说明:收录全网最新的团体标准 提供单次或批量下载
(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210895210.6 (22)申请日 2022.07.26 (71)申请人 顺诠达 (重庆) 电子有限公司 地址 400700 重庆市北碚区润兴 路251号 (72)发明人 游证杰 庄益祯  (74)专利代理 机构 合肥市都耒知识产权代理事 务所(普通 合伙) 34227 专利代理师 何鑫鑫 (51)Int.Cl. G01N 21/01(2006.01) G01N 21/892(2006.01) G01R 31/26(2014.01) (54)发明名称 一种LED巨量检测设备及其检测方法 (57)摘要 本发明涉及LED晶圆片技术领域, 具体为一 种LED巨量检测设备, 包括传送机构, 传 送机构上 端面依次支撑有AOI检测区、 PL面检区以及PL线 扫区; 传送机构上传送有LED晶圆片, AOI检测区 内部包括有LED线光发射器以及LineCCD, PL面检 区内部包括有 面型相机、 半反射透镜、 大透镜、 匀 光镜组以及反射镜; PL线扫区内部包括有第二 LineCCD、 第二 半反射透镜以及Line扫镜头。 本发 明利用AOI检测区从而进行对LED晶圆片表面的 割伤以及污损进行检测; 利用PL面检区进行对 LED晶圆片的晶检光强辉度以及漏电监测, 利用 PL线扫区进行LED晶圆片内部LED晶粒的光谱测 量、 分析分布等检测, 通过多个步骤的检测能够 实现对LED晶圆片的全方位检测, 防止后期出现 复检的情况, 从而提高了对LEF晶圆片检测的效 率。 权利要求书2页 说明书4页 附图2页 CN 115128007 A 2022.09.30 CN 115128007 A 1.一种LED巨量检测设备, 包括传送机构(1), 其特征在于, 所述传送机构(1)的上端面 依次支撑有AOI检测区(2)、 PL 面检区(3)以及PL线扫区(4); 所述传送机构(1)上传送有LED晶圆片(5), 所述AOI检测区(2)内部包括有LED线光发射 器(6)以及L ineCCD(7); 所述PL面检区(3)内部包括有面型相机(8)、 半反射透镜(9)、 大透镜(10)、 匀光镜组 (11)以及反射镜(12); 所述PL线扫区(4)内部包括有第二LineCCD(13)、 第二半反射透镜(14)以及Line扫镜头 (20)。 2.根据权利 要求1所述的一种LED巨量检测设备, 其特征在于: 所述传送机构(1)包括有 支撑台(15)以及传送主体(16), 所述支撑台(15)用于支撑所述传送主体(16), 所述AOI检测 区(2)、 所述PL面检区(3)以及所述PL线扫区(4)依次排列在所述支撑台(15)两侧之间的正 上方。 3.根据权利要求1所述的一种LED巨量检测 设备, 其特征在于: 所述LineCCD(7)的检测 端连接有Line扫镜头(18), 所述LED线光发射器(6)与所述Line扫镜头(18)的发射端均朝向 所述传送机构(1)上传送的所述 LED晶圆片(5)。 4.根据权利 要求1所述的一种LED巨量检测设备, 其特征在于: 所述面型相机(8)的发射 端设置有大靶面远心镜头(21), 所述大透镜(10)处于所述匀光镜组(11)与所述半反射透镜 (9)之间, 所述匀光镜组(11)处于所述反射镜(12)与所述大透镜(10)之间, 所述PL面检区 (3)的进光端设置有 小角度透 镜(17), 所述小角度透 镜(17)用于投射特殊波长的UV光。 5.根据权利 要求1所述的一种LED巨量检测设备, 其特征在于: 所述半反射透镜(9)的用 于将通过 所述大透 镜(10)透射出的光线反射至所述 LED晶圆片(5)上进行检测。 6.根据权利 要求1所述的一种LED巨量检测设备, 其特征在于: 所述PL线扫区(4)内部还 设置有特殊光源发射器(19), 所述特殊光源发射器(19)用于发射检测光线至所述第二半反 射透镜(14)。 7.一种LED巨量检测设备的检测方法, 其特 征在于: 包括如下步骤: S1: AOI检测区检测: 将LED晶圆片(5)放置在传送主体(16)的表面进行传送, 首先将所 述LED晶圆片(5)传送至AOI检测区(2)正下方, 从而进行对 所述LED晶圆片(5)表 面的割伤以 及污损进行检测, 检测时, 利用LED线光发射器(6)发射出光线至所述LED晶圆片(5)表面进 行折射, 折射出的光线再配合LineCCD(7)检测端以及Line扫镜头(18)对所述LED晶圆片(5) 表面的污损以及割伤进行检测; S2: PL面检区检测: 初步检测完成后, 利用所述传送主体(16)将所述LED晶圆片(5)传送 至PL面检区(3)正下方, 通过利用所述PL面检区(3)进行对 所述LED晶圆片(5)的晶检光强辉 度以及漏电监测, 在进行检测 时通过利用将外界特殊波长的紫外线光发射在小角度透镜 (17)上, 然后通过所述小角度透镜(17)透射至反射镜(12)表面, 然后利用所述反射镜(12) 透射至匀光镜组(11)进行整光处理, 之后透射至大透镜(10), 利用所述大透镜(10)进行光 形调整, 之后由半反射透镜(9)将光打在所述LED 晶圆片(5)表面, 使其发数出高均匀的光 线, 发出的高均匀光线会通过 大靶面远心镜 头(21)收光给面型相机(8)进行检测; S3: PL线扫区检测: 进一步检测完成后, 利用所述传送主体(16)将所述LED晶圆片(5)传 送至PL线扫区(4)正下方, 通过利用所述PL线扫区(4)进行所述LED晶圆片(5)内部LED晶粒权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 115128007 A 2的光谱测量、 分析分布等检测, 从而做LED光谱波长分类, 在进行检测时, 通过第二LineCCD (13)配合通过特殊光源发射器(19)发射出的光线一并发射至第二半反射透镜(14), 然后通 过所述第二半反射透镜(14)反射至Line扫镜头(20), 然后利用所述Line扫镜头(20)进行检 测。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 115128007 A 3

.PDF文档 专利 一种LED巨量检测设备及其检测方法

文档预览
中文文档 9 页 50 下载 1000 浏览 0 评论 309 收藏 3.0分
温馨提示:本文档共9页,可预览 3 页,如浏览全部内容或当前文档出现乱码,可开通会员下载原始文档
专利 一种LED巨量检测设备及其检测方法 第 1 页 专利 一种LED巨量检测设备及其检测方法 第 2 页 专利 一种LED巨量检测设备及其检测方法 第 3 页
下载文档到电脑,方便使用
本文档由 人生无常 于 2024-03-18 05:57:16上传分享
友情链接
站内资源均来自网友分享或网络收集整理,若无意中侵犯到您的权利,敬请联系我们微信(点击查看客服),我们将及时删除相关资源。