ICS29.045 H80/84 团体标准 T/IAWBS007-2018 4H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 Testmethodforthicknessof4Hsiliconcarbidehomo-epitaxiallayersby infraredreflectance 2018-12-06发布 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 2018-12-17实施T/IAWBS007—2018 I目次 前  言............................................................................................................................................... 1范围................................................................................................................................................... 2规范性引用文件............................................................................................................................... 3术语和定义....................................................................................................................................... 3.14H碳化硅4HSiliconCarbide.............................................................................................. 3.2干涉Interference................................................................................................................... 4方法提要........................................................................................................................................... 5测试仪器........................................................................................................................................... 5.1红外光谱仪............................................................................................................................ 5.2仪器附件................................................................................................................................ 6干扰因素........................................................................................................................................... 7测试环境........................................................................................................................................... 8试样................................................................................................................................................... 9测试程序........................................................................................................................................... 9.1仪器校准................................................................................................................................ 9.2测试条件的选择.................................................................................................................... 9.3测量........................................................................................................................................ 10计算................................................................................................................................................. 11精度度............................................................................................................................................. 12测试报告......................................................................................................................................... 附录A（资料性附录）测厚实例.............................................................................................. 参考文献...............................................................................................................................................T/IAWBS007—2018 II前  言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责 任。 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口。 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、东莞市天域半导体科技有限 公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国电子科技集团公 司第二研究所、西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所。 本标准主要起草人：张新河、钮应喜、王英民、贾仁需、张峰、刘丹、陈志霞、闫果果、 陆敏、郑红军、彭同华、林雪如、陈鹏、刘祎晨。T/IAWBS007—2018 14H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 1范围 本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018cm-3）上同质外延层（掺 杂浓度5×1014cm-3-5×1016cm-3）厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本 适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T6379.2测量方法与结果的准确度(正确度与精密度)第2部分:确定标准测量方法 重复性与再现性的基本方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.14H碳化硅4HSiliconCarbide 碳化硅的一种常见晶体结构。 SiC晶体所属的晶系结构包括：六角密堆积的纤锌矿结构、菱形结构和立方密堆积的闪