(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210891714.0 (22)申请日 2022.07.27 (71)申请人 南京大学 地址 210008 江苏省南京市 鼓楼区汉口路 22号 (72)发明人 钱效　叶欣　孙嘉程　李涛　 (74)专利代理 机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 柏尚春 (51)Int.Cl. G01N 21/01(2006.01) G01N 21/17(2006.01) G01N 21/21(2006.01) G01N 21/64(2006.01) (54)发明名称 一种暗场成像的超构显微成像器件及暗场 成像方法 (57)摘要 本发明公开了一种暗场成像的超构显微成 像器件及暗场成像方法， 所述器件包括照明模块 和MIID成像模块， 照明模 块包括装片和置于装片 一端的LED灯条(1)， 装片中的样品将入射光散 射； 装片上方由下至上分别设有用于调制光偏振 态的线偏振膜和四分之一波片膜， 以及用于压缩 光带宽的复合介质滤光膜， 若样品经过荧光染 色， 则复合介质滤光膜还起到截止激发光的作 用， 成像模块接收左旋偏振态和右旋偏振态的样 品暗场像合成完整的暗场像； 本发 明令装片充当 平面波导， 不增加额外的光源空间， 实现了在基 于超构透镜的显微成像系统中的暗场成像和暗 场荧光成像， 同时减 小成像色差， 提升分辨 率。 权利要求书2页 说明书4页 附图3页 CN 115165748 A 2022.10.11 CN 115165748 A 1.一种暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 包括照明模块和MIID成像模块， 所 述照明模块包括装片(2)和置于装片(2)一端的LED灯条(1)， 所述装片(2)中的样品将入射 光散射； 所述装片(2)上方由下至上分别设有线偏振膜(3)、 四分之一波片膜和复合介质滤 光膜(6)， 所述线偏振膜(3)和四分之一波片膜用于调制向上散射的入射光的偏振态， 所述 复合介质滤光膜(6)用于 压缩偏振态的入射 光的带宽 。 2.根据权利要求1所述的暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 所述 四分之一波 片膜包括左四分之一波片膜(4)和右四分之一波片膜(5)， 所述左四分之一波片膜(4)的快 轴与所述线偏振膜(3)成+45 °， 所述右四分之一波片膜(5)的快轴与所述线偏振膜(3)成 ‑ 45°， 分别用于调制左旋圆偏振态和右旋圆偏振态； 左四分之一波片膜(4)和右四分之一波 片膜(5)上分别粘贴所述复合介质滤光膜(6)。 3.根据权利要求1所述的暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 所述照明模块还 包括用于夹持所述装片(2)和放置所述LED灯条(1)的载物板(8)与夹板(9)， 所述载物板(8) 与所述夹板(9)通过两块侧板(11)连接， 所述夹板(9)下方设有使线偏振片(3)有滑动空间 的沟槽(16)。 4.根据权利要求4所述的暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 所述线偏振片 (3)靠近所述LED灯条(1)的一侧设有把手(17)， 两个所述把手(17)分别从所述侧板(11)上 的缝隙(18)伸出， 用于滑动所述线偏振片(3)。 5.根据权利要求1所述的暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 还包括用于移动 所述MIID成像模块的二轴位移台， 夹板(9)与L形板(21)通过第一调节螺丝(19)连接， 转动 所述第一调节螺丝(19)带动 所述L形板(21)沿夹板(9)水平移动； 所述L形板(21)上还设有 导轨(23)， 顶板(26)通过滑块(25)与导轨(23)连接并沿导轨(23)竖直移动， 所述顶板(26) 底部连接所述MI ID成像模块。 6.根据权利要求1所述的暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 所述MIID成像模 块包括CIS芯片(31)和其上集成的超构透 镜(32)。 7.根据权利要求1～6任一项所述的暗场成像的超构显微成像器件， 其特征在于， 所述 装片(2)的样品含有荧光 染料， 所述样品将所述入射光散射并被其被激发出荧光； 所述线偏 振膜(3)和四分之一波片膜用于调制所述荧光和向上散射的入射光的偏振态， 所述复合介 质滤光膜(6)用于滤除向上散射的入射 光， 并压缩所述 荧光的带宽 。 8.一种超构显微成像 器件的暗场成像方法， 其特 征在于， 包括如下步骤： (1)所述装片(2)中的样品将入射 光散射； (2)向上散射的入射光经过线偏振模(3)和四分之一波片膜， 进行偏振调制转化为圆偏 振光； (3)所述圆偏振光经 过复合介质滤光膜(6)转 化为窄带圆偏振光； (4)所述窄带圆偏振光被MI ID接收进行暗场成像。 9.根据权利要求8所述的超构显微成像器件的暗场成像方法， 其特征在于， 所述四分之 一波片膜包括左四分之一波片膜(4)和右四分之一波片膜(5)， 分别将所述向上散射的入射 光调制为左旋圆偏振态和右旋圆偏振态， 所述MIID 接收两种偏振态的窄带圆偏振光合成完 整的暗场像。 10.根据权利要求8所述的超构显微成像器件的暗场成像方法， 其特征在于， 步骤(1)中权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115165748 A 2所述样品含有荧光 染料， 所述样品将入射光散射并被所述入射光激发出荧光； 步骤(2)中所 述向上散射的入射光和所述荧光经过线偏振模(3)和四分之一波片膜后转化为圆偏振光， 所述复合介质滤光膜(6)将所述圆偏振光中的入射光部分截止， 然后转化为窄带圆偏振荧 光。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115165748 A 3