(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210544881.8 (22)申请日 2022.05.19 (71)申请人 上海沛塬电子有限公司 地址 201306 上海市浦东 新区中国(上海) 自由贸易试验区临港新片区环湖西二 路888号C楼 (72)发明人 曾剑鸿　 (74)专利代理 机构 广州京诺知识产权代理有限 公司 44407 专利代理师 于睿虬 (51)Int.Cl. H01L 23/473(2006.01) H01L 23/367(2006.01) H01L 25/16(2006.01) H02M 1/00(2007.01)H05K 7/20(2006.01) H05K 3/00(2006.01) (54)发明名称 一种双面散热高频大功率模组及其制作方 法 (57)摘要 本发明公开了一种双面散热高频大功率模 组及其制作方法， 包括： 嵌入式电路板、 至少一个 高频电容和绝缘导热材料， 至少两个 半导体功率 器件的功率电极串联连接， 以形成至少一功率变 换桥臂； 嵌入式电路板表面引出的半导体功率器 件的功率电极布线与半导体功率器件投影重叠 的面积相对半导体功率器件的面积比超过60％； 功率变换桥臂就近与高频电容并联连接， 以实现 低回路电感互联。 本发明可以实现高频大电流特 性以及近 乎理想的双面散热能力。 由于本发明极 佳的回路 处理， 由两个每10平方毫米半导体功率 器件组成的桥臂回路电感有机会小于2nH甚至 1nH以下， 适合频率MHZ需求， 远高于当下低于 100KHZ的主流频率。 权利要求书2页 说明书11页 附图17页 CN 115064512 A 2022.09.16 CN 115064512 A 1.一种双面散热高频 大功率模组， 其特 征在于， 包括： 嵌入式电路板， 所述嵌入式电路板的内层设置有至少两个半导体功率器件， 所述半导 体功率器件的功 率电极通过电连接通路在嵌入式电路板的表面形成布线层， 至少两个所述 半导体功率器件的功率电极串联连接， 以形成至少一功率变换桥臂； 所述嵌入式电路板表 面引出的半导体功率器件的功率电极布线与半导体功率器件投影重叠的面积相对半导体 功率器件的面积比超过6 0％； 至少一个高频电容， 所述功率变换桥臂就近与高频电容并联连接， 以实现低 回路电感 互联； 有且仅有两层绝缘导热材料， 两层所述绝缘导热材料分别位于嵌入式电路板上、 下表 面与换热环境之间。 2.根据权利要求1所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 还包含一封装体， 所 述绝缘导热材料为一绝缘导热载板， 所述封装体至少部 分包覆嵌入式电路板和绝缘导热载 板。 3.根据权利要求1所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 所述电连接通路包括 键合层， 所述键合层将半导体功率器件的一表面键合至布线层， 所述键合层为导电材料或 绝缘材料； 所述半导体功率器件表面到布线层表面的热阻小于每平方毫米10度/瓦。 4.根据权利要求2所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 所述封装体由液态灌 封胶水封装形成。 5.根据权利要求1所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 所述封装体由塑封材 料封装形成。 6.根据权利要求1所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 还包括系统主板， 所 述嵌入式电路板与系统主板电连接 。 7.根据权利要求6所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 所述嵌入式电路板的 一侧与系统主板的一侧齐平， 所述嵌入式电路板与系统主板之间通过通孔电连接结构和/ 或表层布线层实现电连接 。 8.根据权利要求6所述的双面散热高频大功率模组， 其特征在于， 所述嵌入式电路板的 表面位于系统主板内部， 所述嵌入式电路板与系统主板之 间通过通孔电连接结构实现电连 接。 9.一种如权利要求7所述的双面散热高频大功率模组 的制作方法， 其特征在于， 包括如 下步骤： S1： 在嵌入式电路板的一表面设置临时保护层； S2： 将嵌入式电路板设置在系统主板内， 所述嵌入式电路板的未设置临时保护层的表 面与系统主板的一表面齐平； S3： 完成通 孔电连接结构及表层布线层的设置； S4： 裁切去除需要外露的嵌入式电路板的外围， 露出临时保护层； S5： 去除临时保护层。 10.一种如权利要求8所述的双面散热高频大功率模组的制作方法， 其特征在于， 包括 如下步骤： S1： 在嵌入式电路板的上 下表面分别设置临时保护层；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115064512 A 2S2： 将嵌入式电路板设置在系统主板内； S3： 完成通 孔电连接结构的设置； S4： 裁切去除需要外露的嵌入式电路板的外围， 露出临时保护层； S5： 去除临时保护层。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115064512 A 3