(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210751384.5 (22)申请日 2022.06.29 (71)申请人 安徽宇航派蒙健康科技股份有限公 司 地址 230031 安徽省合肥市蜀山区湖光 东 路1201号国家电子商务产业园16号派 蒙大厦 (72)发明人 周明　潘卓成　潘智军　 (74)专利代理 机构 华进联合专利商标代理有限 公司 44224 专利代理师 向薇 (51)Int.Cl. C01B 32/194(2017.01) C01B 32/10(2017.01) H05K 7/20(2006.01) (54)发明名称 氟化石墨烯导热膜及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种氟化石墨烯导热膜的制备 方法， 所述制备方法包括如下步骤： 将氟化石墨 烯分散于有机溶剂中， 制备氟化石墨烯分散液； 将所述氟化石墨烯分散液置于磁场中， 在水平方 向上进行取向化处理， 除去所述有机溶剂后制备 蓬松氟化石墨烯薄膜； 将所述蓬松氟化石墨烯薄 膜夹在镜面光滑的模板 之间进行真空压制， 制备 所述氟化石墨烯导热膜。 本发明提供的氟化石墨 烯导热膜的制备方法以氟化石墨烯 为原料， 并配 合有机溶剂和磁场作用， 得到的氟化石墨烯且呈 取向化排布， 制备得到的氟化石墨烯 导热膜具有 较高的导热系数。 此外， 上述氟化石墨烯导热膜 的制备方法生产效率高， 具备大规模生产的可行 性。 权利要求书1页 说明书7页 附图1页 CN 115231565 A 2022.10.25 CN 115231565 A 1.一种氟化石墨烯导热膜的制备 方法， 其特 征在于， 所述制备 方法包括如下步骤： 将氟化石墨烯分散 于有机溶剂中， 制备氟化石墨烯分散液； 将所述氟化石墨烯分散液置于磁场中， 在水平方向上进行取向化处理， 除去所述有机 溶剂后制备 蓬松氟化石墨烯薄膜； 将所述氟化蓬松石墨烯薄膜夹在镜面光滑的模板之间进行真空压制， 制备所述氟化石 墨烯导热膜。 2.如权利要求1所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述氟化石墨烯的 氟元素含量为45wt％～6 5wt％。 3.如权利要求2所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述氟化石墨烯具 有层数在5层～ 20层之间的片层结构； 及/或所述氟化石墨烯的片径为5微米～ 20微米。 4.如权利要求1所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述有机溶剂包括 乙醇、 乙醚、 异丙醇及丙酮中的一种或多种。 5.如权利要求1所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述氟化石墨烯分 散液的固含量 为0.5wt％～ 2wt％。 6.如权利要求1所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述磁场的强度为 5特斯拉～ 20特斯拉。 7.如权利要求1所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述真空压制的压 力为20吨～10 00吨， 时间为2分钟～3 0分钟。 8.如权利要求1～7任一项所述的氟化石墨烯导热膜的制备方法， 其特征在于， 所述磁 场通过磁场取向化装置施加， 所述磁场取向化装置包括电源(1)、 连接电源的呈间隔分布的 两个线圈(2)和(3)、 位于两个线圈(2)和(3)之间的电热板(4)及放置于电热板(4)上的模 具 (5)； 所述两个线圈(2)和(3)半径相同， 正对设置； 所述两个线圈(2)和(3)的中心连接线与 模具(5)的中轴线重合； 在压制时， 将所述蓬松氟化石墨烯薄膜以及所述模板 置于所述模具(5)的成型槽内。 9.一种氟化石墨烯导热膜， 其特征在于， 采用权利要求1～8任一项所述的氟化石墨烯 导热膜的制备 方法制备。 10.如权利要求9所述的氟化石墨烯导热膜， 其特征在于， 所述氟化石墨烯导热膜的厚 度为60微米～3 00微米； 及/或 所述氟化石墨烯导热膜的密度为1.9克/立方厘米～ 2.2克/立方厘米； 及/或 所述氟化石墨烯导热膜的热导 率≥250瓦/米·度。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115231565 A 2氟化石墨烯导热膜及其制备方 法 技术领域 [0001]本发明涉及功能薄膜材料技术领域， 特别是涉及 一种氟化石墨烯导热膜及其制备 方法。 背景技术 [0002]随着手机朝高性能、 小型化的方向发展， 芯片的发热量越来越大， 受限于狭小的空 间， 热量易聚集形成热点， 导致芯片不能正常工作， 因而需要采用具有较高横向热导率的材 料进行匀热。 对于4G手机， 该材料通常为人工石墨散热膜， 其以聚酰亚胺薄膜为原料， 通过 碳化、 石墨化、 压延工艺制得。 受限于聚酰亚胺薄膜原料， 人工石墨散热膜的厚度有 限(＜ 100微米)， 无法应对5 G手机芯片更高的发热量。 石墨烯散热膜可以突破厚度的限制， 满足5 G 手机芯片匀热的要求， 因而得到 了广泛的应用。 [0003]然而， 因为石墨烯材料本身具有极好的导电性， 所以石墨烯导热膜的电绝缘性较 差， 这限制 了其在更多应用场景 的应用。 有技术涉及在石墨烯导热膜内引入氮化硼等绝缘 性纳米材料， 通过阻断石墨烯导电网络的形成来提高绝缘性， 但是这会显著降低石墨烯导 热膜的机 械性能和导热性能。 [0004]氟化石墨烯为石墨烯的衍生物， 与石墨烯相比较， 氟化石墨烯具有更好的绝缘性 和稳定性， 更适用于作为导热材料， 应用场景更为广阔。 但是， 传统的氟化石墨烯导热膜存 在导热系 数较低的缺陷。 如有技术涉及采用氟化石墨烯为原料， 通过减压抽滤 的方法制备 氟化石墨烯导热膜， 但是该制备方法不具有大规模生产的可行性， 且制备得到的氟化石墨 烯导热膜导热系数较低， 难以满足电子设备的散热需求。 发明内容 [0005]基于此， 本发明的目的之一是提供一种具备高导热系数的氟化石墨烯导热膜的制 备方法。 [0006]本发明的氟化石墨烯导热膜的制备 方法， 包括如下步骤： [0007]将氟化石墨烯分散 于有机溶剂中， 制备氟化石墨烯分散液； [0008]将所述氟化石墨烯分散液置于磁场中， 在水平方向上进行取向化处理， 除去所述 有机溶剂后制备 蓬松氟化石墨烯薄膜； [0009]将所述氟化蓬松石墨烯薄膜夹在镜面光滑的模板之间进行真空压制， 制备所述氟 化石墨烯导热膜。 [0010]在其中一个实施例中， 所述氟化石墨烯的氟元 素含量为45wt％～6 5wt％。 [0011]在其中一个实施例中， 所述氟化石墨烯具有层数在5～20层之间的片层结构； 及/ 或所述氟化石墨烯的片径为5微米～ 20微米。 [0012]在其中一个实施例中， 所述有机溶剂包括乙醇、 乙醚、 异丙醇及丙酮中的一种或多 种。 [0013]在其中一个实施例中， 所述氟化石墨烯分散液的固含量 为0.5wt％～ 2wt％。说　明　书 1/7 页 3 CN 115231565 A 3