(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210034753.9 (22)申请日 2022.01.12 (71)申请人 合肥微睿光电科技有限公司 地址 230000 安徽省合肥市新站区九顶山 路以东、 珠城路以南 (72)发明人 刘晓刚　黄来国　刘超　李仁杰　 蔡广云　朱勇　 (74)专利代理 机构 安徽知问律师事务所 34134 专利代理师 王亚军 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B08B 7/00(2006.01) B24B 1/00(2006.01)B24C 1/08(2006.01) C23G 1/02(2006.01) C23F 1/16(2006.01) C23F 1/32(2006.01) C23F 1/08(2006.01) C23G 3/00(2006.01) (54)发明名称 再生PECVD设备或DRY ETCH设备腔体中的构 件的方法 (57)摘要 本公开涉及再生PECVD设备或DRY  ETCH设备 腔体中的构件的方法， 该方法包括以下连续步 骤： (a)对所述构件的表面进行喷砂处理； (b)用 浓度为40 ‑100g/L的无机酸溶液清洗 所述构件的 表面； (c)检查所述构件的表面； (d)对所述构件 的表面进行激光定点清洗； (e)对所述构件的表 面进行超声波清洗； (f)对所述构件的表面进行 研磨处理； (g)对所述构 件的表面进行喷砂处理； (h)使用干冰对所述构 件的表面进行清洗； (i)用 酸性或碱性溶液对所述构件的表面进行化学刻 蚀； (j)对所述构件的表面进行超声波清洗； (k) 对所述构件的表面进行高压清洗； 以及(l)干燥 所述构件的表面。 权利要求书2页 说明书14页 CN 114535186 A 2022.05.27 CN 114535186 A 1.再生PE CVD设备或DRY  ETCH设备腔体中的构件的方法， 包括以下 连续步骤： (a)在2‑4kg的压力下， 用120 ‑320目的喷料对所述构件的表面进行喷砂处 理； (b)在45‑50℃下， 用浓度为 40‑100g/L的无机酸溶 液清洗所述构件的表面； (f)对所述构件的表面进行研磨处 理， 以使得 所述构件的平面 粗糙度一致； (g)对所述构件的表面进行喷砂处 理， 以获得 所需的粗 糙度； (i)用酸性或碱性溶 液对所述构件的表面进行化学刻蚀， 以进行表面整平处 理； (j)对所述构件的表面进行超声 波清洗； (k)对所述构件的表面进行高压清洗； 以及 (l)干燥所述构件的表面。 2.根据权利要求1所述的方法， 还 包括步骤： (c)检查所述构件的表面， 当表面沉积物残留较少时， 直接进入下一步骤， 当表面沉积 物残留过多时， 重复所述 步骤(a)和(b)， 直至沉积物 残留较少后， 进入下一 步骤。 3.根据权利要求1所述的方法， 还 包括步骤： (d)对所述构件的表面进行激光定点清洗； 和/或， (e)对所述构件的表面进行超声 波清洗； 和/或， (h)任选地， 使用干冰 对所述构件的表面进行清洗 。 4.根据权利要求1所述的方法， 其中所述喷料选自下组中的至少一种： 铜矿砂、 石英砂、 金刚砂、 铁砂、 海砂、 白刚玉砂和玻璃砂。 5.根据权利要求1或2或3所述的方法， 其中所述步骤(a)中的喷砂处理使用摆动式喷枪 进行， 所述喷枪的摆动幅度为+/ ‑15°至+/‑30°。 6.根据权利要求1或2或3所述的方法， 其中所述步骤(b)中的无机酸选自下组中的至少 一种： 硫酸和硝酸。 7.根据权利要求1或2或3所述的方法， 其中所述 步骤(b)进行20 0‑300分钟。 8.根据权利要求1或2 或3所述的方法， 其 中所述步骤(e)中的超声波清洗在40Hz、 45 ‑50 ℃下， 进行10 ‑20分钟。 9.根据权利要求1或2或3所述的方法， 其中所述步骤(i)在45 ‑50℃下， 使用50g/L的氢 氧化钠溶液或用氢氧化钠与碳酸钠的混合溶液进行， 持续2 ‑3分钟； 或在40 ‑100℃下， 使用 磷酸和硫酸的混合溶 液进行， 持续2 ‑3分钟。 10.根据权利要求1或2或3所述的方法， 其中所述步骤(j)中的超声波清洗在40Hz、 45 ‑ 50℃下， 进行10 ‑20分钟。 11.通过权利要求1 ‑10中任一项所述的方法获得的再生的构件。 12.再生PE CVD设备或DRY  ETCH设备腔体中的构件的设备， 包括： 用于实施权利要求1中所述 步骤(a)的装置； 用于实施权利要求1中所述 步骤(b)的装置； 用于实施权利要求2中所述 步骤(c)的装置； 任选地， 用于实施权利要求3中所述 步骤(d)的装置； 任选地， 用于实施权利要求3中所述 步骤(e)的装置； 用于实施权利要求1中所述 步骤(f)的装置； 用于实施权利要求1中所述 步骤(g)的装置；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114535186 A 2任选地， 用于实施权利要求3中所述 步骤(h)的装置； 用于实施权利要求1中所述 步骤(i)的装置； 用于实施权利要求1中所述 步骤(j)的装置； 用于实施权利要求1中所述 步骤(k)的装置； 以及 用于实施权利要求1中所述 步骤(l)的装置 。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114535186 A 3