根据权利要求6所述的晶体生长炉产线的检测方法， 其特征在于， 当所述第 一抽滤系 统进入所述清理模式时， 所述集尘系统和所述过滤机构连通， 所述过滤机构 中的所述氧化 物输送至所述 集尘系统中， 所述 集尘系统清理所述氧化物。 10.根据权利要求9所述的晶体生长炉产线的检测方法， 其特征在于， 所述过滤机构包 括进气组件， 当所述第一抽滤系统进入 所述清理模式时， 所述集尘系统处于负压状态， 所述 进气组件为所述过 滤机构充气， 以使所述过 滤机构中的所述氧化物进入所述 集尘系统。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115364596 A 3