(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210673715.8 (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人 赛莱克斯 微系统科技 （北京） 有限公 司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技 术 开发区科创十四街99号33幢D栋二层 2208号 （集中办公区） (72)发明人 范建国　杨云春　郭鹏飞　陆原　 张拴　孙庆灵　王文正　王晨星　 (74)专利代理 机构 北京众达德权知识产权代理 有限公司 1 1570 专利代理师 詹守琴 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01)H01L 21/67(2006.01) (54)发明名称 一种用于化学机 械抛光工艺的清洗系统 (57)摘要 本申请公开了一种用于化学机械抛光工艺 的清洗系统， 包括： 若干清洗装置， 每个清洗装置 设有用于清洗晶圆的清洗槽； 供液装置， 存储用 于清洗晶圆的清洗液； 以及， 阀门分配箱， 包括总 管接口以及若干分管接口， 总管接口通过供液总 管与供液装置连通， 分管接口通过供液分管与清 洗装置一一对应连通。 供液装置通过阀门分配箱 与清洗装置连通， 利用阀门分配箱的分流作用供 液装置中的清洗液分流， 实现清洗液从单一来源 分配到若干清洗装置， 并且可以对分流至每个清 洗装置中的清洗液单独地进行调控， 满足每个清 洗装置的个别应用需求， 使用于化学机械抛光工 艺的清洗系统的供给压力和供给流量更稳定， 避 免了各清洗装置之间的彼此影 响， 提高了清洗装 置的清洗效果。 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 CN 115069640 A 2022.09.20 CN 115069640 A 1.一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述用于化学机械抛光工艺 的清洗系统包括： 若干清洗装置(10 0)， 每个所述清洗装置(10 0)设有用于清洗晶圆的清洗 槽； 供液装置(20 0)， 存储用于清洗晶圆的清洗液； 以及， 阀门分配箱(300)， 包括总管接口以及若干分管接口， 所述总管接口通过供液总管 (310)与所述供液装置(200)连通， 所述分管接口通过供液分管(320)与所述清洗装置(100) 一一对应连通。 2.如权利要求1所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 每个所述供液 分管(320)上设有流 量计(400)。 3.如权利要求2所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 每个所述供液 分管(320)上设有控制阀(5 00)。 4.如权利要求1所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述用于化学 机械抛光工艺的清洗系统还 包括： 若干循环回液 管， 连通所述清洗装置(10 0)与所述供 液装置(20 0)。 5.如权利要求4所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述供液总管 (310)上设有浓度检测器。 6.如权利要求4所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述供液总管 (310)上设有过 滤器(600)。 7.如权利要求1至6任意一项所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述用于化学机 械抛光工艺的清洗系统还 包括： 若干清洗废液排出 管， 与所述清洗装置(10 0)一一对应连通。 8.如权利要求7所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述清洗装置 (100)还包括设置在所述清洗 槽中的喷淋组件， 所述喷淋组件与所述供 液分管(320)连通。 9.如权利要求7所述的用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 其特征在于， 所述用于化学 机械抛光工艺的清洗系统还 包括： 控制组件， 分别与所述 流量计(400)、 所述控制阀(5 00)以及所述浓度检测器信号连接 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115069640 A 2一种用于化学 机械抛光工艺的清洗系统 技术领域 [0001]本申请属于半导体制造设备技术领域， 尤其涉及 一种用于化学机械抛光工艺的清 洗系统。 背景技术 [0002]晶圆是制作半导体电路所用的晶片， 半导体制造过程中如果遭到颗粒、 有机物、 金 属等污染， 很容易造成晶圆内电路功能的损坏， 形成短路或断路， 导致半导体器件的失效。 因此在半导体制造过程中， 需要在化学机械抛光(Chemic al Mechanical Polishing,CMP) 工艺后进行清洗以去除污染物。 清洗是在不破坏晶圆表面特性和电特性的前提下， 有效地 使用化学 溶液对残留在晶圆上的微尘、 金属离 子及有机物进行清理的过程。 [0003]相关技术中， 清洗系统的一个供液装置往往供应两个以上的清洗装置， 供液装置 通过主管路与分管路连通， 进而通过分管路与清洗装置连通， 该清洗系统对主管路的供给 压力要求较高， 导致供给压力和流量稳定性不好、 各清洗装置之间彼此影响， 进而影响清洗 效果。 发明内容 [0004]本申请旨在至少能够在一定程度上解决清洗系统对主管路的供给压力要求高， 导 致供给压力和流量稳定性不好、 各清洗装置之间彼此影响， 影响清洗效果的技术问题。 为 此， 本申请提供了一种用于化学机 械抛光工艺的清洗系统。 [0005]本申请实施例提供的一种用于化学机械抛光工艺的清洗系统， 所述用于化学机械 抛光工艺的清洗系统包括： [0006]若干清洗装置， 每 个所述清洗装置设有用于清洗晶圆的清洗 槽； [0007]供液装置， 存 储用于清洗晶圆的清洗液； 以及， [0008]阀门分配箱， 包括总管接 口以及若干分管接 口， 所述总管接 口通过供液总管与所 述供液装置连通， 所述分管接口通过 供液分管与所述清洗装置一 一对应连通。 [0009]在一些实施方式 中， 每个所述供 液分管上设有流 量计。 [0010]在一些实施方式 中， 每个所述供 液分管上设有控制阀。 [0011]在一些实施方式中， 所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统还包括： 若干循环回 液管， 连通所述清洗装置与所述供 液装置。 [0012]在一些实施方式 中， 所述供 液总管上设有浓度检测器。 [0013]在一些实施方式 中， 所述供 液总管上设有过 滤器。 [0014]在一些实施方式中， 所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统还包括： 若干清洗废 液排出管， 与所述清洗装置一 一对应连通。 [0015]在一些实施方式中， 所述清洗装置还包括设置在所述清洗槽中的喷淋组件， 所述 喷淋组件与所述供 液分管连通。 [0016]在一些实施方式中， 所述用于化学机械抛光工艺的清洗系统还包括： 控制组件， 分说　明　书 1/6 页 3 CN 115069640 A 3