ICS 29.045 H 82 ZZB 浙江制造团体 标准 T/ZZB 0648—2018 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 200 mm heavily phosphorus -doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers 2018 - 10 - 19发布 2018 - 11 - 01实施 浙江省品牌建设联合会 发布 ZHEJIANG MADET/ZZB 0648 —2018 I 目 次 前言 ................................................................................ II 1 范围 .............................................................................. 1 2 规范性引用文件 .................................................................... 1 3 术语和定义 ........................................................................ 1 4 产品分类 .......................................................................... 1 5 基本要求 .......................................................................... 2 6 技术要求 .......................................................................... 2 7 试验方法 .......................................................................... 4 8 检验规则 .......................................................................... 4 9 包装、标志、运输和贮存 ............................................................ 6 10 订货单（或合同）内容 ............................................................. 7 11 质量承诺 ......................................................................... 7 ZHEJIANG MADET/ZZB 0648 —2017 II 前 言 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由浙江省浙江制造品牌建设促进会提出并归口。 本标准由浙江省标准化研究院牵头组织制定 。 本标准主要起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。 本标准参与起草单位：金瑞泓科技（衢州）有限公司。 本标准主要起草人：许峰、朱华英、陈平人、田达晰、梁兴勃、刘红方、李方虎、李艳玲。 本标准由浙江省标准化研究院负责解释。 ZHEJIANG MADET/ZZB 0648 —2017 1 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 1 范围 本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试 验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产 品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 155 5 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL ）检索的逐批检验抽样计 划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 12963—2014 电子级多晶硅 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射 X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264 界定的术语及定义适用于本文件。 4 产品分类 ZHEJIANG MADET/ZZB 0648 —2017 2 本产品为N 型直拉硅单晶抛光片，按照晶向分为常用的 <100>、<111> 两种规格。 5 基本要求 5.1 应满足客户关注的要求，包括表面颗粒、硅片平整度、表面金属杂质等；筛选并确定关键制造过 程工艺配方，包括直拉单晶硅工艺技术、 CMP（化学机械抛光）工艺技术、化学清洗工艺技术等。 5.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 12963—2014 第4.2条中电子 2级要求，具体指标见表 1。 表1 多晶硅主要性能要求 项目 指标要求 施主杂质浓度，10-9 ≤0.25 受主杂质浓度，10-9 ≤0.08 少数载流子寿命，μs ≥1 000 碳浓度，atoms/ cm3 ＜1.0×1016 氧浓度，atoms/ cm3 — 基体金属杂质浓度, 10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量：≤1.5 表面金属杂质浓度, 10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na 总金属杂质含量：≤ 10.5 5.3 应采用DCS、PLC等自动化控制系统，以及密闭化、高效节能的生产设备和装置， 最终检验生产车 间为洁净车间，达到 0.1 μm颗粒十级以上标准。 5.4 应具备第 6章技术要求中规定所有出厂检验项目的检测能力。 6 技术要求 6.1 物理性能参数 6.1.1 硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表 2的规定，其他氧含量、碳含 量的参数应符合 GB/T 12962 的规定。 表2 硅抛光片物理性能参数 项目 指标要求 导电类型 N 掺杂元素 P 电阻率，Ω·cm ≤0.0015 电阻率径向变化, % ≤10 6.1.2 硅抛光片的直径、 晶向、 参考面晶向、 主参考面和副参考面的位置、 切口尺寸均应符合 GB/T 12965 的规定。 6.2 几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表3的规定，表 3未包含参数或对表3 中参数有其他要求时，由供需双方 协商确定。 ZHEJIANG MADET/ZZB 0648 —2017 3 表3 硅抛光片几何参数 项目 指标要求 硅片直径，mm 200 直径允许偏差，mm ±0.2 硅片厚度，中心点，μm 725 厚度允许偏差，μm ±10 总厚度变化（T TV），μ m ≤3 弯曲度（WARP），μm ≤40 ≤60（背面为多晶加背封） 翘曲度（BOW），μ m ≤40 ≤60（背面为多晶加背封） 总平整度（TIR），μ m ≤2 局部平整度（SFQR，边缘扩展，PUA100%），μ m (25 mm×25 mm)≤0.25 6.3 氧化诱生缺陷 氧化诱生缺陷不大于 50 个/cm2。 6.4 表面质量 硅抛光片表面质量应符合表4的规定，其中对颗粒的要求可由供需双方协商确定。 表4 抛光片表面质量目检要求 序号 项目 指标要求 正表面 1 划伤 无 2 蚀坑 无 3 雾 无 4 局部光散射 体（颗粒） 个/片 局部光散射体直径 ≥0.16 μm ≤100 ≥0.2 μm ≤15 ≥0.3 μm ≤7 ≥0.5 μm ≤1 5 区域沾污 无 6 崩边 无 7 裂纹，鸦爪 无 8 凹坑 无 9 沟（槽） 无 10 小丘 无 11 桔皮，波纹 无 12 线痕 无 背表面 13 崩边 无 14 裂纹，鸦爪 无 15 区域沾污 无 16 线痕 无 ZHEJIANG MADET/ZZ