(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210363375.9 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人 武汉华星光电半导体 显示技术有限 公司 地址 430079 湖北省武汉市东湖新 技术开 发区高新大道666号光谷生物创新园 C5栋305室 (72)发明人 段英香　 (74)专利代理 机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 专利代理师 王朝云 (51)Int.Cl. B08B 3/12(2006.01) B08B 5/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 掩膜板异 物清除方法 (57)摘要 本申请公开了一种掩膜板异物清除方法。 所 述掩膜板异物清除方法包括如下步骤： 去除掩模 板上附着的有机物的步骤； 去除异物的步骤； 其 中， 采用碱的醇溶液去除掩模板上残留的异物； 干燥掩模板的步骤。 本申请的掩膜板异物清除方 法， 可以增强对掩膜板的清洗能力， 以及减少掩 膜板清洗后残留物。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 114798587 A 2022.07.29 CN 114798587 A 1.一种掩膜板异 物清除方法， 其特 征在于， 包括如下步骤： 去除掩模板上附着的有机物的步骤； 去除异物的步骤； 其中， 采用碱的醇溶 液去除掩 模板上残留的异 物； 干燥掩模板的步骤。 2.根据权利要求1所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述碱的醇溶液中的碱液 的体积分数为8～12％。 3.根据权利 要求1所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述KOH醇溶液中包括KOH 和乙醇。 4.根据权利要求1所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述去除掩模板上附着的 有机物的步骤包括： 采用N ‑甲基吡咯烷酮溶液溶解掩模板上的有机物； 采用去离子水去除 掩模板上残留的N ‑甲基吡咯烷酮溶 液。 5.根据权利要求4所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述采用N ‑甲基吡咯烷酮 溶液溶解掩模板上的有机物的具体操作为： 将掩膜板置于N ‑甲基吡咯烷酮溶液中， 在45～ 55℃温度下进行超声清洗处 理， 超声波频率为40～120kH z， 干燥； 所述采用去离子水去除残留的N ‑甲基吡咯烷酮溶液的具体操作为： 将掩膜板置于去离 子水中， 在42 ～48℃温度下进行超声清洗处 理， 超声波频率为40～120kH z， 干燥。 6.根据权利要求1所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述去除异物的步骤包 括： 采用所述碱的醇溶 液电解去除掩 模板上残留的异 物； 去除掩 模板上残留的KOH 。 7.根据权利要求6所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述电解的直流电压小于 或等于15V， 电流小于或等于 500A。 8.根据权利要求1所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述干燥掩模板的步骤包 括： 采用干燥压缩空气进行干燥； 真空干燥。 9.根据权利要求1所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述采用干燥压缩空气进 行干燥的具体操作为： 向所述掩膜板的表面吹干燥压缩空气， 所述干燥压缩空气的流量小 于等于3000LPM。 10.根据权利要求9所述的掩膜板异物清除方法， 其特征在于， 所述干燥压缩空气的吹 出方向与所述掩膜板之间的角度为0～3 5°。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114798587 A 2掩膜板异物清除方 法 技术领域 [0001]本申请涉及显示 技术领域， 具体涉及一种掩膜板异 物清除方法。 背景技术 [0002]现有的小尺寸掩膜板表面上附着异物的清洗沿用韩系清洗， 包括： NMP药液溶解有 机物→DIW置换NMP →KOH电解→DIW→IPA置换DIW →CDA干燥； 使用过程中存在清洗 能力不 足以及清洗药液残留问题， 引起的问题主要有以下几点： 掩膜板使用次数增加 导致掩膜板 上的颗粒增加从而导致产品出现不良； 药液残留在 掩膜板， 进入蒸镀机后发生废气， 影响腔 体真空度； 使腔体氛围恶化， 造成器件异常。 [0003]因此， 亟需提供一种掩膜板异物清除方法， 可以提高掩膜板的清洗效果， 以及避免 清洗液残留在掩膜板上。 发明内容 [0004]本申请的目的在于提供一种掩膜板异 物清除方法， 可以增强掩膜板的清洗能力。 [0005]本申请实施例提供一种掩膜板异 物清除方法， 包括如下步骤： [0006]去除掩模板上附着的有机物的步骤； [0007]去除异物的步骤； 其中， 采用碱的醇溶 液去除掩 模板上残留的异 物； [0008]干燥掩模板的步骤。 [0009]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述碱的醇溶液中的碱液的体积分数为8～ 12％。 [0010]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述碱的醇溶 液中的碱液的体积分数为9％。 [0011]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述KOH醇溶 液中包括KOH和乙醇。 [0012]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述去除掩模板上附着的有机物的步骤包括： 采用N‑甲基吡咯烷酮(NMP)溶液溶解掩模板上的有机物； 采用去离子水(DIW)去除掩模板上 残留的N‑甲基吡咯烷酮(NMP)溶 液。 [0013]可选的， 在 本申请的一些实施例中， 所述采用N ‑甲基吡咯烷酮(NMP)溶液溶解掩模 板上的有机物的具体操作为： 将掩膜板置于N ‑甲基吡咯烷酮(NMP)溶液中， 在45～55℃温度 下进行超声清洗处 理， 超声波频率为40～120kH z， 干燥； [0014]所述采用去离子水(DIW)去除残留的N ‑甲基吡咯烷酮(NMP)溶液的具体操作为： 将 掩膜板置于去离子水中， 在42～48℃温度下进行超声清洗处理， 超声波 频率为40～120kHz， 干燥。 [0015]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述去除异物的步骤包括： 采用所述碱的醇溶 液电解去除掩 模板上残留的异 物； 去除掩 模板上残留的KOH 。 [0016]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述电解的直流电压小于或等于15V， 电流小 于或等于 500A。 [0017]可选的， 在本申请的一些实施例中， 所述干燥掩模板的步骤包括： 采用干燥压缩空说　明　书 1/4 页 3 CN 114798587 A 3