(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210414657.7 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人 深圳市华星光电半导体 显示技术有 限公司 地址 518132 广东省深圳市光明新区公明 街道塘明大道 9-2号 (72)发明人 吕龙　 (74)专利代理 机构 深圳紫藤知识产权代理有限 公司 44570 专利代理师 杨瑞 (51)Int.Cl. B08B 7/00(2006.01) B08B 3/04(2006.01) B08B 13/00(2006.01) F26B 21/00(2006.01) (54)发明名称 掩模版清洗设备和掩 模版清洗方法 (57)摘要 本申请提供一种掩模版清洗设备和掩模版 清洗方法； 该掩模版清洗设备通过设置温控单 元， 且在掩模版设置于温控单元内时， 温控单元 的温度大于有机物的分解 温度， 则可以通过温控 单元对有机物进行分解， 使有机物碳化、 汽化、 分 解为小分子， 则可以初步去除掩模版上的有机 物， 然后通过清洗掩模版上的残留物， 并对掩模 版进行干燥， 完成对掩模版的清洁， 该过程无需 引入NMP等化学物质， 提高了安全性， 且该过程无 需特定空间， 提高掩 模版清洁的效率。 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 CN 114798599 A 2022.07.29 CN 114798599 A 1.一种掩 模版清洗设备， 其特 征在于， 包括： 第一气氛控制单 元， 用于切换掩 模版的气氛； 所述掩 模版上粘附有 有机物； 温控单元， 所述温控单 元与所述第一气氛控制单 元连接； 清洁单元， 与所述温控单 元连接， 用于清洁所述掩 模版上的残留物； 干燥单元， 与所述清洁单 元连接， 用于 干燥所述掩 模版； 其中， 在所述掩模版设置于所述温控单元内时， 所述温控单元的温度大于所述有机物 的分解温度。 2.如权利要求1所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述第 一气氛控制单元包括第 一 抽气单元和第一预抽真空室， 所述第一抽气单元设置于所述第一预抽真空室上， 用于在所 述掩模版设置在所述第一预抽真空室时， 对所述第一预抽真空室抽气。 3.如权利要求2所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述第 一气氛控制单元还包括第 一通气单元， 所述第一通气单元包括气室和输气单元， 所述气室内设有 氧气， 所述输气单元 与所述气室连接， 用于在第一预抽真空室抽真空后， 将所述气室内的氧气输入至第一预抽 真空室。 4.如权利要求1所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述温控单元包括温控室、 温控 组件和气 体组件， 所述温控组件与所述温控室连接， 用于控制所述温控室的温度， 所述气体 组件与所述温控室连接， 用于控制所述温控室内的气氛。 5.如权利要求4所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述气体组件包括第 二抽气单元 和第二通气单元， 所述第二抽气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为真空时， 对 所述温控室抽真空， 所述第二通气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为氧气时， 向所述温控室内通入氧气。 6.如权利要求1所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述掩模版清洗设备还包括第 二 气氛控制单元， 所述第二气氛控制单元一端与所述温控单元连接， 所述第二气氛控制单元 另一端与所述清洁单元连接， 所述第二气氛控制单元用于控制从所述温控 单元输出的掩模 版的气氛。 7.如权利要求6所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述第 二气氛控制单元包括第 三 抽气单元、 第二预抽真空室和第三通气单元， 所述第三抽气单元设置于所述第二预抽真空 室上， 所述第三通气单元与所述第二预抽真空室连接， 所述第三抽气单元用于在所述掩模 版设置在所述第二预抽真空室时， 对所述第二预抽真空室抽气， 所述第三通气单元用于在 所述第二预抽真空室抽气后， 向所述第二预抽真空室输入空气。 8.如权利要求1所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述清洁单元包括清洁腔和储液 室， 所述储液室与所述清洁腔连接， 所述储液室用于在所述掩模版设置在所述清洁腔时， 输 出液体清洁所述掩 模版。 9.如权利要求1所述的掩模版清洗设备， 其特征在于， 所述干燥单元包括干燥腔和第四 通气单元， 所述第四通气单元与所述干燥腔连接， 所述第四通气单元用于在所述掩模版设 置在所述干燥腔时， 向所述干燥腔通入空气。 10.一种掩模版清洗方法， 其特征在于， 使用如权利要求1至9任一所述的掩模版清洗设 备， 所述掩 模版清洗方法包括： 将掩模版传送至第一气氛控制单 元， 并切换第一气氛控制单 元内的气氛；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114798599 A 2在第一气氛控制单元内的气氛切换后， 将掩模版从第一气氛控制单元传送至温控单 元， 并控制温控单 元内的温度大于有机物的分解温度； 在有机物分解完成后， 将掩模版从温控单元传送至清洁单元， 并使用清洁单元对掩模 版上的残留物进行清洁； 在对残留物清洁完成后， 将所述掩模版从所述清洁单元传送至干燥单元， 并使用干燥 单元对掩模版进行干燥。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114798599 A 3