(19)国家知识产权局 (12)发明 专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202210353462.6 (22)申请日 2022.04.06 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 114433570 A (43)申请公布日 2022.05.06 (73)专利权人 深圳市龙图光电有限公司 地址 518000 广东省深圳市宝安区沙 井街 道新玉路北侧圣佐 治科技工业园4#厂 房一楼 (72)发明人 王栋　柯汉奇　谢超　白永智　 (74)专利代理 机构 深圳市恒程创新知识产权代 理有限公司 4 4542 专利代理师 张小容 (51)Int.Cl. B08B 7/00(2006.01)B08B 13/00(2006.01) 审查员 郑永生 (54)发明名称 半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法及 设备 (57)摘要 本发明公开了一种半导体芯片用掩模版膜 下异物清理方法及设备， 该方法用于控制探针对 掩模版与保护膜之间的待清理异物进行清理， 所 述探针包括探针头以及筒状异物回收针体， 所述 筒状异物回收针体的内部包括分节设置的预设 长度的角度弯折关节， 各个角度弯折关节之间包 括对应的关节部； 所述半导体芯片用掩模版膜下 异物清理方法的步骤包括： 获取所述待清理异物 的目标位置； 控制所述探针移动至所述目标位 置， 并控制所述探针对所述待清理异物进行清 理。 解决了采用激光照射异物的方式而导致的二 次污染以及损伤掩模 版风险， 以及移除原膜对异 物进行清理的方式导致时间以及材料成本的浪 费的问题。 权利要求书2页 说明书18页 附图6页 CN 114433570 B 2022.06.21 CN 114433570 B 1.一种半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 控制探针对掩模版与保 护膜之间的待清理异物进行清理， 所述探针包括探针头以及筒状异物 回收针体， 所述筒状 异物回收针体的内部包括分节设置的预设长度的角度弯 折关节， 各个角度弯 折关节之 间包 括对应的关节部； 所述半导体芯片用掩 模版膜下异 物清理方法的步骤 包括： 获取所述待清理异 物的目标位置； 控制所述探针移动至所述目标位置， 并控制所述探针对所述待清理异 物进行清理。 2.如权利要求1所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述控制 所述探针移动至目标位置的步骤 包括： 根据所述目标位置确定目标 行走路径， 所述目标 行走路径包括多个子路径； 根据各个所述子路径， 确定各个所述子路径对应的角度弯折关节的移动距离以及各个 关节部对应的角度偏转 量； 控制所述探针沿所述目标 行走路径移动至所述目标位置 。 3.如权利要求2所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述根据 所述目标位置确定目标 行走路径的步骤之前， 还 包括： 获取起始位置， 所述起始位置为位于保护膜以及掩模版之间的过滤孔或修补孔所在的 位置， 以根据所述 起始位置和所述目标位置确定目标 行走路径。 4.如权利要求2所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述控制 所述探针沿所述目标 行走路径移动至所述目标位置的步骤 包括： 根据所述移动距离控制所述角度弯折关节移动至第一子路径与第二子路径之间的第 一转折点时， 根据所述角度偏转量控制各个到达所述第一转折点的所述角度弯 折关节的关 节部执行弯折操作， 以控制所述探针头进入所述第二子路径； 在控制所述探针头进入所述第 二子路径后， 根据 所述移动距离控制所述角度弯折关节 移动至第二子路径与第三子路径之 间的第二转折点处， 根据所述角度偏转量控制各个到达 所述第二转折点的所述角度弯折关节的关节部执行弯折操作， 以控制所述探针头进入所述 第三子路径； 依次控制所述角度弯折关节的移动以及 关节部的弯折操作， 以控制所述角度弯折关节 完成在所有子路径上的移动并将所述探针头移动至所述目标位置 。 5.如权利要求1所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述筒状 异物回收针体的内部还包括控制电路， 所述探针头包括呈伞状结构的异物捕获器， 所述异 物捕获器包括异 物容纳腔， 所述控制所述探针对所述待清理异 物进行清理的步骤， 还 包括： 在检测到所述探针头 到达所述目标位置后， 控制所述异 物捕获器开启； 控制所述控制电路产生异物清除信号， 以控制所述异物捕 获器将所述待清理异物吸取 至所述异 物捕获器中的异 物容纳腔中。 6.如权利要求5所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述探针 还包括异物回收器， 所述筒状异物回收针体的内部还包括异物 回收管， 所述控制电路包括 负压控制线路， 所述异物 回收管与所述异物 回收器连接， 所述负压控制线路与所述异物 回 收管连接； 所述异物捕获器还包括异物粉碎装置， 在控制所述异物捕获器将所述待清理异 物吸取至所述异 物捕获器中的异 物容纳腔中的步骤之后， 还 包括： 控制所述异物粉碎装置， 向放置于所述异物容纳腔的待清理异物发射高频超声波， 以权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114433570 B 2粉碎所述待清理异 物； 控制所述负压控制线路产生负压信号， 以将粉碎后的所述待清 理异物通过所述异物回 收管吸取至所述异 物回收器中。 7.如权利要求2所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述半导 体芯片用掩 模版膜下异 物清理方法还 包括： 实时监测所述探针的位移参数， 所述位移参数包括位置信息、 移动速度以及移动角动 量的至少一种； 根据所述 位移参数以及所述目标 行走路径确定距离偏移量和/或角度偏移量； 根据所述距离偏移量和/或角度偏移量调整所述角度弯折关节的移动距离以及角度偏 转量， 以控制所述探针沿着所述目标 行走路径到 达所述目标位置 。 8.如权利要求1所述的半导体芯片用掩模版膜下异物清理方法， 其特征在于， 所述获取 所述待清理异 物的目标位置的步骤 包括： 获取掩模版的图像信息； 根据所述图像信 息确定掩模版的有效区域信 息、 无效区域信 息以及待清理异物的目标 位置， 以根据所述 目标位置、 所述有效区域信息以及所述无效区域信息确定所述 目标行走 路径。 9.一种半导体芯片用掩模版膜下异物清理设备， 其特征在于， 所述半导体芯片用掩模 版膜下异物清理设备包括： 存储器、 处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运 行的半导体芯片用掩模版膜下异物清理程序， 所述半导体芯片用掩模版膜下异物清理程序 被所述处理器执行时实现如权利要求1至8 中任一项所述的半导体芯片用掩模版膜下异物 清理方法的步骤。 10.一种计算机可读存储介质， 其特征在于， 所述计算机可读存储介质上存储有半导体 芯片用掩模版膜下异物清理程序， 所述半导体芯片用掩模版膜下异物清理程序被处理器执 行时实现如权利要求1至8中任一项所述的半导体芯片用掩 模版膜下异 物清理方法的步骤。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114433570 B 3