K 46 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T13150--2005 代替GB/T13150—1991 半导体器件分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的 双向三极晶闽管空白详细规范 Semiconductor devices-Discrete devicesBlank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated, for currents greater than 100A （(IEC60747-6-2/QC750111:1991,NEQ) 2005-03-23发布 2005-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T13150—2005 前言 本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括： GB/T6352半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第一篇100A以下环境或管 壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 -GB/T13150半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管 空白详细规范 —-GB/T13151半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第三篇：电流大于100A、环境和 管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 -GB/T131535A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范 本标准参照IEC60747-6-2：1991《半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第二篇：电流小于 1991《100A以上环境或管壳额定双向三极晶闸管空白详细规范》而产生。 本标准与IEC60747-6-2的一致性程度为非等效，主要差异如下： 适用电流范围不同，本标准适用于额定电流大于100A的双向三极晶闸管，IEC60747-6-2适 用于额定电流小于等于100A的双向三极晶闸管； 一抽样要求不同，IEC60747-6-2仅说明“A组检验的抽样方案在详细规范中可选择AQL或LT- PD”，对B、C、D组检验的抽样未加规定，而本标准明确要求：A组检验对全部器件进行，B组 …-因勘误的不同“4.2贮存温度和等效结温”应编辑为“4.2贮存温度”和“4.3等效结温”，后面 5.8和5.9中的"最大值”均应为"最小值”；C组中删去了与A组中重复的IcT、VGT、IDM2和VGD 四项检验； —本标准在B3分组中，增加了“转矩（D)”项目，并作了文字完善，A4分组增加了“换向电压临界 上升率（适用时）”的检验，增加了“C2d分组热阻（适用时）”的检验； 本标准极限值参数表中补充了四个符号M、F、I"t和I"t2。 本标准与GB/T13150-1991相比主要变化如下： 标准名称中增加了引导要素文字：“半导体器件分立器件”并作了个别文字修改（见前版和本 版的封面、首页）； 一一删去了第8章各表中的抽样方案和附录A追加抽样表，增加了对A、B、C、I)组抽样要求的文 字说明（前版第8章各表和附录A；本版第8章方括号中的文字）； 的温度条件（见前版和本版的4.5.5）； “5.11热阻”的文字和符号作了补充和完善； 前版的A3分组（IcT、Vcr）在本版并入了A2b分组，本版A2b分组中的断态峰值电流仅是 版的A组检验）；