(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211261699.8 (22)申请日 2022.10.14 (71)申请人 阿维塔科技 （重庆） 有限公司 地址 401121 重庆市渝北区金开大道西段 106号1幢1层24 号 (72)发明人 王伟　郭浩　 (74)专利代理 机构 北京弘权知识产权代理有限 公司 11363 专利代理师 逯长明　朱炎 (51)Int.Cl. G06F 30/23(2020.01) G06T 17/20(2006.01) G06F 119/06(2020.01) G06F 119/08(2020.01) (54)发明名称 一种电机控制器功率模块关键位置的温度 获取方法及装置 (57)摘要 本发明实施例涉及芯片结温估算技术领域， 公开一种电机控制器功率模块关键位置的温度 获取方法及装置， 该方法包括： 获取功率模块的 参数信息， 所述参数信息包括所述功率模块的冷 却液温度和所述功率模块包括的多个芯片的功 率损耗； 基于所述功率模块的参数信息和所述功 率模块的三维热阻模型， 能够依次确定所述多个 芯片中的目标芯片对应的冷却板上目标区域的 温度、 所述目标芯片对应的基板上的目标区域的 温度、 所述目标芯片对应的基板焊层上的目标区 域的温度、 所述目标芯片 对应的芯片焊层温度和 所述目标芯片的结温。 本发明通过对功率模块上 关键位置的温度实现层层确定， 能够提高每一个 位置关键温度的生成精度， 特别是能够获得精度 更高的内部芯片的结温。 权利要求书3页 说明书22页 附图5页 CN 115544843 A 2022.12.30 CN 115544843 A 1.一种电机控制器功率模块关键位置的温度获取 方法， 其特 征在于， 包括： 获取功率模块的参数信 息， 所述参数信 息包括所述功率模块的冷却液温度和所述功率 模块包括的多个芯片的功率损耗； 基于所述功率模块的参数信 息和所述功率模块的三维热阻模型， 依次确定所述多个芯 片中的目标芯片对应的冷却板上目标区域的温度、 所述目标芯片对应的基板上的目标区域 的温度、 所述 目标芯片对应的基板焊层上 的目标区域的温度、 所述 目标芯片对应的芯片焊 层温度和所述目标芯片的结温； 所述目标芯片的结温是根据所述多个芯片中的目标芯片对 应的冷却板上目标区域的温度、 所述 目标芯片对应的基板上 的目标区域的温度、 所述 目标 芯片对应的基板焊层上的目标区域的温度和所述目标芯片对应的芯片焊层温度确定的。 2.根据权利要求1所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在于， 基于所述功 率模块的参数信息和所述功 率模块的三维热阻模型， 确定所述多个芯片中的目 标芯片对应的冷却板上目标区域的温度的步骤， 包括： 根据基于所述功率模块的参数信 息和所述功率模块的三维热阻模型， 确定目标芯片所 处冷却板上的多个芯片在冷却板与冷却液之间的等效热阻抗； 根据所述冷却液温度， 所述目标芯片所处冷却板上的多个芯片的功率损耗， 以及目标 芯片所处冷却板上的多个芯片在冷却板与冷却液之 间的等效热阻抗， 生成所述目标芯片对 应的冷却板上目标区域的温度。 3.根据权利要求1或2所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在 于， 所述目标芯片对应的冷却板上目标区域的温度采用以下模型获得： Tcl为冷却液温度， 为目标芯片M11所处冷却板上的MOSFET芯片的功率损耗； 为目标芯片M11所处冷却板上的续流二极管芯片的功率损耗， 目标芯片M11所处冷 却板上的MOSFET芯片在冷却板与冷却液之间的等效热阻抗， 目标芯片M11所处冷 却板上的续 流二极管芯片在冷却板与冷却液之间的等效热阻抗。 4.根据权利要求1所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在于， 基于所述功 率模块的参数信息和所述功 率模块的三维热阻模型， 确定所述目标芯片对应的 基板上的目标区域的温度的步骤， 包括： 根据基于所述功率模块的参数信 息和所述功率模块的三维热阻模型， 确定目标芯片所 处基板上的多个芯片在基板与冷却板之间的等效热阻抗； 根据所述目标芯片对应的冷却板上目标区域的温度、 所述目标芯片所处基板上的多个 芯片的功率损耗， 以及目标芯片所处基板上的多个芯片在基板与冷却板之间的等效热 阻 抗， 生成所述目标芯片对应的基板上的目标区域的温度。 5.根据权利要求1或4所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115544843 A 2于， 所述目标芯片对应的基板上目标区域的温度采用以下模型获得： 其中， 为目标芯片M11对应的基板上目标区域的温度， 为所述目标芯片M11对 应的冷却板上目标区域的温度， 为目标芯片M11所处基板上MOSFET芯片在基板与 冷却板之间的复合热阻抗； 为目标芯片M11所处基板上续流二极管芯片在基板与 冷却板之间的耦合热阻抗； 为目标芯片M11所处基板上MOSFET芯片的功率损 耗； 为目标芯片M11所处基板上续 流二极管芯片的功率损耗。 6.根据权利要求1所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在于， 基于所述功 率模块的参数信息和所述功 率模块的三维热阻模型， 确定所述目标芯片对应的 基板焊层上的目标区域的温度的步骤， 包括： 根据基于所述功率模块的参数信 息和所述功率模块的三维热阻模型， 确定所述目标芯 片所处基板焊层上的多个芯片在基板焊层与基板之间的等效热阻抗； 根据所述目标芯片对应的基板上的目标区域的温度、 所述目标芯片所处基板焊层上的 多个芯片的功率损耗、 以及所述目标芯片所处基板焊层上的多个芯片在基板焊层与基板之 间的等效热阻抗， 生成所述目标芯片对应的基板焊层上的目标区域的温度。 7.根据权利要求1或6所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在 于， 所述目标芯片对应的基板焊层上的目标区域的温度采用以下模型获得： 其中， 为目标芯片M11对应的基板焊层上的目标区域的温度， 为目标芯片 M11在基板焊层与基板之间的自热阻抗， 为来自基板上续流二极管芯片D11的耦合 热阻抗； 为目标芯片M11的功率损耗， 为目标芯片M11所处基板上续流二极管芯片 D11的功率损耗。 8.根据权利要求1所述的电机控制器功率模块关键位置的温度获取方法， 其特征在于， 基于所述功率模块的参数信息和所述功率模块的三维热阻模型， 确定所述目标芯片的结 温、 所述目标芯片对应的芯片焊层温度的步骤， 包括： 根据基于所述功率模块的参数信 息和所述功率模块的三维热阻模型， 确定所述目标芯 片在芯片层与芯片 焊层之间的自热阻抗， 以及目标芯片在芯片 焊层与基板焊层之 间的自热 阻抗； 根据所述目标芯片对应的基板焊层上的目标区域的温度、 所述目标芯片的功率损耗、 目标芯片在芯片层与芯片焊层之间的自热阻抗， 以及目标芯片在芯片 焊层与基板焊层之间权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115544843 A 3